《電子技術(shù)應(yīng)用》
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Nexperia推出大功率GaN晶體管 適用于電動汽車功率半導(dǎo)體

2019-12-15
來源:電子工程世界
關(guān)鍵詞: 晶體管 GaN Nexperia

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  (圖源:Nexperia官網(wǎng))

  據(jù)外媒報道,功率和分立器件專家Nexperia采用硅基氮化鎵(GaN-on-Silicon)技術(shù),推出第一款大功率GaN場效應(yīng)晶體管。

  Nexperia公司MOS分立式器件業(yè)務(wù)集團(tuán)總經(jīng)理Toni Versluijs表示:“Nexperia準(zhǔn)備進(jìn)軍高壓領(lǐng)域,因此推出這一戰(zhàn)略舉措?,F(xiàn)在,我們能夠提供適用于電動汽車(xEV)功率半導(dǎo)體應(yīng)用的技術(shù)。我們的GaN技術(shù)已經(jīng)可以量產(chǎn),滿足大批量應(yīng)用。汽車行業(yè)是Nexperia關(guān)注的重點領(lǐng)域,隨著電動汽車取代傳統(tǒng)內(nèi)燃機(jī)汽車,成為個人和公共交通的首選工具,預(yù)計未來20年該行業(yè)將顯著增長?!?/p>

  該工藝在大型硅襯底上生成GaN厚外延層,并獲得合適的外延性能,因此,可以利用標(biāo)準(zhǔn)的150mm晶圓生產(chǎn)線,進(jìn)行初級生產(chǎn),具有批量生產(chǎn)所需的可擴(kuò)展性,以及成本優(yōu)勢。

  650V GAN063-650WSA的柵極電壓為±20V,工作溫度在-55至+175°C之間。產(chǎn)品特色在于,導(dǎo)通電阻低至60 m?,可以減少損耗,支持頻率切換,提高電源效率。重要的是,該產(chǎn)品采用業(yè)內(nèi)常用的標(biāo)準(zhǔn)TO-247封裝,更便于設(shè)計者操作,提升產(chǎn)品性能。

  GAN063-650WSA GaN場效應(yīng)晶體管是Nexperia旗下GaN系列設(shè)備首款產(chǎn)品,適用于汽車、通信基礎(chǔ)設(shè)施和工業(yè)領(lǐng)域。


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