今日，據(jù)外媒報(bào)道，三星工廠在日前表示，三星已經(jīng)開始使用其7LPP制造技術(shù)生產(chǎn)芯片。這個(gè)新的制作工藝能夠顯著的提到芯片晶體管的密度，同時(shí)優(yōu)化芯片功耗。該技術(shù)使用了極紫外光刻（EUVL）制作選擇層，使用其能夠減少每個(gè)芯片所需要的掩模數(shù)量從而縮短芯片的生產(chǎn)周期。

三星表示，在同樣的復(fù)雜性下，使用7LPP制造技術(shù)能夠減少40％的面積，而在相同頻率和復(fù)雜度下，可以降低50％的功耗，性能方面則可提升20％。因此，三星工廠在選擇層使用極紫光外刻技術(shù)后，其就能夠在下一代的SoC中放置40％以上的晶體光，還能夠降低其功耗。

其透露，使用EUV可以將芯片所需要的掩模數(shù)量減少20％，并且，三星表示他們已經(jīng)開發(fā)出了專有的EUV掩模檢測(cè)工具，可以在制造周期的早期進(jìn)行早期缺陷檢測(cè)并消除缺陷。如此一來，能夠提升芯片的良品率。

目前，三星在韓國(guó)華城的Fab廠S3中專注生產(chǎn)7LPP使用極紫外光刻技術(shù)的芯片。該工廠每天可以在其ASML Twinscan NXE，通過3400B EUVL進(jìn)行掃描，在每個(gè)280W光源上處理1500個(gè)晶圓。

三星營(yíng)銷團(tuán)隊(duì)執(zhí)行副總裁Charlie Bae說?！熬A生產(chǎn)方式的這種根本性轉(zhuǎn)變使我們的客戶有機(jī)會(huì)以卓越的產(chǎn)量，減少的層數(shù)和更高的產(chǎn)量顯著提高產(chǎn)品的上市時(shí)間。我們相信7LPP不僅是移動(dòng)和HPC的最佳選擇，也適用于廣泛的尖端應(yīng)用。”

基于此，有媒體預(yù)計(jì)，2019年三星智能耍手機(jī)或許將推出一款7nmSoC。不過，目前已知高通將會(huì)采用三星的這種7LPP技術(shù)作為其“Snapdragon 5G移動(dòng)芯片組”。

據(jù)悉，三星的7LPP制造技術(shù)由于公司為移動(dòng)SoC設(shè)計(jì)的10LPP，具有一定的優(yōu)勢(shì)。并且，三星為了使用該流程對(duì)潛在客戶根據(jù)吸引力，該工廠還提供了一套全面的設(shè)計(jì)支持工具，接口IP，參考流程以及更先進(jìn)的封裝解決方案。

當(dāng)前，7LPP已經(jīng)俘虜了眾多三星高級(jí)代工生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴的支持，比如Arm、Mentor、Synopsys、Ansys、Cadence、SEMCO等。

如今，在傳統(tǒng)芯片巨頭企業(yè)之外，芯片的入局者也越來越多，競(jìng)爭(zhēng)更加激烈。在芯片制作工藝層面，無論是所需要的設(shè)備、亦或者技術(shù)都是極其稀少的。因此，在制作工藝層面的創(chuàng)新，實(shí)質(zhì)上也相當(dāng)于在芯片的競(jìng)爭(zhēng)中掌握了一定的主動(dòng)權(quán)。

不過，三星的這種7LPP技術(shù)也存在一定的局限性。由于EUVL僅用于選擇7LPP芯片層，因?yàn)橄鄬?duì)有限數(shù)量的Twinscan NXE：3400B掃描儀幾乎不成問題，撒旦是，如果該工藝技術(shù)需要EUV用于更多層的時(shí)候，就很有可能需要擴(kuò)展器EUV容量。