0 引言

    可編程邏輯陣列（FPGA）由于其具有可編程、上市時(shí)間短、靈活性及高吞吐量等特性廣泛應(yīng)用于數(shù)字信號(hào)處理、接口電路控制、圖像處理及算法加速等領(lǐng)域，如在接口協(xié)議并串轉(zhuǎn)換電路^[1]、圖像算法加速電路^[2]及矩陣分解電路加速^[3]等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。隨著微電子工藝技術(shù)的進(jìn)步，F(xiàn)PGA器件向集成更多資源、更高速度及片上系統(tǒng)方向發(fā)展。FPGA器件內(nèi)部具有豐富的可編程邏輯資源、輸入輸出口資源、鎖相環(huán)及頻率合成器資源以及嵌入式塊存儲(chǔ)器資源（BRAM）^[4]等，其中FPGA片內(nèi)豐富的塊存儲(chǔ)器資源使數(shù)據(jù)與處理模塊的延遲更短，極大地提升了FPGA器件的處理性能和吞吐量。

    隨著工業(yè)界對(duì)FPGA器件的質(zhì)量與可靠性要求越來越高，對(duì)FPGA器件片內(nèi)資源進(jìn)行充分的測(cè)試驗(yàn)證變得日益迫切。因而，近年來針對(duì)FPGA器件片內(nèi)邏輯資源^[5-6]及存儲(chǔ)器資源^[7-8]的測(cè)試逐漸成為研究熱點(diǎn)。微電子工藝技術(shù)的進(jìn)步推動(dòng)了FPGA器件片內(nèi)塊存儲(chǔ)器資源速度性能的提升，如何在其標(biāo)稱速度下進(jìn)行功能驗(yàn)證變得日益重要。為了驗(yàn)證FPGA器件片內(nèi)塊存儲(chǔ)器資源在標(biāo)稱速度下的功能是否正常，需要對(duì)FPGA器件的高速塊存儲(chǔ)器資源進(jìn)行測(cè)試和驗(yàn)證。在高速大規(guī)模FPGA器件片內(nèi)塊存儲(chǔ)器資源的測(cè)試中，通常包含輸入激勵(lì)模塊、待測(cè)模塊、時(shí)鐘模塊及輸出比較模塊等，如何保證在滿足高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)幕A(chǔ)上提升測(cè)試系統(tǒng)的時(shí)序收斂余量成為設(shè)計(jì)的重要挑戰(zhàn)。

    針對(duì)上述問題，設(shè)計(jì)提出了一種采用跨時(shí)鐘域并結(jié)合扁平化策略與流水線技術(shù)的FPGA器件片內(nèi)塊存儲(chǔ)器資源功能驗(yàn)證方法，通過合理地劃分塊存儲(chǔ)器資源測(cè)試模塊的時(shí)鐘域，利用FPGA器件中的數(shù)字時(shí)鐘管理單位（DCM）產(chǎn)生跨時(shí)鐘域的時(shí)鐘信號(hào)，并通過把輸入激勵(lì)模塊從待測(cè)模塊的高速時(shí)鐘域中獨(dú)立出來，從而使高速塊存儲(chǔ)器資源可以在高速下進(jìn)行功能測(cè)試驗(yàn)證，達(dá)到時(shí)序收斂的要求。該方法采用雙口讀寫存儲(chǔ)器（RAM）或者先進(jìn)先出存儲(chǔ)器（FIFO）來實(shí)現(xiàn)跨時(shí)鐘域的數(shù)據(jù)傳輸，利用扁平化策略及流水線技術(shù)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)比較模塊，并結(jié)合模塊復(fù)用技術(shù)達(dá)到針對(duì)FPGA器件塊存儲(chǔ)器資源功能測(cè)試靈活、高效的目的。在高速或者極限速度測(cè)試中，文中方法能夠盡量減少輸入激勵(lì)邏輯資源的對(duì)待測(cè)模塊的時(shí)序約束影響，提升測(cè)試系統(tǒng)的時(shí)序收斂余量，具有測(cè)試速度高、靈活性強(qiáng)等特點(diǎn)，應(yīng)用范圍廣泛。

