半導(dǎo)體供應(yīng)鏈上各家廠商之間的關(guān)系正在大洗牌，昨日的合作伙伴，未來(lái)可能是最大的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手；本來(lái)井水不犯河水的兩家廠商，也可能瞬間成為競(jìng)爭(zhēng)關(guān)系；勢(shì)不兩立幾十年的死對(duì)頭，也有可能坐下來(lái)談聯(lián)合技術(shù)研發(fā)。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的未來(lái)，顯然還很有看頭。

營(yíng)收排名概述

根據(jù)拓墣產(chǎn)業(yè)研究院報(bào)告顯示，由于全球政經(jīng)局勢(shì)動(dòng)蕩，2019年第二季全球晶圓代工需求持續(xù)疲弱，各廠營(yíng)收與去年同期相比普遍下滑，預(yù)估第二季全球晶圓代工總產(chǎn)值將較2018年同期下滑約8％，達(dá)154億美元。今年全球晶圓代工產(chǎn)業(yè)將面臨10年來(lái)首次負(fù)成長(zhǎng)，總產(chǎn)值較2018年衰退近3％。

2019年第二季晶圓代工業(yè)者排名前五與去年相同，第六名至第十名則略有變動(dòng)：力晶因存儲(chǔ)器和顯示驅(qū)動(dòng)芯片代工需求下滑，排名與去年同期相比由第七名下降至第九名；顯示驅(qū)動(dòng)芯片轉(zhuǎn)移至12寸投產(chǎn)的趨勢(shì)愈加明顯，使得不具有12寸產(chǎn)能的世界先進(jìn)營(yíng)收受沖擊，排名被華虹半導(dǎo)體超越，滑落至第八名。

僅有華虹半導(dǎo)體受惠于SmartCard、IoT、Automotive的MCU和功率器件等市場(chǎng)需求較為穩(wěn)定，因而營(yíng)收與去年同期持平，其余業(yè)者皆因市場(chǎng)需求不濟(jì)、庫(kù)存尚待消化等原因，第二季營(yíng)收表現(xiàn)較去年同期下滑。

其中，臺(tái)積電以75．53億美元的營(yíng)收位居第一，市場(chǎng)份額更是達(dá)到49．2％；

三星以27．73億美元的營(yíng)收位列第二，市場(chǎng)份額18％；

格芯以13．36億美元營(yíng)收位居第三，市場(chǎng)份額8．7％。

大陸廠商中芯國(guó)際則以7．9億美元營(yíng)收，排在第五位，市場(chǎng)份額5．1％。

在整個(gè)TOP10廠商名單中，除了中芯國(guó)際，還有一家大陸廠商入圍，就是華虹半導(dǎo)體。不過(guò)，它們與臺(tái)積電等廠商差距仍然明顯。目前兩家大陸廠商量產(chǎn)的最先進(jìn)工藝還處在28nm的水平上，而臺(tái)積電等廠商已經(jīng)在量產(chǎn)7nm制程工藝。

臺(tái)積電：不及預(yù)期但仍穩(wěn)坐榜首

臺(tái)積電因受惠7nm先進(jìn)制程客戶需求升溫，第2季業(yè)績(jī)將約75．53億美元，將年減4％，衰退幅度也將相對(duì)較其他晶圓代工廠小，并穩(wěn)居全球晶圓代工業(yè)龍頭地位。

在半導(dǎo)體工藝上，臺(tái)積電去年量產(chǎn)了7nm工藝（N7＋），今年是量產(chǎn)第二代7nm工藝（N7＋），而且會(huì)用上EUV光刻工藝，2020年則會(huì)轉(zhuǎn)向5nm節(jié)點(diǎn)，目前已經(jīng)開(kāi)始在Fab18工廠上進(jìn)行了風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)，2020年第二季度正式商業(yè)化量產(chǎn)。

明年的5nm工藝是第一代5nm，之后還會(huì)有升級(jí)版的5nmPlus（5nm＋）工藝，預(yù)計(jì)在2020年第一季度風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)，2021年正式量產(chǎn)。

對(duì)于5nmPlus工藝，臺(tái)積電還沒(méi)有公布該工藝具體的優(yōu)勢(shì)，但官方表示5nmPlus工藝不論在性能上還是在能效上都有優(yōu)勢(shì)，畢竟5nm工藝是7nm制程之后另一個(gè)重大高性能節(jié)點(diǎn)，會(huì)是長(zhǎng)期存在的制程工藝。

在先進(jìn)制程方面，臺(tái)積電處于絕對(duì)領(lǐng)先地位，早在2011年臺(tái)積電便攻克了28nm制程，之后先進(jìn)制程發(fā)展迅速，其7nm制程已于2018年下半年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，預(yù)計(jì)2019年收入占比將超過(guò)20％。5nm已于今年4月進(jìn)行風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)，預(yù)計(jì)在2020年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

