針對高耐用性和可靠性電源需求，意法半導體推出市場上擊穿電壓最高的1050V MOSFET VIPer轉(zhuǎn)換器 中國，2019年7月29日——意法半導體VIPer26K發(fā)布高壓功率轉(zhuǎn)換器，集成一個1050V耐雪崩N溝道功率MOSFET，使離線電源兼?zhèn)鋵拤狠斎肱c設計簡單的優(yōu)點。

　　VIPer26K MOSFET具有極高的額定電壓，無需傳統(tǒng)垂直堆疊FET和相關(guān)無源元件，即可實現(xiàn)類似的電壓處理能力，可采用尺寸更小的外部緩沖器元件。轉(zhuǎn)換器內(nèi)置漏極限流保護功能，MOSFET包含一個用于過溫保護的senseFET引腳。

　　單片集成高壓啟動電路、內(nèi)部誤差放大器和電流式PWM控制器，VIPER26K支持所有常見開關(guān)式電源拓撲，包括原邊或副邊穩(wěn)壓隔離反激式轉(zhuǎn)換器、電阻反饋非隔離反激式轉(zhuǎn)換器、降壓轉(zhuǎn)換器和降壓 - 升壓轉(zhuǎn)換器。

　　市場上最高的MOSFET擊穿電壓，結(jié)合片上集成的一整套功能，需要極少的外部電路，這些特性使設計人員能夠節(jié)省物料清單成本和電路板空間，同時提高電源的可靠性，例如，單相和三相智能電表、三相工業(yè)系統(tǒng)、空調(diào)和LED照明的電源。

　　新產(chǎn)品還有很多其它優(yōu)點，例如，內(nèi)部固定開關(guān)頻率60kHz，抖動±4kHz，配合MOSFET開通和關(guān)斷期間柵極電流控制功能，可以最大限度地降低開關(guān)噪聲輻射。高轉(zhuǎn)換效率和低于30mW的空載功耗，有助于應用達到高能效等級和嚴格的生態(tài)設計要求。