EUV芯片制造技術(shù)的競(jìng)賽正在全球范圍內(nèi)上演，日前，三星宣布已經(jīng)試產(chǎn)基于EUV技術(shù)的7nm芯片，并正在研究如何提升其產(chǎn)能，加速輔助性的IP和EDA基礎(chǔ)架構(gòu)，細(xì)化封裝能力。三星的這次宣布無(wú)疑是在對(duì)標(biāo)臺(tái)積電，為了追趕臺(tái)積電芯片設(shè)計(jì)生態(tài)的進(jìn)程，后者于本月初曾傳出過(guò)類似的消息。

三星聲稱他們正在對(duì)基于16Gbit DRAM芯片的256GByte RDIMM取樣，為帶Xilinx嵌入式FPGA的固態(tài)硬盤做好準(zhǔn)備。7nm是這次通告的亮點(diǎn)，標(biāo)志著EUV掩模檢測(cè)系統(tǒng)內(nèi)部開(kāi)發(fā)的一次里程碑式的進(jìn)展。

與10nm節(jié)點(diǎn)相比，7LPP工藝可以減少40%的面積同時(shí)提高20%的速度，或降低50%的功耗。另外，三星表示他們擁有包括Ansys、Arm、Cadence（具備7nm的數(shù)字與模擬流程）、Mentor、Synopsys和VeriSilicon在內(nèi)的50個(gè)Foundry代工伙伴，已經(jīng)試產(chǎn)出7mn工藝的芯片。

據(jù)說(shuō)這一工藝吸引了眾多網(wǎng)站巨頭、網(wǎng)絡(luò)公司以及手機(jī)廠商的客戶，不過(guò)，三星預(yù)計(jì)在明年初之前不會(huì)向客戶推送公告。

三星Foundry市場(chǎng)總監(jiān)Bob Stear指出，自今年初以來(lái)，位于韓國(guó)華城的Fab工廠S3產(chǎn)線的EUV系統(tǒng)能持續(xù)支持250-W光源，這個(gè)功率水平使生產(chǎn)量滿足了需求量，即1,500個(gè)晶片/天。此后，EUV系統(tǒng)達(dá)到了280 W的峰值，而三星的目標(biāo)是300W。

EUV技術(shù)使傳統(tǒng)氟化氬系統(tǒng)所需的掩模數(shù)量減少了五分之一，從而提高了芯片產(chǎn)量。不過(guò)，節(jié)點(diǎn)在前段制程的基礎(chǔ)層中仍需要進(jìn)行一些多重曝光。

為了加速EUV投入到生產(chǎn)，三星開(kāi)發(fā)了自己的系統(tǒng)來(lái)比較和修復(fù)預(yù)期和實(shí)際的掩模曝光。VLSI研究員G. Dan Hutcheson將這個(gè)系統(tǒng)描述成一個(gè)掩模檢查系統(tǒng)，因?yàn)槟壳吧胁磺宄欠裣竦湫偷牡谌綑z測(cè)系統(tǒng)那樣自動(dòng)化。

7nm節(jié)點(diǎn)將在年底達(dá)到Grade 1 AEC-Q100汽車標(biāo)準(zhǔn)。在封裝方面，三星正在研發(fā)一款RDL插入器，能將多達(dá)8個(gè)HBM堆疊安裝在一個(gè)設(shè)備上，同時(shí)，三星還在開(kāi)發(fā)一種將無(wú)源器件嵌入基板的工藝，為了給數(shù)據(jù)中心的芯片節(jié)省出空間。