日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省7月1日宣布了數(shù)項針對韓國的貿(mào)易限制措施，一方面是將對數(shù)個對韓出口的半導體原材料實施限制，另外還開始就是否將韓國從“出口貿(mào)易管制白名單”中剔除開展公眾意見征求。

具體來看，從7月4日起，日本企業(yè)在向韓國出口Fluorine Polyimide（氟聚酰亞胺）和半導體生產(chǎn)時要用的Resist（光刻膠）和Eatching Gas（高純度半導體用氟化氫）三種原材料或相關技術時，必須每單單獨申請許可，獲批流程長達90天，而此前可以獲得成批出口的許可。

上述新限制對于韓國的相關制造商來說打擊是巨大的，因為日本在這些原材料供應端幾乎是一家獨大。據(jù)日本《產(chǎn)經(jīng)新聞》報道，前兩種原材料全球9成的生產(chǎn)來自于日本，第三種也達到了7成。

對于這場貿(mào)易爭端，韓國擺出了長期“抗戰(zhàn)”的姿態(tài)。7月10日，韓國總統(tǒng)文在寅召集了包含三星、LG、現(xiàn)代汽車、SK、樂天等30家韓國大型企業(yè)總裁在青瓦臺開會，會上作出了建立“官民應急機制”、制定長短期對策等決定。

此時，日本對韓國半導體關鍵材料突然實施出口管制措施的舉動，已經(jīng)在韓國社會完全發(fā)酵。抵制日貨的潮流全方位擴散，多達上百種日本產(chǎn)品被列進了抵制名單。

這場愈演愈烈的貿(mào)易戰(zhàn)不僅使日韓關系惡化，還會沖擊到全球供應鏈及東南亞地緣政治格局。日本之所以能夠通過材料出口限制制裁韓國，是韓國半導體關鍵材料對日的嚴重依賴給予了日本發(fā)動貿(mào)易戰(zhàn)的底氣和資本。而我國半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展同樣存在類似的痛點，因此必須提高警惕，防患于未然。

●我國半導體產(chǎn)業(yè)短板明顯，短期內(nèi)難以擺脫日本壟斷

半導體作為尖端技術和高附加值產(chǎn)業(yè)已逐步發(fā)展成全球經(jīng)濟增長的支柱型產(chǎn)業(yè)。其產(chǎn)業(yè)鏈十分繁復，環(huán)環(huán)相扣，上游關鍵材料與高端設備直接影響下游應用的競爭力。我國半導體產(chǎn)業(yè)因在原材料和制造設備方面嚴重依賴進口，在產(chǎn)業(yè)發(fā)展中存在很多薄弱點，缺乏對核心關鍵環(huán)節(jié)的把控。

從材料角度來看，硅晶圓、光掩模、光刻膠及各種氣體是半導體晶圓制造成本中占比最高的幾種材料。其中，硅晶圓材料在半導體制造中占比最大，僅日本信越、勝高兩大巨頭就瓜分了全球市場份額的一半。我國雖已有國內(nèi)企業(yè)在大尺寸硅晶圓領域?qū)崿F(xiàn)零突破，但自給能力遠遠滿足不了巨大的市場需求。

光刻工藝是決定芯片制程水平和性能水平的重要環(huán)節(jié)，光掩模和光刻膠是光刻工藝的核心材料，這兩種材料的全球頂尖技術都受到日本掌控和封鎖。此次韓國重點受限的EUV（極紫外）光刻膠是當前國際最高水平的產(chǎn)品，以日本JSR（日本合成橡膠）的技術最為見長。我國目前的技術水平與之相差幾代，產(chǎn)業(yè)上也遠沒有達到如此高端的產(chǎn)品需求，國內(nèi)高端光刻膠產(chǎn)品的自主供應量不足30％。光掩模的國產(chǎn)化情況同樣不樂觀，國內(nèi)廠商僅能滿足中低檔產(chǎn)品市場需求，高端產(chǎn)品難以擺脫進口現(xiàn)狀，技術方面與國外先進水平存在較大差距。

高純氟化氫氣體是半導體刻蝕環(huán)節(jié)廣泛應用的材料，芯片級氟化氫對金屬離子含量要求極為苛刻。國內(nèi)集成電路企業(yè)生產(chǎn)所需多由日本進口，國內(nèi)尚無企業(yè)實現(xiàn)規(guī)?；a(chǎn)供應，僅浙江凱圣進入產(chǎn)品測試驗證階段，真正實現(xiàn)國產(chǎn)替代還需時日。

此外，配套設備方面，盡管國內(nèi)企業(yè)在PECVD、氧化爐、拋光機等產(chǎn)品方面取得突破性成果，對比日本在清洗、涂布顯影、刻蝕、研磨及測試設備等產(chǎn)品上建立的全面優(yōu)勢，我國仍處于明顯的劣勢。

整體來看，我國半導體產(chǎn)業(yè)存在諸多短板，多種關鍵原材料和設備受到日本制約。在日韓貿(mào)易戰(zhàn)的沖擊波中，我們看到了國有品牌可以走得更遠的機會，但更多地促使我們反思我國在半導體及顯示領域內(nèi)的站位和發(fā)展情況。為避免日韓貿(mào)易戰(zhàn)“悲劇”在我國重演，亟需通過提高核心材料及設備的國產(chǎn)率，減輕中國半導體產(chǎn)業(yè)對日本的依賴度。