三星不愿在7nm上使用DUV（深紫外）的過渡工藝，而是直接切入EUV，所以風險試產今年底才能開始，量產最快也要明年下旬了。不過，臺積電和GF則思路有所不同，準備先用第一版7nm吸引客戶，隨后再導入EUV（極紫外光刻）。據Digitimes報道，21日臺積電舉辦了技術研討會。

　　CEO魏哲家駁斥了對臺積電7nm良率提升緩慢的傳言，他表示，可商用的7nm芯片生產已經啟動，同時，在2019年底或者2020年初，5nm也會投入量產。

　　魏哲家介紹，三季度，導入EUV的增強版7nm將試產，今年底前，臺積電將流片超過50款7nm芯片，用于AI、GPU和加密貨幣領域的居多，隨后是5G基帶和應用處理器（AP）。

　　魏哲家還預判，由于7nm的產出，2018年，臺積電的12寸晶圓的總產能將達到120萬片，比2017年的105萬提升9%。

　　會上還提到，5nm和未來的3nm都將在臺積電的新12寸晶圓廠（Fab 18）中率先流片，F(xiàn)ab 18坐落于臺灣南部的科學園區(qū)，是臺積電的第四座12寸晶圓廠。

　　當然，對于很多關注半導體和臺積電的朋友來說，最想知道的還是今明兩年的哪些芯片會由其7nm代工。報道援引消息人士提供的資料，新iPhone的A12芯片依然占據臺積電7nm產能的大頭，此外還有AMD的Vega顯卡、聯(lián)發(fā)科M70 5G基帶、NVIDIA以及高通的產品。