DRAM大廠南亞科今昨日公布第3季財報，展望后市，南亞科總經(jīng)理李培瑛不諱言，第4季DRAM需求相對前半年保守，預(yù)期單季平均銷售單價可能下滑5%左右，PC需求為目前唯一表現(xiàn)趨緩的應(yīng)用，且由于第3季DRAM供應(yīng)商增加投片量，南亞科已下修今年資本支出逾1成，明年仍得視國際局勢變化，預(yù)期價格將在合理范圍內(nèi)緩跌。
展望第4 季，李培瑛表示，受到美中貿(mào)易戰(zhàn)與CPU 短缺影響，第4 季DRAM 需求相對前半年保守，目前現(xiàn)貨市場已走跌，預(yù)期第4 季平均銷售單價可能微幅下滑、約在5 % 上下，惟貿(mào)易戰(zhàn)規(guī)模與延續(xù)時程尚未確定，DRAM 市場長期走勢仍須密切觀察。
不過，李培瑛強調(diào)，南亞科致力使產(chǎn)品組合多元化，這是最關(guān)鍵的執(zhí)行方針，將努力維持毛利率跟營益率，且若能將產(chǎn)品線最佳化，就有機會維持相對較高的平均售價。
從各應(yīng)用別需求來看，李培瑛指出，目前手機與伺服器市場健康，手機部分，雙鏡頭已成主流，后續(xù)以多鏡頭為主，手機產(chǎn)品差異化主要倚賴記憶體規(guī)格升級，目前Android 旗艦機種主流記憶體容量為6GB-8GB，蘋果OLED 新機種則導(dǎo)入4GB。
伺服器部分，李培瑛表示，伺服器記憶體為所有市場區(qū)塊中，成長力道最大的，云端服務(wù)與各產(chǎn)業(yè)對伺服器需求持續(xù)發(fā)酵，中國伺服器需求年增23%，北美四大資料中心需求穩(wěn)定成長，全球伺服器年增率約11%，平均記憶體容量持續(xù)增加，預(yù)期伺服器用記憶體總需求年增超過3 成。
南亞科8Gb DDR4 伺服器產(chǎn)品近期已獲美系資料中心大廠驗證通過，第4 季將推出LPDDR4/4X 產(chǎn)品線并小量出貨，李培瑛表示，南亞科今年又再度取得驗證，重回伺服器市場，盼能在伺服器市場持續(xù)推進。
消費型電子產(chǎn)品部分，李培瑛指出，電視與機上盒、智慧音箱與SSD 仍為重點市場區(qū)塊，新一代智慧手表提供心電圖功能，預(yù)期將帶動未來穿戴裝置的成長，應(yīng)用持續(xù)增加中，表現(xiàn)也不差。
至于PC 則是唯一表現(xiàn)趨緩的，李培瑛表示，PC DRAM 有些供過于求的情況，除受到CPU 缺貨影響外，現(xiàn)貨市場也受到次級品流竄影響需求，預(yù)期短期內(nèi)有跌價壓力。
供給方面，由于第3 季DRAM 供應(yīng)商增加投片量，將逐步影響第4 季至明年第1 季的市場供給。李培瑛表示，第4 季起南亞科將延緩產(chǎn)能擴充與資本支出，南亞科已下修今年資本支出，由原先的近240 億元下調(diào)至210 億元，調(diào)幅逾1 成，減緩整體擴產(chǎn)幅度，投片則視產(chǎn)品組合。
展望明年，李培瑛認為，整個DRAM 發(fā)展對全球產(chǎn)品智慧化是相當(dāng)關(guān)鍵的零組件，若以市場智慧化需求來看，對DRAM 需求并沒有看未太悲觀，主要仍得觀察國際局勢變化與季節(jié)性因素；而由于供應(yīng)商新產(chǎn)能擴充較理性，預(yù)期明年不會有急遽或劇烈的價格波動問題，將在合理的范圍內(nèi)出現(xiàn)價格緩跌情況，但會緩跌一季或兩季，目前仍看不出來。
李培瑛表示，明年DRAM需求仍不悲觀，供應(yīng)商端也理性控制產(chǎn)出，不認為明年在報價上會有劇烈的波動，中美貿(mào)易戰(zhàn)之國際局勢將是影響市場的最大關(guān)鍵因素。
