2018年7月18日，英特爾（Intel）公司成立50周年。
從1968年至2018年，從4004到8080到奔騰系列，從單核到雙核再到多核，從10微米到1微米到0.1微米再到10納米，英特爾對于微處理器的探索一直孜孜不倦，50年來從沒停止過。
1968 年 7 月 18 日，因為不滿仙童半導體（Fairchild Semiconductor）的現(xiàn)狀，羅伯特·諾伊斯（Robert Noyce）和戈登·摩爾（Gordon Moore）選擇了離職，并創(chuàng)辦諾伊斯-摩爾電子公司（NM Electronic），隨后公司支付了15000美元從Intelco公司買下“Intel”名字的使用權，并更名為英特爾公司。
50年來，有過歡樂，也有過淚水， 有過曾經(jīng)的彷徨，更有過信心滿懷。從1985年的斷臂轉型到錯失智能手機市場再到今天對智能駕駛的豪賭，英特爾始終一“芯”。
可是就在2018年，就在50周年大喜日子前夕。英特爾迎來了多事之秋，讓人嘆息。
2017年全球最大半導體公司的王冠，被三星電子搶走了，要知道，這王冠從1992年開始就一直帶在英特爾頭上。
屋漏偏逢連夜雨，不順心的事是一樁連一樁。年初的CPU設計缺陷，導致安全漏洞；6月的首席執(zhí)行官性丑聞事件，導致群龍無首；10納米工藝遲遲無法突破，工藝制程延宕。
公司50周年紀念日，估計是啥味道都有，酸甜苦辣咸！
沒人主持英特爾50歲大慶
2018年6月21日，英特爾宣布，首席執(zhí)行官布萊恩·科贊奇（Brian Krzanich）與公司前雇員有“consensual relationship”，違反了公司相關準則，董事會已經(jīng)接受其辭職。
按說少了一個首席執(zhí)行官，沒啥大不了；可是現(xiàn)在英特爾是首席執(zhí)行官和總裁都空缺。
2016年1月，時任總裁詹睿妮（Renée J. James）宣布辭職。公司一直沒有宣布新總裁的人選。
MY GOD！50歲的英特爾，盡然出現(xiàn)這種事情！沒有一個掌舵人了！
50周年大慶誰來主持？
董事會這下急眼了！逮個人頂著再說。
于是進入公司不到兩年的執(zhí)行副總裁兼首席財務官Robert (Bob) H. Swan被趕鴨子上架，擔任臨時首席執(zhí)行官（Interim CEO ）。不過這個仁兄說了，無意正式接任CEO一職，不愿意被列入候選名單之中。
新首席執(zhí)行官源自內部
按照英特爾的慣例，首席執(zhí)行官退位，直接任命總裁為首席執(zhí)行官就好了。50年，英特爾都是這么干的。
50年來，英特爾歷史上有過6位正式首席執(zhí)行官，他們分別是羅伯特·諾伊斯、戈登·摩爾、安迪·葛洛夫（Andrew Grove）、克瑞格·貝瑞特（Craig R. Barrett）、保羅·歐德寧（Paul S. Otellinii）和布萊恩·科贊奇。
除了羅伯特·諾伊斯外，包括聯(lián)合創(chuàng)始人戈登·摩爾、安迪·葛洛夫、克瑞格·貝瑞特、保羅·歐德寧四位都是從總裁位置上被任命為首席執(zhí)行官的，而且安迪·葛洛夫、克瑞格·貝瑞特、保羅·歐德寧在擔任總裁前都擔任過首席運營官。而布萊恩·科贊奇在被任命為首席執(zhí)行官前是執(zhí)行副總裁兼首席運營官。
從這6位首席執(zhí)行官的履歷中可以看出，羅伯特·諾伊斯和戈登·摩爾是公司的聯(lián)合創(chuàng)始人，安迪·葛洛夫是公司第3號員工，而克瑞格·貝瑞特、保羅·歐德寧和布萊恩·科贊奇都是從畢業(yè)后就在英特爾工作的，一直沒有換過公司。
也就是說，英特爾的首席執(zhí)行官都是從內部挑選提拔的。
