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三星已成功研發(fā)8nm LPDDR5內存,提速至7.3Gbps

2019-06-14
關鍵詞: 三星 8nm LPDDR5

  去年7月,三星就宣布成功開發(fā)出業(yè)內首款LPDDR5-6400內存芯片,基于10nm級工藝,單顆容量8Gb(1GB),去年10月的在港舉辦的高通4G/5G峰會上,三星人士透露,LPDDR5內存計劃2020年商用。今年2月底,JEDEC(固態(tài)存儲協(xié)會)正式發(fā)布了JESD209-5,即Low Power Double Data Rate 5 (LPDDR5)全新低功耗內存標準。

  相較于2014年發(fā)布的第一代LPDDR4標準,LPDDR5的I/O速度從3200 MT/s 提升到6400 MT/s(DRAM速度6400Mbps),直接翻番。

  如果匹配高端智能機常見的64bit bus,每秒可以傳送51.2GB數(shù)據(jù);要是PC的128bit BUS,每秒破100GB無壓力。

  6.4Gbps的LPDDR5內存遠不是終點,三星作為全球第一大內存芯片廠商,現(xiàn)在已經(jīng)在研究更高標準的LPDDR5芯片了,在VLSI 2019大會上,他們公布了8nm工藝的LPDDR5 Phy物理層芯片,一舉將速率提升到了7.3Gbps,而且功耗只有790mW。

  除此之外,三星還在繼續(xù)提升LPDDR4X內存的速率,目前LPDDR4X-4266Mbps內存已經(jīng)有了,三星的目標是5Gbps的LPDDR4X內存。


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