全球內(nèi)存市占率第三的美光半導體傳出在5月24日被中國商務部反壟斷局約談。據(jù)集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)查證指出，美光被約談最主要原因是標準型內(nèi)存已連續(xù)數(shù)季價格上揚，導致中國廠商不堪成本負荷日漸提高，加上限制設備商供貨給福建晉華儼然是妨礙公平競爭行為。2018年第一季三星、SK海力士與美光在DRAM產(chǎn)業(yè)囊括約96%的市占率，與其他終端產(chǎn)品所采用的半導體組件相比，似乎已明顯構(gòu)成壟斷的條件，未來反壟斷調(diào)查的事件可能將持續(xù)發(fā)生，并且可能將壓抑內(nèi)存漲幅。

　　DRAMeXchange指出，2018年第一季存儲器三大廠商三星、SK海力士、美光在DRAM產(chǎn)業(yè)的市占率分別為44.9%、27.9%、22.6%，顯示出DRAM明顯已是寡占格局。而據(jù)了解，中國反壟斷法最終目的在維護市場的公平競爭，任何具有市場支配地位的經(jīng)營者，不得濫用該市場優(yōu)勢來操弄價格。另一方面，由于DRAM生產(chǎn)周期長達八周以上，從投入資本支出后，到新增產(chǎn)能、顆粒產(chǎn)出更長達至少一年，DRAM廠商最容易在反壟斷條文中「限制商品中銷售數(shù)量」被調(diào)查。

　　中國為最大存儲器需求國，緊盯內(nèi)存價格漲勢

　　此外，中國市場對于全球DRAM和NAND的消化量已經(jīng)高達20%與25%，存為儲器最大需求國。盡管中國各地正積極進行半導體扶植計劃，但要達到「技術(shù)自主研發(fā)」與「穩(wěn)定量產(chǎn)規(guī)模」兩項目標仍需要至少數(shù)個季度以上的時間，對解決成本壓力的燃眉之急是遠水救不了近火。除了此次美光被約談之外，今年年初存儲器龍頭廠商三星半導體也被中國的國家發(fā)展和改革委員會約談，雖然目前沒有證據(jù)顯示這二者事件有關(guān)聯(lián)性，但足以顯示中國官方對于DRAM價格高漲的重視。

　　DRAMeXchange分析，由于中國占全球的存儲器的消耗量非?？捎^，且廠商對于中國市場普遍采取高度尊重的態(tài)度，因此相關(guān)事件無疑將造成后續(xù)內(nèi)存價格上漲受到壓抑。以DRAMeXchange最新資料指出，三大DRAM廠商今年首季營業(yè)利益率(OP Margin)已達50-70%的水位，不僅是歷史最高，該產(chǎn)品的獲利能力甚至超過技術(shù)層級更高的中央處理器(Application Processor)，此現(xiàn)象史上未見。而DRAM廠為改善供貨吃緊狀況，近兩年持續(xù)增加資本支出，然在制程持續(xù)微縮困難的狀態(tài)下，各廠唯有透過擴產(chǎn)才能有效增加供給，預估DRAM新產(chǎn)能開出態(tài)勢將于2019年更為明顯。