近日，三星發(fā)布了一款名為“Flashbolt”的HBM2E存儲芯片，預(yù)計將在今年上半年開始量產(chǎn)。
據(jù)悉，HBM2E單顆最大容量為16GB，由8顆16Gb的DRAM顆粒堆迭而成，單個封裝可實現(xiàn)16GB容量，最高可提供3．2Gbps的穩(wěn)定數(shù)據(jù)傳輸速度。
全新的HBM2E記憶體“Flashbolt”采用三星1ynm制程工藝，單顆最大容量為16GB，由16Gb的單Die通過8層堆迭而成。三星官方介紹說，全新的“Flashbolt”在頻寬上面有比較明顯的提升，在默認(rèn)的3．2Gbps下，單顆HBM2E就可以提供高達(dá)410GB／s的頻寬，1秒內(nèi)便可傳輸82部 Full HD （5GB）全高清畫質(zhì)的影片。
至于三星內(nèi)部測試自家全新的“Flashbolt”存儲芯片，在“超頻”后可以達(dá)到最高4．2Gbps的傳輸速率，頻寬更高達(dá)538GB／s，比上代產(chǎn)品高出75％。
按照三星官方的說法，全新的HBM2E存儲芯片將會在今年上半年開始量產(chǎn)，特別適用于HPC高性能運算系統(tǒng)，并可幫助系統(tǒng)制造商及時改進(jìn)其超級電腦、AI驅(qū)動的數(shù)據(jù)分析以及最新的圖形系統(tǒng)。
本站內(nèi)容除特別聲明的原創(chuàng)文章之外，轉(zhuǎn)載內(nèi)容只為傳遞更多信息，并不代表本網(wǎng)站贊同其觀點。轉(zhuǎn)載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權(quán)歸版權(quán)所有權(quán)人所有。本站采用的非本站原創(chuàng)文章及圖片等內(nèi)容無法一一聯(lián)系確認(rèn)版權(quán)者。如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)和其它問題，請及時通過電子郵件或電話通知我們，以便迅速采取適當(dāng)措施，避免給雙方造成不必要的經(jīng)濟(jì)損失。聯(lián)系電話：010-82306118；郵箱：aet@chinaaet.com。