為滿足在產(chǎn)量、可靠度及性能方面等要求，先進(jìn)制程對(duì)特用化學(xué)及新材料需求大增，對(duì)此，英特格(Entegris)副技術(shù)長(zhǎng)Montray表示，象是在薄膜沉積(Deposition)、過濾器(Filter)和運(yùn)送晶圓的晶圓傳送盒(Front Opening Unified Pod, FOUP)設(shè)計(jì)、要求都有所改變，促使半導(dǎo)體材料商的開發(fā)挑戰(zhàn)也日漸增加。

　　Montray指出，過往28納米以上的制程，在進(jìn)行薄膜沉積時(shí)，多使用液體化學(xué)材料；然而，隨著制程走到10納米以下(如7、5、3納米)，不僅所使用的材料越來越稀有，也從原本的液體化學(xué)材料轉(zhuǎn)變成固體化學(xué)材料。也因此，對(duì)于材料商而言，要如何將固體化學(xué)材料氣化，并且在芯片上呈現(xiàn)均勻的薄膜層，而不是厚薄不平均導(dǎo)致晶圓良率降低，是一大挑戰(zhàn)。

　　另一方面，10納米以下的先進(jìn)制程對(duì)于雜質(zhì)過濾的要求也越來越高，晶圓廠必須導(dǎo)入效能更強(qiáng)的過濾、凈化產(chǎn)品，才能確保半導(dǎo)體晶圓不受污染，提升生產(chǎn)良率，也因此，過濾器的純凈度勢(shì)必得再度提升。

　　Montray說明，從28納米走到7納米，產(chǎn)品的金屬雜質(zhì)要求須下降100倍，污染粒子的體積也必須要縮小4倍，而隨著制程走到10納米以下，對(duì)于潔凈度要求只會(huì)愈來愈嚴(yán)格，例如28納米晶圓可能可以有10個(gè)污染粒子，但7納米晶圓上只能有1個(gè)。也就是說，為因應(yīng)先進(jìn)制程，過濾器必須更干凈，這也意味著材料商必須花費(fèi)更多的時(shí)間設(shè)計(jì)產(chǎn)品，確保更高的潔凈度。

　　除此之外，晶圓運(yùn)送盒也因先進(jìn)制程而產(chǎn)生新的需求。Montray解釋，當(dāng)晶圓擺放至晶圓運(yùn)送盒當(dāng)中時(shí)，不代表馬上就會(huì)運(yùn)送，可能會(huì)經(jīng)過一段時(shí)間待所有準(zhǔn)備就緒后才開始運(yùn)送(約2~3小時(shí))。也因此，在這段期間內(nèi)，要如何確保盒內(nèi)環(huán)境對(duì)晶圓不會(huì)有所影響，便是研發(fā)晶圓運(yùn)送盒時(shí)須考量的關(guān)鍵。

　　Montray指出，特別是采用先進(jìn)制程的晶圓，其薄膜層非常薄，對(duì)氧氣十分敏感，很容易被氧化，也因此，晶圓運(yùn)送盒的設(shè)計(jì)重點(diǎn)便在于如何實(shí)現(xiàn)更嚴(yán)格的「污染控制」，也就是要有更緊密的密合度、更高的排氣、充氣效果，使晶圓在運(yùn)送過程中不至于產(chǎn)生損壞。

　　總而言之，半導(dǎo)體持續(xù)朝向先進(jìn)制程發(fā)展，連帶使得新材料開發(fā)的挑戰(zhàn)逐漸增加，也因此，英特格不斷提升其技術(shù)能力與業(yè)務(wù)版圖，象是在臺(tái)灣技術(shù)中心引進(jìn)KLA SP3晶圓檢測(cè)系統(tǒng)，讓該公司在臺(tái)灣的晶圓檢測(cè)能力擴(kuò)展至19納米，得以自行產(chǎn)出晶圓缺陷的數(shù)據(jù)，以引導(dǎo)新產(chǎn)品開發(fā)及改善產(chǎn)品性能。