而受到全球手機(jī)市場(chǎng)需求疲軟，且電動(dòng)車、高效運(yùn)算所需的芯片也因5G、AI生態(tài)系尚在醞釀，讓外界揣測(cè)過(guò)往年?duì)I收維持在約10％成長(zhǎng)幅度的臺(tái)積電，2019年將可能無(wú)法再維持此神話。

三星：保二爭(zhēng)一目標(biāo)明確

在聯(lián)電、格羅方德相繼退出10nm以下制程市場(chǎng)，以及英特爾2018年陷入產(chǎn)能不足的窘境后，三星被認(rèn)為是晶圓代工龍頭臺(tái)積電近2年的唯一對(duì)手，與其一同競(jìng)爭(zhēng)英偉達(dá)、高通等有7nmEUV技術(shù)需求的客戶。

蘋果最新一代A13處理器仍舊全數(shù)交由臺(tái)積電生產(chǎn)，并將于2019年第二季度開(kāi)始量產(chǎn)，再加上AMD也發(fā)布7nm相關(guān)產(chǎn)品線進(jìn)度，以及在2018年便已浮出臺(tái)面的高通、海思、賽靈思等客戶，不難想見(jiàn)2019年7nm代工市場(chǎng)將有跳躍性的成長(zhǎng)。

目前先進(jìn)半導(dǎo)體制造工藝已經(jīng)進(jìn)入10nm節(jié)點(diǎn)以下，三星選擇直接進(jìn)入7nmEUV工藝，進(jìn)度上要比臺(tái)積電落后一年，不過(guò)三星現(xiàn)在要加速追趕了。

除了7nmFinFET工藝之外，三星還規(guī)劃了另外三種FinFET工藝——6nm、5nm、4nm，今年將完成6nm工藝的批量生產(chǎn)，并完成4nm工藝的開(kāi)發(fā)。

三星電子的投資計(jì)劃，將在未來(lái)12年內(nèi)將投資133萬(wàn)億韓元加強(qiáng)系統(tǒng)LSI和晶圓代工業(yè)務(wù)方面的競(jìng)爭(zhēng)力，擴(kuò)大非存儲(chǔ)器業(yè)務(wù)。其中：73萬(wàn)億韓元的國(guó)內(nèi)研發(fā)，60萬(wàn)億韓元的生產(chǎn)基礎(chǔ)設(shè)施，預(yù)計(jì)每年平均投資11萬(wàn)億韓元。

三星的目標(biāo)十分明確，在保持存儲(chǔ)芯片全球第一的位置的同時(shí)，在晶圓代工領(lǐng)域挑落臺(tái)積電，在CMOS圖像傳感器領(lǐng)域擊敗索尼，在營(yíng)收方面維持對(duì)英特爾的領(lǐng)先，坐穩(wěn)全球第一大半導(dǎo)體廠商的寶座。

格芯：負(fù)面打不垮的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)

全球晶圓代工大廠格芯在今年伊始負(fù)面消息不停，繼先前成都廠傳出生產(chǎn)線停擺、工程師爆離職潮后，韓國(guó)媒體再度爆料指大股東阿布達(dá)比投資基金旗下的ATIC有意將股份打包出售予三星。

除了去年下半年宣布不再追求7nm先進(jìn)制程的開(kāi)發(fā)，而在面臨大陸企業(yè)逐步崛起的競(jìng)爭(zhēng)之外，更加凸顯格芯本身營(yíng)運(yùn)遭遇困境，特別是阿布達(dá)比資金的抽離、大客戶AMD轉(zhuǎn)而投向臺(tái)積電7nm制程、格芯跳躍式的制程研發(fā)面臨瓶頸等，均使得格芯的晶圓代工制程結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)型困難重重。

2019年格芯市占率恐由2018年的9％向下滑落，格芯宣布，將擱置7納米FinFET項(xiàng)目，并調(diào)整相應(yīng)研發(fā)團(tuán)隊(duì)來(lái)支持強(qiáng)化的產(chǎn)品組合方案。

對(duì)格芯而言，專注在成熟制程服務(wù)，卻也未必意味著公司營(yíng)運(yùn)就此步上光明坦途。成熟制程客戶雖多，需求更多樣化，但鎖定這塊市場(chǎng)的晶圓代工業(yè)者卻也更多。

其正在重新部署具備領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)的FinFET發(fā)展路線圖，以服務(wù)未來(lái)幾年采用該技術(shù)的下一波客戶。公司將相應(yīng)優(yōu)化開(kāi)發(fā)資源，讓14／12納米FinFET平臺(tái)更為這些客戶所用，提供包括射頻、嵌入式存儲(chǔ)器和低功耗等一系列創(chuàng)新IP及功能。