前5任首席執(zhí)行官都會兼任一段時間的總裁，然后在退休前將總裁的位置交給公司董事會要著力培養(yǎng)的人，一般兩年左右，總裁就會繼任首席執(zhí)行官。
45年來沒有變化。
布萊恩·科贊奇是個例外，在2013年5月2日，他當選了首席執(zhí)行官。可總裁位置卻交給了詹睿妮（Renée J. James）。
我們來看看英特爾6位首席執(zhí)行官當選時的年齡，羅伯特·諾伊斯46歲、戈登·摩爾51歲、安迪·葛洛夫56歲、克瑞格·貝瑞特59歲、保羅·歐德寧55歲和布萊恩·科贊奇53歲。除了羅伯特·諾伊斯外，其他都是50多歲當選。
也許董事會認為詹睿妮當時還年輕，畢竟2013年時小詹才49位，畢竟在當年三選一或二選一情況下，也許董事會認為讓小詹多熬幾年資歷更好。
可誰知，小詹不干了，在當了2年總裁后，于2015年7月提出辭職，想出去當個首席執(zhí)行官。于是在2016年1月正式離職，英特爾的總裁位置也一直空缺至今。
第七任首席執(zhí)行官來自何方
好了，首席執(zhí)行官位置空缺，原本提拔總裁就好，現(xiàn)在總裁位置也是空缺，無法提拔。
于是董事會緊急行動，組成了首席執(zhí)行官遴選委員會。外界也為遴選委員會開出了一長串的候選人名單：
蕾妮·詹姆斯（Renee James）55歲，前英特爾總裁，現(xiàn)在負責芯片初創(chuàng)公司Ampere Computing；
斯塔西·史密斯（Stacy Smith），前英特爾首席財務官；
柏安娜（Diane Bryant），前英特爾高級副總裁；
施浩德（Kirk Skaugen），前英特爾公司全球副總裁兼PC客戶端事業(yè)部總經(jīng)理；
阿南德·錢德拉塞卡爾（Anand Chandrasekher），前英特爾高級副總裁兼便攜集團總經(jīng)理；現(xiàn)就職高通
孫納頤（(Navin Shenoy），1995年加入，45歲，現(xiàn)英特爾執(zhí)行副總裁兼數(shù)據(jù)中心事業(yè)部總經(jīng)理；
文卡塔·倫杜琴塔拉（Venkata Murthy Renduchintala），現(xiàn)英特爾技術、系統(tǒng)架構與客戶集團總裁兼首席工程官，2016年從高通引進
拉賈·克杜里（Raja Koduri），核心和可視計算集團高級副總裁，2017年從AMD引進；
桑杰·賈（Sanjay Jha），前格芯首席執(zhí)行官；
當然，還有很多。
究竟選誰當首席執(zhí)行官，遴選委員會自有其考量。
不過9月初，據(jù)彭博社援引知情人士消息稱，英特爾已經(jīng)開始縮小CEO候選范圍，有可能會首次引進一位公司外的人才。
新任首席執(zhí)行官會讓窘境之中英特爾找到新路還是繼續(xù)沉淪，將很快見到結果。
期待新任首席執(zhí)行官揭曉吧！
10納米工藝遲遲無法突破
2017年9月，英特爾北京“精尖制造日”活動云集了英特爾制程、制造方面最權威的專家團，閉關修煉的英特爾終于秀出了它的10納米工藝。并笑稱：“老虎不發(fā)威，你當我是病貓？”
在“精尖制造日”中，英特爾高級院士、技術與制造事業(yè)部制程架構與集成總監(jiān)Mark Bohr展示了英特爾的制程工藝時間圖。他說，英特爾是首家做到22納米FinFET的公司，比競爭友商至少領先三年。
可中國古話說得好：好漢不提當年勇，智者莫念昔日功。22納米之后的半導體江湖可謂是腥風血雨。
2014年英特爾推出了14納米工藝，隨后臺積電量產(chǎn)16納米工藝，三星量產(chǎn)14納米工藝，2015年下半年發(fā)布的蘋果A9處理器就分別采用了三星的14納米工藝和臺積電的16納米工藝。2016年，臺積電和三星又相繼推出了自己的10納米工藝，比英特爾的10納米工藝早了將近一年的時間。