1 硬件電路設(shè)計(jì)

    為了對(duì)FPGA器件片內(nèi)的塊存儲(chǔ)器資源進(jìn)行測(cè)試驗(yàn)證，基于FPGA器件中的已有邏輯資源設(shè)計(jì)硬件測(cè)試電路。FPGA器件單個(gè)塊存儲(chǔ)器資源功能驗(yàn)證方案如圖1所示，主要包含數(shù)據(jù)激勵(lì)模塊、跨時(shí)鐘域數(shù)據(jù)傳輸模塊、待測(cè)塊存儲(chǔ)器資源模塊、數(shù)據(jù)比較模塊、結(jié)果顯示模塊及時(shí)鐘管理單元。在該功能驗(yàn)證框架中，主要采用兩個(gè)時(shí)鐘域，分別為時(shí)鐘域1(CLK1)和時(shí)鐘域2(CLK2)。CLK1為低頻時(shí)鐘域，主要負(fù)責(zé)產(chǎn)生隨機(jī)數(shù)據(jù)和測(cè)試結(jié)果的顯示控制等工作。CLK2為高頻時(shí)鐘域，主要負(fù)責(zé)對(duì)待測(cè)塊存儲(chǔ)器資源進(jìn)行讀寫測(cè)試以及數(shù)據(jù)的比較等工作。

    數(shù)據(jù)激勵(lì)模塊采用PRBS23多項(xiàng)式產(chǎn)生偽隨機(jī)數(shù)據(jù)， 如式(1)所示。數(shù)據(jù)激勵(lì)模塊的硬件電路結(jié)構(gòu)如圖2所示，通過移位寄存器與異或門可以實(shí)現(xiàn)1個(gè)位寬的偽隨機(jī)數(shù)據(jù)產(chǎn)生。文中針對(duì)每個(gè)待測(cè)的BRAM資源設(shè)計(jì)36位位寬及512個(gè)存儲(chǔ)地址，因此設(shè)計(jì)的數(shù)據(jù)激勵(lì)模塊包含36個(gè)獨(dú)立移位寄存器和異或門，從而實(shí)現(xiàn)36位位寬數(shù)據(jù)的測(cè)試激勵(lì)產(chǎn)生。 

    跨時(shí)鐘域數(shù)據(jù)傳輸采用雙口RAM實(shí)現(xiàn)，通過兩個(gè)獨(dú)立的讀寫端口及握手機(jī)制保證了不同時(shí)鐘域數(shù)據(jù)的正常傳輸。設(shè)計(jì)的CLK1時(shí)鐘域?yàn)?00 MHz，CLK2時(shí)鐘域?yàn)?00 MHz，通過利用FPGA器件片內(nèi)部分BRAM資源對(duì)待測(cè)BRAM資源進(jìn)行測(cè)試，可以有效地保證待測(cè)BRAM的數(shù)據(jù)讀寫頻率為400 MHz，提升設(shè)計(jì)時(shí)序余量。

    在對(duì)待測(cè)BRAM資源進(jìn)行高速下的功能驗(yàn)證時(shí)，首先往待測(cè)BRAM資源寫入偽隨機(jī)數(shù)據(jù)，然后從待測(cè)BRAM資源里面讀取寫入的偽隨機(jī)數(shù)據(jù)，并且把其與寫入待測(cè)BRAM資源之前的偽隨機(jī)數(shù)據(jù)進(jìn)行比較，最后依據(jù)比較結(jié)果判定待測(cè)BRAM資源是否功能正常。雙口RAM及待測(cè)BRAM資源依據(jù)FPGA器件提供的配套開發(fā)工具自帶的知識(shí)產(chǎn)權(quán)(IP)核進(jìn)行配置。

