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Qorvo®推出適合雷達應用的超緊湊GaN X頻段前端模塊

四合一封裝產品集尺寸、重量、功率和成本優(yōu)勢與高RF生存性于一體
2018-06-20

  移動應用、基礎設施與航空航天、國防應用中 RF 解決方案的領先供應商 Qorvo?, Inc.(納斯達克代碼:QRVO),今日宣布推出針對下一代有源電子掃描陣列 (AESA) 雷達設計的高性能 X 頻段前端模塊 (FEM)--- QPM2637 和 QPM1002。這些符合出口標準的氮化鎵 (GaN) 產品也符合任務關鍵型操作所必需的高 RF 功率生存性要求。

  預計到 2022 年,適合雷達應用的 RF 前端組件的需求量將超過 10 億美元,未來五年的復合年增長率為 9%。由于 GaN 普及率明顯超過其他技術選項,因此預計未來五年,國防應用的 RF GaN 器件市場(如雷達、電子戰(zhàn)和通信)的復合年增長率將達到 24%。

  Qorvo 的新型 FEM(QPM2637 和 QPM1002)采用公司的創(chuàng)新 GaN 技術構建,可實現(xiàn)更高的效率、可靠性、功率和生存性,同時可縮減尺寸、重量和成本。

  GaN FEM 在緊湊的單封裝中集成了四種功能,包括 RF 開關、功率放大器、低噪聲放大器和限幅器。典型的砷化鎵 (GaAs) 低噪聲放大器在不到 100mW 的輸入功率條件下都會受損,與之相比,GaN FEM 的接收端可承受最高 4W 的輸入功率,且不會造成永久損壞。

  Qorvo 高性能解決方案總經理 Roger Hall 表示:“利用 Qorvo 經過現(xiàn)場驗證的 GaN 技術,客戶可解決許多 AESA 雷達系統(tǒng)設計相關挑戰(zhàn),包括提高功率輸出和可靠性。新推出的 GaN 模塊符合出口要求,提升了我們交付最高級別集成產品(四合一產品)的能力,有助于客戶針對任務關鍵性雷達系統(tǒng)選擇尺寸最小但性能最高的 FEM?!?/p>


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