聯(lián)電：動(dòng)蕩中穩(wěn)中求勝

聯(lián)電在2019年度營(yíng)業(yè)報(bào)告書表示，去年是金融危機(jī)以來(lái)最為動(dòng)蕩的一年，包括中美貿(mào)易戰(zhàn)國(guó)際情勢(shì)變化以及石油和原物料價(jià)格波動(dòng)等因素，使產(chǎn)業(yè)景氣急速升降，但面對(duì)如此充滿挑戰(zhàn)的外在環(huán)境，聯(lián)電持續(xù)于技術(shù)、產(chǎn)能與客戶開(kāi)發(fā)上有所突破，全年?duì)I收仍創(chuàng)歷史新高。

進(jìn)入2019年第2季度，聯(lián)電將繼續(xù)保持其能源及其持續(xù)轉(zhuǎn)型，這將使其能夠最好地利用有線和無(wú)線通信領(lǐng)域內(nèi)的晶圓需求，智能手機(jī)，網(wǎng)絡(luò)和顯示相關(guān)產(chǎn)品將持續(xù)看好。

雖然近期受到中美貿(mào)易戰(zhàn)的影響，但目前在物聯(lián)網(wǎng)、5G通訊、汽車電子的應(yīng)用上，仍有大量的芯片需求，且多為聯(lián)電所專精的成熟和特殊制程，也是聯(lián)電調(diào)整投資策略之重點(diǎn)，預(yù)期在晶圓出貨量部分將季增5—6％，ASP估增3％，應(yīng)可符合財(cái)測(cè)目標(biāo)。

聯(lián)電將未來(lái)的發(fā)展重心轉(zhuǎn)移到成熟制程市場(chǎng)，短時(shí)間內(nèi)恐怕還是很難威脅這些靠著特殊制程技術(shù)生存的業(yè)者。

對(duì)聯(lián)電乃至所有不再走向微縮道路的晶圓代工業(yè)者來(lái)說(shuō)，未來(lái)的技術(shù)發(fā)展方向不外深化與廣化兩條發(fā)展路徑，畢竟企業(yè)資源有限，想要同時(shí)兼顧深度與廣度，難免顧此失彼。

中芯：工藝突破優(yōu)化產(chǎn)線

2018年收入同比成長(zhǎng)8．3％，連續(xù)四年持續(xù)成長(zhǎng)，業(yè)績(jī)創(chuàng)下新高。2018年第四季收入同比持平，中國(guó)區(qū)收入同比成長(zhǎng)12％。展望2019年，全年核心業(yè)務(wù)收入成長(zhǎng)目標(biāo)與晶圓代工行業(yè)成長(zhǎng)率相當(dāng)；基于目前的可見(jiàn)度，一季度收入預(yù)計(jì)為全年相對(duì)低點(diǎn)，環(huán)比下降16％—18％。

去年中芯國(guó)際在智能手機(jī)增速放緩的行業(yè)環(huán)境下，行業(yè)增長(zhǎng)動(dòng)力轉(zhuǎn)向由先進(jìn)制程的高性能運(yùn)算產(chǎn)品為主，成熟制程的競(jìng)爭(zhēng)愈加劇烈，價(jià)格壓力遠(yuǎn)大于預(yù)期，這也是由于公司在先進(jìn)制程技術(shù)方面的落后造成的。

今年中芯重點(diǎn)建立工藝全方位的解決方案，特別專注在FinFET技術(shù)的基礎(chǔ)打造，平臺(tái)的開(kāi)展，以及客戶關(guān)系的搭建。目前中芯國(guó)際第一代FinFET14nm技術(shù)進(jìn)入客戶驗(yàn)證階段，產(chǎn)品可靠度與良率已進(jìn)一步提升。

同時(shí)，12nm的工藝開(kāi)發(fā)也取得突破。透過(guò)研發(fā)積極創(chuàng)新，優(yōu)化產(chǎn)線，強(qiáng)化設(shè)計(jì)，爭(zhēng)取潛在市場(chǎng)。

結(jié)尾：

晶圓代工業(yè)者除了制程微縮之外，還有許多其他道路可走。不管是還留在先進(jìn)制程競(jìng)技場(chǎng)上的臺(tái)積電和三星，或是已經(jīng)策略轉(zhuǎn)向的聯(lián)電、格芯，以及本來(lái)就走小而美路線的特殊制程晶圓代工業(yè)者，都必須用更全方位的眼光跟策略布局來(lái)面對(duì)未來(lái)市場(chǎng)需求的變化跟潛在競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的動(dòng)向。