    數(shù)據(jù)比較模塊由于處在高頻時(shí)鐘域CLK2中，因而需要進(jìn)行扁平化及流水線的設(shè)計(jì)以便在高速下能夠正常工作，其硬件實(shí)現(xiàn)結(jié)構(gòu)如圖3所示。采用四級(jí)流水線對(duì)從待測(cè)塊存儲(chǔ)器資源中讀取的數(shù)據(jù)(data_rd)和預(yù)期的正確數(shù)據(jù)(data_cmp)進(jìn)行數(shù)據(jù)比較，最后得到待測(cè)塊存儲(chǔ)器資源功能是否正確的標(biāo)志信號(hào)(cmp_result)。

    結(jié)果顯示模塊工作在低頻時(shí)鐘域CLK1，其通過控制7位數(shù)碼管進(jìn)行待測(cè)塊存儲(chǔ)器資源讀寫數(shù)據(jù)比較結(jié)果的顯示。若待測(cè)塊存儲(chǔ)器資源讀寫數(shù)據(jù)一致，則7位數(shù)碼管顯示“P”，若不一致，則顯示“F”。

    時(shí)鐘管理單元基于外部輸入的差分時(shí)鐘信號(hào)，分別產(chǎn)生低頻與高頻時(shí)鐘域。

    圖1所示的塊存儲(chǔ)器資源功能驗(yàn)證框架為針對(duì)1個(gè)BRAM資源的功能驗(yàn)證實(shí)現(xiàn)結(jié)構(gòu)，由于FPGA器件內(nèi)的BRAM資源眾多，如典型Xilinx的Virtex4系列的XC4-VSX55型FPGA器件具有320個(gè)BRAM資源，每個(gè)BRAM資源擁有18 Kb的存儲(chǔ)資源，因而需要設(shè)計(jì)針對(duì)多個(gè)BRAM資源的功能驗(yàn)證方案，其結(jié)構(gòu)框架如圖4所示。通過對(duì)單個(gè)塊存儲(chǔ)器資源功能驗(yàn)證模塊進(jìn)行復(fù)用，可以方便地移植到多個(gè)塊存儲(chǔ)器資源的功能測(cè)試中。圖4中所示方案采用資源復(fù)用的優(yōu)點(diǎn)是可以滿足高速(400 MHz及以上)BRAM資源的測(cè)試和驗(yàn)證需求，其不足是對(duì)硬件資源的消耗比較大。

2 功能仿真及驗(yàn)證

    采用Xilinx的Virtex4系列FPGA器件對(duì)設(shè)計(jì)的兩種塊存儲(chǔ)器資源功能驗(yàn)證電路進(jìn)行功能仿真及驗(yàn)證，塊存儲(chǔ)器資源功能驗(yàn)證頂層模塊接口信號(hào)如圖5所示，包含差分時(shí)鐘輸入信號(hào)(CLK_N和CLK_P)、復(fù)位信號(hào)(rst_n)、時(shí)鐘管理元輸出鎖定信號(hào)(LOCKED_OUT)及數(shù)碼管顯示信號(hào)(HEX_LED)。

    設(shè)計(jì)的兩種塊存儲(chǔ)器資源功能驗(yàn)證電路分別針對(duì)FPGA器件中的1個(gè)BRAM資源和24個(gè)BRAM資源進(jìn)行功能驗(yàn)證，采用Verilog硬件描述語言對(duì)上述兩種不同待測(cè)塊存儲(chǔ)器資源數(shù)量的硬件電路進(jìn)行設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)，并基于ISE 14.7及Modelsim SE 10.2c對(duì)設(shè)計(jì)電路進(jìn)行了綜合、布局布線及仿真。塊存儲(chǔ)器資源功能仿真結(jié)果如圖6所示，從圖中可以看出設(shè)計(jì)的硬件電路達(dá)到了預(yù)期對(duì)待測(cè)BRAM資源進(jìn)行功能驗(yàn)證的目的。

