多年以來，高通一直依賴于三星的代工芯片制造部門，以打造其高端驍龍800系列智能手機(jī)處理器，而臺(tái)積電此前也生產(chǎn)過這些芯片。

　　然而，關(guān)于高通下一代800系列驍龍?zhí)幚砥骺赡苊麨轵旪?55，并將由臺(tái)積電使用其7納米工藝生產(chǎn)的傳言已經(jīng)持續(xù)了很長(zhǎng)一段時(shí)間。

　　據(jù)DIGITIMES報(bào)道，臺(tái)積電或已拿下高通訂單，將生產(chǎn)高通下一代的800系列驍龍芯片。這一消息若屬實(shí)，對(duì)這三家公司意味著什么？讓我們一起來看一看。

　　高通和臺(tái)積電近10年來的合作軌跡從2006年一起開發(fā)65納米制程，2007年開發(fā)45納米制程，延續(xù)到2010年合作28納米制程，然隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)進(jìn)至FinFET制程世代之后，高通與臺(tái)積電的技術(shù)合作表面上看似斷了線，因?yàn)楫?dāng)年在關(guān)鍵的16/14納米制程抉擇點(diǎn)上，高通礙于眾多考量，選擇采用三星電子(SamsungElectronics)14納米制程，而非臺(tái)積電16納米制程。

　　而高通與三星的合作橫跨兩個(gè)半導(dǎo)體制程世代，從16納米一路到10納米制程。此前，對(duì)于高通在7納米制程重回臺(tái)積電生產(chǎn)的消息一直流傳，業(yè)界分兩派說法，一是高通手機(jī)應(yīng)用處理器(AP)訂單將采用臺(tái)積電的7納米制程生產(chǎn)，另一派說法則是高通將先釋出基頻(baseband)芯片給臺(tái)積電的7納米生產(chǎn)，但最關(guān)鍵的AP晶圓代工，高通仍在臺(tái)積電與三星之間考慮。

　　臺(tái)積電CEO魏哲家在6月21日舉行技術(shù)研討會(huì)上表示，7nm芯片產(chǎn)量的提升將使臺(tái)積電的整體生產(chǎn)能力在2018年達(dá)到1200萬片12英寸等效晶圓，與2017年的1050萬片相比增長(zhǎng)9%。但他并未詳細(xì)說明具體訂單和客戶。

　　業(yè)內(nèi)人士表示，采用7nmFinFET工藝節(jié)點(diǎn)的臺(tái)積電將在2018年底或2019年初贏回與高通的主要合同。據(jù)消息人士透露，鑒于臺(tái)積電有更具競(jìng)爭(zhēng)力的7nm節(jié)點(diǎn)制造技術(shù)，高通公司將向臺(tái)積電下達(dá)下一代驍龍800系列芯片的訂單。消息來源稱，高通公司還將讓臺(tái)積電制造其5G調(diào)制解調(diào)器芯片。

　　據(jù)此前外媒報(bào)道，之所以高通會(huì)選擇與臺(tái)積電合作，很大可能是因?yàn)槿菦]辦法在2018年完成其7納米芯片技術(shù)的開發(fā)，不過運(yùn)用于2018年各大高端智能手機(jī)市場(chǎng)上的高通驍龍845芯片則仍是依賴于三星公司的第二代10納米核心技術(shù)，也叫做10LPP。三星表示這項(xiàng)技術(shù)相比支持的第一代叫做10LPE的10納米核心制造工藝能夠在性能上提升10%甚至以上，三星還表示10LPP的繼任者將會(huì)是8LPP技術(shù)，相比10LPP還會(huì)有進(jìn)一步提升，不過相比臺(tái)積電的7納米核心制造工藝應(yīng)該還是會(huì)有些距離，這也是高通之所以選擇放棄三星而采用臺(tái)積電的技術(shù)來打造高通驍龍855芯片的原因。

　　然而，臺(tái)積電制程依舊存在著變數(shù)。三星于六月中旬公布消息，稱其7納米LPP制程已經(jīng)完成了新斯科技(Synopsys)的物理認(rèn)證。在完成這次的認(rèn)證之后，三星的7納米LPP制程就可以立即提供認(rèn)證的技術(shù)資料，包括DRC設(shè)計(jì)規(guī)則檢查、LVS布局與原理圖、金屬填充技術(shù)檔等等給予相關(guān)客戶，而這也意味著三星的7納米LPP制程正式進(jìn)入可以量產(chǎn)的階段。

　　此外，高通也公開表示，未來將使用三星的7納米LPP技術(shù)生產(chǎn)5G芯片，因此三星代工芯片制造業(yè)務(wù)的“痛”應(yīng)該只是暫時(shí)的。而一旦到必須的時(shí)候，高通還是會(huì)將其芯片制造業(yè)務(wù)轉(zhuǎn)回三星。