在單芯片上集成輸入邏輯界面、電平轉(zhuǎn)換電路、自舉充電電路、柵極驅(qū)動器的緩沖電路及配置為半橋器件的輸出氮化鎵場效應(yīng)晶體管，從而實現(xiàn)芯片級LGA封裝、細小的外形尺寸（3.9 毫米 x 2.6 毫米 x 0.63 毫米）。
     當48 V轉(zhuǎn)到12 V的降壓轉(zhuǎn)換器在1 MHz的開關(guān)頻率下工作，EPC2152 ePower 功率級集成電路可實現(xiàn)高于96% 的峰值效率，相比采用多個分立器件的解決方案，這個集成電路在PCB的占板面積少33%。

    EPC2152 是該系列的首個產(chǎn)品。該系列在未來會進一步推出采用芯片級封裝(CSP)及多芯片四方偏平模塊(QFM)的功率級IC。在未來一年內(nèi)將推出可在高達3至5 MHz頻率范圍工作、每級功率級的電流可高達15 A至30 A的產(chǎn)品.

    該產(chǎn)品系列使得設(shè)計師可以容易發(fā)揮氮化鎵技術(shù)的性能優(yōu)勢。 集成多個器件在單晶片上，設(shè)計師可以更容易設(shè)計、布局、組裝、節(jié)省占板面積及提高效率。

    宜普電源轉(zhuǎn)換公司首席執(zhí)行官兼共同創(chuàng)辦人Alex Lidow說，“分立式功率晶體管正在進入它的最后發(fā)展階段。硅基氮化鎵集成電路可以實現(xiàn)更高的性能、占板面積更小，省卻很多所需工程。” Alex 繼續(xù)說：“這個全新功率級集成電路系列是氮化鎵功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的最新發(fā)展里程，從集成多個分立式器件，以至集成更復雜的解決方案都可以，從而實現(xiàn)硅基解決方案所不能實現(xiàn)的電路性能、使得功率系統(tǒng)工程師可以更容易設(shè)計出高效的功率系統(tǒng)?！?/p>