    文中設(shè)計(jì)的針對(duì)塊存儲(chǔ)器資源功能驗(yàn)證的兩種不同硬件電路采用基于Xilinx的FPGA器件硬件驗(yàn)證測(cè)試板進(jìn)行測(cè)試驗(yàn)證，如圖7所示。該測(cè)試板包含F(xiàn)PGA器件、開關(guān)按鈕、撥碼開關(guān)、數(shù)碼管、晶振、LED燈、JTAG接口、串口及SMA接口等電子元器件，采用數(shù)碼管對(duì)塊存儲(chǔ)器資源的功能驗(yàn)證結(jié)果進(jìn)行顯示，時(shí)鐘管理元輸出鎖定信號(hào)采用LED燈顯示，復(fù)位信號(hào)采用開關(guān)按鈕輸入，差分輸入時(shí)鐘信號(hào)采用板上晶振或者外部差分輸入信號(hào)輸入。基于硬件驗(yàn)證測(cè)試板的塊存儲(chǔ)器資源功能驗(yàn)證結(jié)果表明文中提出的塊存儲(chǔ)器資源功能驗(yàn)證硬件電路能夠滿足400 MHz速度下塊存儲(chǔ)器資源的讀寫數(shù)據(jù)需求，在該速度下針對(duì)1個(gè)BRAM資源和24個(gè)BRAM資源的測(cè)試結(jié)果全部通過。

3 綜合結(jié)果及性能分析

    針對(duì)不同塊存儲(chǔ)器資源數(shù)量功能驗(yàn)證的硬件電路綜合結(jié)果如表1所示，從表中可以看出在對(duì)BRAM資源時(shí)序約束為400 MHz的條件下，驗(yàn)證1個(gè)BRAM資源(硬件電路1)和驗(yàn)證24個(gè)BRAM資源(硬件電路2)分別消耗了1%和100%的Slices資源、分別消耗了1%和15%的片內(nèi)BRAM資源，在驗(yàn)證24個(gè)BRAM資源的硬件電路中，各項(xiàng)資源消耗迅速增加，這是由于文中的硬件電路采用了全并行和全流水線結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，可滿足高端FPGA器件高速片內(nèi)BRAM資源的測(cè)試驗(yàn)證要求。

    為了測(cè)試文中提出的塊存儲(chǔ)器資源功能驗(yàn)證硬件電路所能夠達(dá)到的極限工作速度，基于圖7所示的硬件驗(yàn)證測(cè)試板，通過SMA接口采用外部輸入差分時(shí)鐘信號(hào)的方式對(duì)24個(gè)待測(cè)BRAM資源的硬件電路(硬件電路2)進(jìn)行了不同工作速度下的讀寫數(shù)據(jù)測(cè)試，測(cè)試結(jié)果如表2所示。從表中可以發(fā)現(xiàn)文中提出的塊存儲(chǔ)器資源功能驗(yàn)證硬件電路最高能夠達(dá)到640 MHz的BRAM資源讀寫速度測(cè)試需求，具備靈活、可復(fù)用及高速等特點(diǎn)。

4 結(jié)論

    塊存儲(chǔ)器資源是FPGA器件中重要且豐富的資源，基于FPGA的塊存儲(chǔ)器資源功能驗(yàn)證硬件電路在高端FPGA器件中BRAM資源的測(cè)試驗(yàn)證中具有廣泛的應(yīng)用。結(jié)合扁平化設(shè)計(jì)策略及流水線設(shè)計(jì)技術(shù)，設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了一種靈活、可復(fù)用以及可適應(yīng)高速BRAM資源測(cè)試的塊存儲(chǔ)器資源功能驗(yàn)證硬件電路，該硬件電路通過實(shí)際測(cè)試可滿足最高640 MHz的BRAM資源測(cè)試驗(yàn)證需求，能夠方便地適應(yīng)于高端FPGA器件內(nèi)部BRAM資源的功能驗(yàn)證及性能測(cè)試中，應(yīng)用前景廣泛。

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作者信息:

羅  軍，范劍峰，呂宏峰，王小強(qiáng)，羅宏偉

（工業(yè)和信息化部電子第五研究所，廣東 廣州510610）