《電子技術(shù)應(yīng)用》
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一文看懂SiC材料特性、功率器件、產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)及國內(nèi)外市場規(guī)模

2018-09-27
關(guān)鍵詞: SiC 半導(dǎo)體 信息技術(shù)

  21世紀(jì),是信息技術(shù)大爆發(fā)的時代,在信息技術(shù)快速發(fā)展過程中,必然離不開半導(dǎo)體材料的迅猛發(fā)展。半導(dǎo)體材料、器件的發(fā)展必將引發(fā)一場全新的產(chǎn)業(yè)技術(shù)革命。

  以SiC、GaN為代表的第三代半導(dǎo)體材料在短波長激光器、白光發(fā)光管、高頻大功率器件等方面有廣闊的應(yīng)用,是目前半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)發(fā)展的一個熱門方向。

  SiC功率器件不僅能夠在直流、交流輸電,不間斷電源,工業(yè)電機(jī)等傳統(tǒng)工業(yè)領(lǐng)域廣泛應(yīng)用,而且在新能源汽車、太陽能光伏、風(fēng)力發(fā)電等領(lǐng)域具有廣闊的潛在市場。

  1°姐將陸續(xù)為大家解剖SiC材料的基本特性以及其主要的應(yīng)用領(lǐng)域和市場概況。大家還想了解第三代半導(dǎo)體的哪些細(xì)分領(lǐng)域,歡迎在文后留言,1°姐將殫精竭慮的為大家搜集相關(guān)內(nèi)容!

  閑言少敘,直奔本期主題——SiC材料大解剖!

  一、SiC材料與應(yīng)用領(lǐng)域

  1、SiC材料簡介

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  2、SiC材料性能

  與第一代半導(dǎo)體材料Si和第二代半導(dǎo)體材料GaAs相比,SiC具有更優(yōu)良的物理和化學(xué)性質(zhì),這些性質(zhì)包括高熱導(dǎo)率、高硬度、耐化學(xué)腐蝕、耐高溫、對光波透明等。

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  3、SiC材料應(yīng)用

  以SiC為代表的寬禁帶半導(dǎo)體功率器件是目前在電力電子領(lǐng)域發(fā)展最快的功率半導(dǎo)體器件之一。

  SiC材料優(yōu)異的熱學(xué)特性和抗輻照特性也使其成為制備紫外光電探測器的首選材料之一。

  此外,SiC基傳感器能夠彌補(bǔ)Si基傳感器在高溫、高壓等惡劣環(huán)境下的性能缺陷,從而擁有更廣闊的適用空間。

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  二、SiC功率器件與優(yōu)勢

  SiC功率器件可使電力電子系統(tǒng)的功率、溫度、頻率、抗輻射能力、效率和可靠性倍增,帶來體積、重量以及成本的大幅減低。

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  三、SiC功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈

  按照從材料至最終應(yīng)用的劃分,SiC功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈主要包括襯底、外延、器件與模塊、應(yīng)用等產(chǎn)業(yè)環(huán)節(jié)。

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  1、襯底制備

  目前商用SiC單晶生長基本上采用升華法,該方法具有合適的生長速度,有利于規(guī)?;a(chǎn)。

  2、外延生長

  經(jīng)過多年發(fā)展,化學(xué)氣相沉積(CVD)生長已成為SiC外延生長的主要方法。

  3、器件與模塊

  由于SiC材料具有耐腐蝕、高硬度和易碎性等特點(diǎn),所以其加工工藝難度比普通的Si和GaAs等半導(dǎo)體材料更高。

  SiC電力電子器件主要包括功率二極管和三極管(晶體管、開關(guān)管)。

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  4、產(chǎn)品應(yīng)用

  SiC功率器件應(yīng)用領(lǐng)域可以按電壓劃分:

  低壓應(yīng)用(600 V至1.2kV):高端消費(fèi)領(lǐng)域(如游戲控制臺、等離子和液晶電視等)、商業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域(如筆記本電腦、固態(tài)照明、電子鎮(zhèn)流器等)以及其他領(lǐng)域(如醫(yī)療、電信、國防等)

  中壓應(yīng)用(1.2kV至1.7kV):電動汽車/混合電動汽車(EV/HEV)、太陽能光伏逆變器、不間斷電源(UPS)以及工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(交流驅(qū)動AC Drive)等。

  高壓應(yīng)用(2.5kV、3.3kV、4.5kV和6.5kV以上):風(fēng)力發(fā)電、機(jī)車牽引、高壓/特高壓輸變電等。

  四、全球重點(diǎn)企業(yè)

  目前全球有超過30家公司在電力電子領(lǐng)域擁有對SiC、GaN相關(guān)產(chǎn)品的生產(chǎn)、設(shè)計、制造與銷售能力,并正在進(jìn)行相關(guān)的SiC、GaN的技術(shù)研發(fā)。

  五、市場狀況

  1、國際市場狀況與預(yù)期

  法國行業(yè)研究公司Yole最新報告數(shù)據(jù)顯示:2021年,用于功率器件的SiC襯底市場規(guī)模將超過3億美元,外延的市場規(guī)模有望突破1億美元。

  功率器件(包括SiC二極管、晶體管和模塊在內(nèi))市場規(guī)模,將從2015年的2億美元上漲到2021年5.5億美元,2015~2021年的復(fù)合年增長率(CAGR)達(dá)到19%。

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  2、國內(nèi)市場狀況與預(yù)期

  根據(jù)CSA Research預(yù)測,到2020年,我國SiC與GaN功率器件產(chǎn)業(yè)整體市場規(guī)模約為226億元,其中SiC市場規(guī)模85億元。2015~2020年,我國SiC電力電子器件復(fù)合增長率將超過40%。

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  據(jù)材料深一度預(yù)測,至2020年,我國SiC電力電子應(yīng)用市場規(guī)模(包括襯底、外延、器件在內(nèi))將達(dá)到47.5億元。

  開關(guān)電源領(lǐng)域SiC市場價值約為6億元。

  新能源并網(wǎng)中光伏發(fā)電領(lǐng)域匯流管和風(fēng)電變槳輔助電源用SiC材料整體市場規(guī)模將達(dá)1.09億元213萬元。

  軌道交通領(lǐng)域應(yīng)用整體市場價值達(dá)4467萬元。

  交流電機(jī)領(lǐng)域的SiC市場規(guī)模達(dá)33億元。

  UPS應(yīng)用SiC材料的市場價值將達(dá)1.86億元

  新能源汽車中應(yīng)用SiC材料的市場價值將達(dá)5.1億元。

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  六、小結(jié)

  由于能源和環(huán)境問題日益凸顯,節(jié)能環(huán)保和低碳發(fā)展逐漸成為全球共識。降低能耗、提高能源使用效率是當(dāng)今世界各國節(jié)能減排的重大舉措。

  以SiC為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料及功率器件被公認(rèn)將成為電子電力應(yīng)用的一次革命,受到世界各國政府與產(chǎn)業(yè)界的廣泛關(guān)注和高度重視,將成為增長潛力巨大的戰(zhàn)略性產(chǎn)業(yè)。


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