時(shí)間回到2018年第一季度，三星、東芝、美光等公司的NAND芯片利潤(rùn)率是40％，但是第一季度過后NAND價(jià)格就開始暴降，據(jù)統(tǒng)計(jì)去年上半年NAND閃存價(jià)格下跌了至少50％，而根據(jù)分析師表示，未來每年還會(huì)降低30％，直到下一輪漲價(jià)。
2018年的NAND市場(chǎng)由漲轉(zhuǎn)跌，這個(gè)趨勢(shì)還會(huì)在今年得到延續(xù)，不過2019年閃存市場(chǎng)上的變數(shù)不只是降價(jià)這么簡(jiǎn)單，新技術(shù)、新產(chǎn)品以及中國(guó)廠商的加入都會(huì)對(duì)這個(gè)市場(chǎng)帶來很大的變化。
需求不足跌價(jià)成必然
2018年NAND閃存之所以大降價(jià)，一個(gè)關(guān)鍵原因就是64層堆棧的3DNAND閃存大規(guī)模量產(chǎn)，實(shí)現(xiàn)了從32層／48層堆棧到64層堆棧的飛躍，使得NAND閃存每GB成本降至8美分，相比之前2DNAND閃存的成本高達(dá)每GB21美分，成本的降低才讓NAND降價(jià)成為可能。
NAND Flash市場(chǎng)在過去幾年幾經(jīng)產(chǎn)業(yè)調(diào)整，在供過于求的壓力下，2015到2016年市場(chǎng)開始下滑，2017年再度風(fēng)生水起、漲勢(shì)不斷，然而好景象并沒有如期延續(xù)，各家大廠競(jìng)相強(qiáng)化投資規(guī)模，3DNAND Flash新增產(chǎn)能支持，市場(chǎng)需求卻成長(zhǎng)平緩，這也加速了2018年全球NAND Flash價(jià)格一路走跌。
受到技術(shù)與良率瓶頸，2018年3DNAND良率提升速度并不如預(yù)期順利，因而導(dǎo)致次級(jí)品在外流通銷售，進(jìn)而干擾市場(chǎng)價(jià)格，對(duì)應(yīng)至終端應(yīng)用，消費(fèi)型SSD市場(chǎng)首當(dāng)其沖。
巨頭為曾經(jīng)的美好還債
苦日子還沒到頭，預(yù)計(jì)今年NAND閃存的價(jià)格還要再跌50％，NAND及SSD廠商這兩年要為前兩年的漲價(jià)還債了。
近期發(fā)布財(cái)報(bào)的西數(shù)就已經(jīng)表露出NAND閃存降價(jià)對(duì)他們的巨大影響了，當(dāng)季度西數(shù)營(yíng)收、盈利同比下滑，雖然NAND閃存位容量出貨增長(zhǎng)了28％，但是NAND閃存的加價(jià)跌了16％，導(dǎo)致西數(shù)毛利率大幅下滑，增收不增利，而HDD硬盤業(yè)務(wù)那部分就不用說了，同比下滑了810萬(wàn)部，出貨量只剩下3410萬(wàn)部。
NAND閃存的降價(jià)同樣也會(huì)影響美光、SKHynix、三星、東芝等公司的財(cái)報(bào)數(shù)據(jù)，只不過三星、美光、SKHynix這些公司有DRAM內(nèi)存的高價(jià)支撐，財(cái)報(bào)數(shù)據(jù)不會(huì)像西數(shù)這么慘。為了減緩NAND價(jià)格下跌對(duì)公司的影響，從西數(shù)到美光都在減少NAND閃存產(chǎn)能投資，以便減少NAND供應(yīng)，緩解市場(chǎng)對(duì)降價(jià)的預(yù)期。
64層和96層堆棧閃存命運(yùn)各不同
今年將是96層3D閃存爆發(fā)的元年。在64層堆棧之后，2018年下半年各大廠商也開始量產(chǎn)96層堆棧的3D閃存了，三星公司7月初宣布了第五代V－NAND閃存（3DNAND閃存中的一種），率先支持ToggleDDR4．0接口，傳輸速度達(dá)到了1．4Gbps，相比64層堆棧的V－NAND閃存提升了40％。工作電壓從1．8V降至1．2V，同時(shí)寫入速度也是目前最快的，只有500us，比上一代閃存提升了30％。
另外，第五代V－NAND閃存在制造工藝上也做了優(yōu)化，制造生產(chǎn)效率提升了30％，先進(jìn)的工藝使得每個(gè)閃存單元的高度降低了20％，減少了單位之間的竄擾，提高了數(shù)據(jù)處理的效率。
各個(gè)陣營(yíng)皆可說是磨刀霍霍，美光、英特爾、東芝、西數(shù)及SKHynix也陸續(xù)宣布了自家的96層堆棧3DNAND閃存方案，其中西數(shù)、東芝的96層3D閃存使用的是新一代BiCS4技術(shù)，QLC類型的核心容量高達(dá)1．33Tb，比業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)水平提升了33％，東芝已經(jīng)開發(fā)出了16核心的單芯片閃存，一顆閃存的容量就有2．66TB。
