隨著5G相關(guān)技術(shù)及標(biāo)準(zhǔn)日漸成熟，5G時(shí)代即將來臨。第一代5G通信網(wǎng)絡(luò)，采用6GHz以下通信頻段，將于2020年實(shí)現(xiàn)商用。而射頻前端是通信設(shè)備核心，其收發(fā)的射頻信號(hào)決定了通信質(zhì)量、信號(hào)功率、信號(hào)帶寬、網(wǎng)絡(luò)連接速度等多項(xiàng)通信指標(biāo)。以大家熟悉的智能手機(jī)為例，文字／語(yǔ)音／視頻通信、上網(wǎng)、高清音視頻、定位、文件傳輸、刷卡等功能都與射頻前端模塊息息相關(guān)。
載波聚合、MIMO及新的頻帶支持等技術(shù)使得5G射頻前端越來越復(fù)雜，前端芯片整合面積越來越大。整機(jī)廠商期待在射頻前端整合模組價(jià)格穩(wěn)定的同時(shí)，持續(xù)提升其性能；再者，射頻前端的技術(shù)趨勢(shì)始終指向高度模組集成整合。因此高性價(jià)比、高整合的解決方案對(duì)5G射頻前端極其重要。
綜合成本效能、器件層疊技術(shù)、襯底優(yōu)勢(shì)及數(shù)字與系統(tǒng)集成分析，RF-SOI技術(shù)為5G射頻前端提供極具競(jìng)爭(zhēng)力的集成整合解決方案，能夠有效整合射頻開關(guān)、低噪聲放大器、天線調(diào)諧器、衰減器甚至功率放大器。
戴若凡博士演講現(xiàn)場(chǎng)
華虹宏力一直致力于RF-SOI工藝技術(shù)的持續(xù)改進(jìn)與創(chuàng)新，目前，第四代RF-SOI工藝（簡(jiǎn)稱“Gen4”）平臺(tái)已蓄勢(shì)待發(fā)。日前的2018國(guó)際RF-SOI論壇上，華虹宏力設(shè)計(jì)工程部的戴若凡博士發(fā)表演講，傳遞了華虹宏力在射頻技術(shù)研發(fā)上的最新動(dòng)態(tài)。他劇透道，發(fā)布在即的Gen4平臺(tái)將RF-SOI工藝技術(shù)節(jié)點(diǎn)更新至0.13um，該工藝在保持源-漏擊穿電壓3.7V不變的前提下，射頻開關(guān)設(shè)計(jì)工藝FoM低至100fs左右，比上一代下降約25%，能夠?yàn)楦咝阅苌漕l開關(guān)提供低成本解決方案。
華虹宏力RF-SOI技術(shù)路線圖
0.13um RF-SOI工藝PDK提供精確的PSP SOI器件模型、定制化的SOI襯底表征模型及可信賴的RC后仿真抽取實(shí)現(xiàn)方法，能夠最大限度保障產(chǎn)品一次流片成功，降低產(chǎn)品設(shè)計(jì)開發(fā)周期與成本。采用極少的工藝光罩層數(shù)，即可整合HR電阻及MIM電容進(jìn)行射頻開關(guān)設(shè)計(jì)。僅需額外增加3層光罩，即可實(shí)現(xiàn)整合1.2V高性能低噪聲放大器器件，為射頻前端低噪聲放大器設(shè)計(jì)提供低成本整合解決方案。
數(shù)字集成方面，0.13um RF-SOI提供基于成本考慮的集成密度更高的1.2V及2.5V標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)，能夠?qū)崿F(xiàn)射頻前端MIPI數(shù)字控制的低成本集成整合。同時(shí)，該RF-SOI工藝采用高阻trap-rich襯底，能夠?yàn)樯漕l前端提供高Q值的電感、巴倫及變壓器等無源感性元件的片上集成整合?；诟咝阅艿腞F-SOI射頻開關(guān)設(shè)計(jì)，整合高精度、高性能的電阻、電容及電感等無源器件，0.13um RF-SOI能夠?yàn)樯漕l前端提供天線調(diào)諧器及衰減器集成整合解決方案。
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關(guān)于華虹宏力
華虹集團(tuán)是國(guó)家“909”工程的載體，是以集成電路制造為主業(yè)、面向全球市場(chǎng)、具有自主創(chuàng)新能力和市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力的高科技產(chǎn)業(yè)集團(tuán)。集團(tuán)旗下上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司（以下簡(jiǎn)稱“華虹宏力”）自建設(shè)中國(guó)大陸第一條8英寸集成電路生產(chǎn)線起步，目前在上海金橋和張江共有三條8英寸生產(chǎn)線（華虹一、二、三廠），月產(chǎn)能超17萬片，在中國(guó)臺(tái)灣、日本、北美和歐洲等地均提供銷售與技術(shù)支持。華虹宏力工藝技術(shù)覆蓋1微米至90納米各節(jié)點(diǎn), 其嵌入式非易失性存儲(chǔ)器、功率器件、模擬及電源管理和邏輯及射頻等差異化工藝平臺(tái)在全球業(yè)界極具競(jìng)爭(zhēng)力，并擁有多年成功量產(chǎn)汽車電子芯片的經(jīng)驗(yàn)。
華虹宏力和國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金股份有限公司、無錫錫虹聯(lián)芯投資有限公司等在無錫高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)內(nèi)，合資設(shè)立了華虹半導(dǎo)體（無錫）有限公司，一期項(xiàng)目（華虹七廠）投資25億美元，建設(shè)一條月產(chǎn)能4萬片的12英寸集成電路生產(chǎn)線，支持5G和物聯(lián)網(wǎng)等新興領(lǐng)域的應(yīng)用。