如果按照之前的Tick-Tock戰(zhàn)略進行，英特爾應該在2015年底就量產(chǎn)10納米工藝了，只不過這些都是奢望了。
英特爾的10納米工藝是“只聞樓梯響，不見人下來”。工藝一再延期，目前官方說法是2019年底開始量產(chǎn)，不過真正大規(guī)模量產(chǎn)桌面及服務器處理器要到2020年了。
臺積電不光10納米量產(chǎn)，就連7納米工藝在2018年已經(jīng)開始量產(chǎn)移動芯片，包括蘋果A12及華為海思麒麟980處理器，當然AMD的CPU及GPU芯片使用的是臺積電的7納米HPC高性能工藝，2019年應該才大規(guī)模量產(chǎn)。
Rosenblatt Securities的分析師Hans Mosesmann在8月份的報告中表示，英特爾在半導體工藝上的瓶頸不只是10納米延期，而且需要許多時間來解決這個問題，因此造成英特爾的工藝劣勢將持續(xù)5年、6年甚至7年。對英特爾工藝落后持悲觀看法的不止他一個，Raymond James的分析師Chris Caso的報告稱，英特爾最大的戰(zhàn)略問題就是他們的10納米工藝延期，我們預計未來兩年內英特爾都不會推出10納米服務器芯片。10納米制程延后的問題，也為競爭對手打開了一扇窗，而且這扇窗可能永遠都不會關上 。
盡管英特爾在制程工藝上落后對手是近十年來罕見的，10納米工藝的延期確實給英特爾制造了很多麻煩，也讓很多分析師不看好。因為AMD已經(jīng)憑借臺積電的尖端工藝開始摧城拔寨了。
英特爾何時再發(fā)虎威
而在更新一代半導體工藝上，臺積電及三星已經(jīng)規(guī)劃了5納米以及3納米工藝，其中臺積電的5納米工藝投資計劃超過250億美元，預計2019年試產(chǎn)，2020年量產(chǎn)；3納米工藝計劃投資約為200億美元，2020年開始建廠，2021年完成設備安裝，預計2022年底到2023年初量產(chǎn)。
三星在2018Samsung Foundry Forum會議上宣布，已經(jīng)準備好了7nm LPP 工藝，2018年下半年生產(chǎn)，并稱7納米工藝是全球首次使用先進的 EUV光刻解決方案。并公布了5納米、4納米和3納米制程的計劃。其中，5納米/4納米工藝仍會使用現(xiàn)有的FinFET制造技術，3納米工藝采用GAA納米技術，對于投產(chǎn)時間，三星表示，2019年5納米，2020年4納米，2021 年3納米。
在2017“精尖制造日”中，英特爾高級院士、技術與制造事業(yè)部制程架構與集成總監(jiān)Mark Bohr介紹了英特爾10納米制程工藝的最新細節(jié)，展現(xiàn)了英特爾的技術領先性。提升密度、提高性能、降低能耗、降低成本，是英特爾致力的目標。
Mark Bohr介紹了14納米超微縮相對于22納米超微縮的領先性，同時也介紹了10納米相對于14nm超微縮的技術差異。他說，從22納米到14納米再到10納米，第三代FinFET晶體管有了極大的突破。從14納米到10納米，晶體管密度提升非常可觀，14納米工藝中每平方毫米晶體管數(shù)量不到4000萬個，而10納米工藝中每平方毫米晶體管數(shù)量超過1億個。10納米鰭片的高度較14納米提高25%，間距縮小25%，超強的微縮能力和全新特性將晶體管密度提升了2.7倍。
Mark Bohr還表示，7納米技術在全速開發(fā)過程中，英特爾將繼續(xù)打造高密度晶體管技術，并進一步提高每瓦的性能。在5納米，正在共同探索不同的晶體管技術的可選方案，包括產(chǎn)品的方案，最近我們也得出了一些初步結論。究竟在5納米技術上我們希望涵概哪些核心功能。我堅信摩爾定律將繼續(xù)推進晶體管技術的發(fā)展，將繼續(xù)降低單位成本，而且可以提高每瓦性能。