國(guó)內(nèi)崛起撬動(dòng)全球市場(chǎng)
2018年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到1，500億美元，其中NAND Flash超過570億美元，而中國(guó)市場(chǎng)消耗了全球產(chǎn)能的32％，這意味著中國(guó)已成為全球主要的市場(chǎng)，為了擺脫長(zhǎng)期對(duì)外采購(gòu)的依賴，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器芯片自主發(fā)展成為當(dāng)務(wù)之急。
2019年NAND市場(chǎng)上還有一個(gè)變數(shù)，雖然它還是初生牛犢，但它是最有可能重塑存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)格局的，那就是中國(guó)的長(zhǎng)江存儲(chǔ)公司2019年會(huì)大規(guī)模量產(chǎn)3DNAND閃存，跟三星、東芝、美光等國(guó)際NAND廠商形成競(jìng)爭(zhēng)關(guān)系。
長(zhǎng)江存儲(chǔ)的32層3DNAND已順利問世，并進(jìn)入小量生產(chǎn)，但32層堆疊工藝缺乏競(jìng)爭(zhēng)力，日前長(zhǎng)江存儲(chǔ)采取Xtacking架構(gòu)的64層NAND樣品，已送交給相關(guān)供應(yīng)鏈進(jìn)行測(cè)試。
若進(jìn)度符合預(yù)期，預(yù)計(jì)最快2019年第3季將可望投產(chǎn)，屆時(shí)將有機(jī)會(huì)轉(zhuǎn)虧為盈，而長(zhǎng)江存儲(chǔ)也規(guī)劃2020年將跳過96層3DNAND，截道超車跨向128層3DNAND。隨著量產(chǎn)技術(shù)提升及規(guī)劃產(chǎn)能30萬(wàn)～45萬(wàn)片全數(shù)開出，未來將有機(jī)會(huì)搶進(jìn)全球約10％市占率。
清華紫光集團(tuán)同時(shí)在其它據(jù)點(diǎn)推展建設(shè)進(jìn)度，包括南京廠與成都廠先后于年底前進(jìn)入動(dòng)工階段，合計(jì)三大生產(chǎn)基地將投入人民幣1，800億元生產(chǎn)3DNAND芯片，另一方面，紫光集團(tuán)也頻頻招手英特爾合作，欲傾集團(tuán)資源之力全速發(fā)展NANDFlash工藝。
國(guó)內(nèi)崛起進(jìn)入NAND Flash市場(chǎng)只是時(shí)間問題，雖然2019年仍處于試車階段，但在逐漸增加產(chǎn)出貢獻(xiàn)后，在進(jìn)行技術(shù)轉(zhuǎn)變的過程中，仍需要解決量產(chǎn)良率的問題，而良率不合格問題產(chǎn)品是否將影響市場(chǎng)秩序，將值得觀察。
今年的產(chǎn)業(yè)變數(shù)巨大
有報(bào)道預(yù)測(cè)，2019年第1季NAND Flash會(huì)降10％到15％價(jià)格。對(duì)此，外資花旗銀行的分析師在最新的報(bào)告中，維持了對(duì)美商存儲(chǔ)器大廠美光股票的中性頻等，但下調(diào)了美光在2019年的營(yíng)收及獲利預(yù)期，理由就是2019年的整體存儲(chǔ)器市場(chǎng)將面臨大降價(jià)的狀況。
在當(dāng)前市場(chǎng)因?yàn)楫a(chǎn)能過剩、庫(kù)存增加的情況下，預(yù)計(jì)2019的NAND Flash及DRAM都會(huì)有一波大降價(jià)的情況。其中，NAND Flash的價(jià)格會(huì)跌45％，DRAM價(jià)格會(huì)下跌30％。而且，這樣的價(jià)價(jià)幅度在2019年第2季之前是看不到價(jià)格底線的，這也說明了2019年降價(jià)的時(shí)間至少會(huì)維持兩個(gè)季度以上。
供應(yīng)端上，每家64層堆棧的3D－NAND Flash良率已達(dá)到成熟階段，再加上陸續(xù)有新產(chǎn)能的投入，即便是96層堆棧的3D－NAND Flash量產(chǎn)時(shí)間延后，依舊無(wú)法抵擋不斷增長(zhǎng)的產(chǎn)出量，不同于內(nèi)存產(chǎn)品可以應(yīng)用在緩存上，作為各種電子產(chǎn)品主要存儲(chǔ)裝置的閃存，價(jià)格下跌的過程往往伴隨著搭載量的提升。
需求端成長(zhǎng)趕不上產(chǎn)出增加的速度，因此2019年整年度整個(gè)行業(yè)將依舊維持供過于求的格局至年底。