10月8日消息，據(jù)工信部網(wǎng)站發(fā)布的消息，工信部日前復函政協(xié)十三屆全國委員會第二次會議第2282號（公交郵電類256號）提案表示，將持續(xù)推進工業(yè)半導體材料、芯片、器件及IGBT模塊產(chǎn)業(yè)發(fā)展，根據(jù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展形勢，調(diào)整完善政策實施細則，更好的支持產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

　　通過行業(yè)協(xié)會等加大產(chǎn)業(yè)鏈合作力度，深入推進產(chǎn)學研用協(xié)同，促進我國工業(yè)半導體材料、芯片、器件及IGBT模塊產(chǎn)業(yè)的技術(shù)迭代和應(yīng)用推廣。

　　工信部稱，集成電路是高度國際化、市場化的產(chǎn)業(yè)，資源整合、國際合作是快速提升產(chǎn)業(yè)發(fā)展能力的重要途徑。工信部與相關(guān)部門積極支持國內(nèi)企業(yè)、高校、研究院所與先進發(fā)達國家加強交流合作。引進國外先進技術(shù)和研發(fā)團隊，推動包括工業(yè)半導體芯片、器件等領(lǐng)域國際專家來華交流，支持海外高層次產(chǎn)業(yè)人才來華發(fā)展，提升我國在工業(yè)半導體芯片相關(guān)領(lǐng)域的研發(fā)能力和技術(shù)實力。

　　下一步，工信部和相關(guān)部門將繼續(xù)加快推進開放發(fā)展。引導國內(nèi)企業(yè)、研究機構(gòu)等加強與先進發(fā)達國家產(chǎn)學研機構(gòu)的戰(zhàn)略合作，進一步鼓勵我國企業(yè)引進國外專家團隊，促進我國工業(yè)半導體材料、芯片、器件及IGBT模塊產(chǎn)業(yè)研發(fā)能力和產(chǎn)業(yè)能力的提升。

　　工信部表示，為解決工業(yè)半導體材料、芯片、器件、IGBT模塊等核心部件的關(guān)鍵性技術(shù)問題，我部等相關(guān)部門積極支持工業(yè)半導體材料、芯片、器件、IGBT模塊領(lǐng)域關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān)。一是2017年我部推出“工業(yè)強基IGBT器件一條龍應(yīng)用計劃”，針對新能源汽車、智能電網(wǎng)、軌道交通三大領(lǐng)域，重點支持IGBT設(shè)計、芯片制造、模塊生產(chǎn)及IDM、上游材料、生產(chǎn)設(shè)備制造等環(huán)節(jié)，促進IGBT及相關(guān)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。二是指導湖南省建立功率半導體制造業(yè)創(chuàng)新中心建設(shè)，整合產(chǎn)業(yè)鏈上下游資源，協(xié)同攻關(guān)工業(yè)半導體材料、芯片、器件、IGBT模塊領(lǐng)域關(guān)鍵共性技術(shù)。三是指導中國寬禁帶半導體及應(yīng)用產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟發(fā)布《中國IGBT技術(shù)與產(chǎn)業(yè)發(fā)展路線圖（2018-2030）》，引導我國IGBT行業(yè)技術(shù)升級，推動相關(guān)產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

　　下一步，工信部將繼續(xù)支持我國工業(yè)半導體領(lǐng)域成熟技術(shù)發(fā)展，推動我國芯片制造領(lǐng)域良率、產(chǎn)量的提升。積極部署新材料及新一代產(chǎn)品技術(shù)的研發(fā)，推動我國工業(yè)半導體材料、芯片、器件、IGBT模塊產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

　　另外，工信部表示，我部與教育部等部門將進一步加強人才隊伍建設(shè)。推進設(shè)立集成電路一級學科，進一步做實做強示范性微電子學院，加快建設(shè)集成電路產(chǎn)教融合協(xié)同育人平臺，保障我國在工業(yè)半導體材料、芯片、器件及IGBT模塊產(chǎn)業(yè)的可持續(xù)發(fā)展。

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