李培瑛分析，全球電子產(chǎn)品走向智慧化，記憶體是最關(guān)鍵的零組件，需求面沒有太悲觀。供給方面，DRAM供應(yīng)商現(xiàn)在變得比較理性。預(yù)期明年雖有季節(jié)性變化，尚不會有急遽跌價的問題，明年DRAM價格預(yù)計出現(xiàn)合理的調(diào)整，估計會持續(xù)緩跌一季或者二季。
南亞科總經(jīng)理李培瑛指出，受到美中貿(mào)易關(guān)數(shù)以及處理器缺短影響，第4季DRAM需求相對今年上半年保守，且貿(mào)易戰(zhàn)規(guī)模以及延續(xù)的時間有多長，需要密切觀察。
李培瑛說，明年市場關(guān)鍵在國際局勢，貿(mào)易戰(zhàn)是未知數(shù)，尤其在關(guān)稅部分，在中國大陸的組裝廠客戶會直接或間接受到影響，需采取一些因應(yīng)對策，但要將組裝產(chǎn)線移到其他國家則需要一點時間。
IC Insights：DRAM 產(chǎn)能過剩警報響起，中國廠商帶來變數(shù)
在早前，IC insights也發(fā)出了同樣的警告。
IC Insights在本月初發(fā)布的《The McClean Report》9月更新指出，從歷史的角度來看，DRAM平均售價與市場成長將很快趨于下行，供應(yīng)商應(yīng)謹慎因應(yīng)，并隨時準(zhǔn)備調(diào)整資本支出擴張計劃。
IC Insights 最新《The McClean Report》9 月更新顯示，在過去兩年中，DRAM 制造商一直在以接近滿載狀態(tài)運行記憶體晶圓廠，這導(dǎo)致DRAM 價格穩(wěn)步上升，并為供應(yīng)商帶來可觀的利潤。
IC Insights指出DRAM產(chǎn)業(yè)去年資本支出跳增81%，今年持續(xù)攀升40%，在此狀況下，預(yù)料未來供給將淹沒市場，為價格趨緩的先期指標(biāo)之一。
不過與以往不稍有不同的是，這次資本支出成長幅度雖然高，但預(yù)期產(chǎn)能過剩風(fēng)險可能不像以往嚴(yán)重，因為目前各大廠升級20 納米制程的成本增加許多，意謂著同樣的資本投入所換得的產(chǎn)能將比前幾代制程少。
每月DRAM 平均售價增長趨勢。(圖：IC Insights)
上圖可見，雖然2018年8月DRAM的平均銷售價格(ASP)達到6.79 美元，相較于2年前增長165%。盡管今年價格增速放緩，但8月前仍保持穩(wěn)健上行的趨勢。
DRAM 市場以周期性而聞名，在經(jīng)歷了兩年的強勁增長之后，DRAM 平均售價和市場需求很快將開始向下趨勢。
IC Insights 分析，最近供應(yīng)商資本支出增加雖然非比尋常，但可能不會像過去一樣產(chǎn)生類似的產(chǎn)能過剩情況。
DRAM 資本支出與平均售價比較圖。(圖：IC Insights)
該報告預(yù)測(上圖)，2018年DRAM平均售價將上漲38％至6.65 美元，但隨著額外產(chǎn)能上線，供應(yīng)限制開始放緩，將會降溫DRAM市場成長。
該報告中特別提到，由于預(yù)期客戶需求疲軟，三星和SK 海力士于第3 季推遲部分擴張計劃。值得注意的是，中國大陸有合肥長鑫(Innotron Memory)、福建晉華（JHICC）等兩家記憶體廠預(yù)料今年加入供給，將為記憶體市場帶來不可知的變數(shù)。在合肥長鑫方面，兆易創(chuàng)新與合肥產(chǎn)投簽署合作協(xié)議，開展工藝制程19nm的12英寸DRAM的研發(fā)工作，該項目預(yù)算約為180億人民幣，已正式投片，有券商預(yù)計其將在2018年底實現(xiàn)產(chǎn)品良率不低于10%。來到福建晉華，他們與聯(lián)電開展技術(shù)合作，投資56.5億美元，正在建設(shè)12存DRAM生產(chǎn)線。晉華集成電路已納入中國“十三五”集成電路重大生產(chǎn)力布局規(guī)劃。