三星電子今天宣布，已開始大規(guī)模生產(chǎn)業(yè)內(nèi)首款用于游戲筆記本電腦的單條32GB DDR4 SoDIMM(小型雙列直插式內(nèi)存模塊)內(nèi)存。新的SoDIMM內(nèi)存基于10納米工藝技術(shù)，能夠顯著提高容量和速度的同時(shí)并降低能耗。

　　本文引用地址: http://www.21ic.com/news/ce/201805/771770.htm

　　與三星2014年推出的基于20nm DDR4的16GB SoDIMM相比，新款32GB模塊的容量翻了一番，速度提高了11%，提升至2,666Mbps，能效提高了約39%。

　　新的內(nèi)存可以允許制造商打造速度更快的游戲本，并且使其電池續(xù)航時(shí)間更長(zhǎng)，同時(shí)保持現(xiàn)有的PC配置。

　　三星電子內(nèi)存市場(chǎng)高級(jí)副總裁Sewon Chun表示：“三星的32GB DDR4 DRAM模塊將為筆記本電腦帶來(lái)前所未有的游戲體驗(yàn)。我們將繼續(xù)為包括高端筆記本電腦和臺(tái)式機(jī)在內(nèi)的所有關(guān)鍵細(xì)分市場(chǎng)提供最先進(jìn)的DRAM產(chǎn)品組合，并提高其速度和容量?！?/p>

　　三星表示，配置有兩個(gè)32GB DDR4模塊的64GB筆記本電腦在主動(dòng)模式下功耗不到4.6W，閑置時(shí)功耗低于1.4W。與目前領(lǐng)先的配備16GB模塊的游戲本相比，這分別降低了大約39%和超過(guò)25%的用電量。