鈷替代銅、鎢，英特爾致用秘籍
畢竟英特爾每年研發(fā)投入100多億美元，絕對不是隨便玩的。肯定是要拿出一些新技術玩意的。
隨著半導體制造朝著10納米以下發(fā)展，原本以銅作為導線材料已經(jīng)暴露導電速率不足的問題，讓制程在10納米、7 納米蘠上遇到瓶頸。因此新材料的應用將是突破半導體制程的關鍵。
而用鈷替代銅，絕對是英特爾10納米的賣點。
2017年12月份在舊金山舉辦的IEEE IEDM會議上，英特爾公司闡述了將鈷金屬應用于10納米芯片最細連接線的設想，英特爾詳細介紹了用鈷代替鎢制成的電接觸材料設備的性能。
應用材料公司的Kevin Moraes表示，雖然金銅的電阻率比鋁、鎢甚至是鈷都要低。但是銅在更小尺度上很容易受到電遷移的影響。當電子加速穿過超薄線路時，它們會將原子驅趕到金屬中，就像是一位急匆匆的行人將另外一個人推到人行道外面一樣。為了保護銅互連，需要在纖細的線路中鑲嵌其他材料，如氮化鉭甚至是鈷。
作為全球最大的半導體設備龍頭，應用材料每年投入的研發(fā)費用也十分可觀，其2017財年的研發(fā)經(jīng)費接近18億美元，占總營收的12%強。應用材料也是最早投入以鈷代替銅、鎢做為導線材料的設備廠商之一。據(jù)悉，應用材料已經(jīng)有一系列設備可以對應鈷材料，包括ENDURA平臺上物理氣相沉積PVD、原子層沉積ALD、化學氣相沉積CVD。ENDURA平臺推出20年來，已經(jīng)有超過100個客戶使用超過4500臺ENDURA平臺。當然應用材料不只ENDURA平臺，在PHRODUCER平臺上的退火設備、PROVISION平臺上的電子束檢測、以及REFLEXION LK PRIME CMP平臺的上的平坦化設備翥可以滿足鈷互連工藝。這一整套整合鈷金屬解決是針對10納米/7納米以下制程的，可以滿足加速芯片效能，縮短芯片上市時間的需求。
相比于銅來說，鈷的電阻率很高，是其3倍，但電遷移的可能性要小得多。為了保證晶體管之間以及晶體管內部的短程連接，晶圓制造商開始利用鈷作為金屬層材料。在2017年的IEDM大會上，英特爾的報告中指出，在10納米加工技術的兩層超薄布線層中使用鈷互聯(lián)，電遷移減少了1/10至1/5，電阻率是原來的一半。改善后的互連線路將有助于半導體行業(yè)克服線路問題，進一步縮小晶體管尺寸。
英特爾公司是第一個將芯片中的銅換成鈷的公司。在工藝改進過程中，英特爾公司曾經(jīng)將與晶體管柵極接觸的鎢金屬層替換成鈷金屬層。之前選擇用鎢是因為鎢有彈性且不會有電遷移問題。但是鎢的電阻率很高。
VLSI Research的首席執(zhí)行官Dan Hutcheson說：“最大的問題是在哪里植入新技術。如果你過早應用，就會產(chǎn)生很多成本。英特爾愿意為此付出高價，并且他們有能力調試新的材料。”
做為第一個吃螃蟹的人，英特爾在用鈷替代銅、鎢做導線時，已經(jīng)做好了準備。一旦在互連材料的替代上取得先機，將銳不可擋。
畢竟臺積電和三星在未來也會碰到英特爾一樣的難題。
就算鈷替代銅和鎢可以避免，也還會碰到其他難題。畢竟半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展到今天，面臨了近20年來的最重要的材料變革，技術推動已經(jīng)假手換人，摩爾定律推進的難度大增。
畢竟半導體技術的進步來不得半點虛假。在后摩爾時代，晶體管架構的改變、EUV光刻機的出現(xiàn)、封裝技術越來越受重視、新材料的出現(xiàn)，都將延續(xù)該定律的經(jīng)濟效應。
未來鹿死誰手，讓我們拭目以待吧！