地時(shí)間3月25日，三星電子宣布，將推出業(yè)內(nèi)首款采用極紫外光刻技術(shù)（EUV）設(shè)計(jì)的DRAM內(nèi)存模塊。

    作為全球領(lǐng)先的內(nèi)存制造商之一，三星表示，全球客戶對(duì)其首批100萬個(gè)10nm級(jí)DDR4 DRAM模塊的評(píng)價(jià)還不錯(cuò)，三星將很快開始處理全球分銷的訂單。

    EUV技術(shù)令內(nèi)存模塊的制造更加精確和快速。它通過減少重復(fù)步驟的次數(shù)來加速光刻過程，并促進(jìn)復(fù)雜芯片圖案的生產(chǎn)。意味著芯片性能精度會(huì)更高、開發(fā)時(shí)間會(huì)更短。

    三星并不是唯一一家專注于EUV技術(shù)的公司。臺(tái)積電去年就開始使用EUV技術(shù)生產(chǎn)其7nm N7＋芯片。根據(jù)公司的測(cè)試，這些芯片可以容納高達(dá)20％的晶體管密度，比使用氬氟化物激光光刻技術(shù)制造的老式N7芯片少10％的功耗。

    英特爾在近20年前就開始探索EUV工藝，英特爾目前正在為其新芯片生產(chǎn)線做準(zhǔn)備。去年夏天，英特爾的EUV研究員兼主管布里特·圖爾科特（Britt Turkot）說，工程師們?cè)谠O(shè)計(jì)使用EUV的生產(chǎn)系統(tǒng)時(shí)面臨挑戰(zhàn)，原因是它的復(fù)雜性和成本。芯片制造公司將需要建造新的設(shè)施來處理新技術(shù)。

    三星將在未來所有DRAM芯片上使用10nm EUV技術(shù)。這將包括基于d1的16GB DDR5和用于電腦的LPDDR5內(nèi)存芯片，預(yù)計(jì)將于2021年投入生產(chǎn)。它還包括用于智能手機(jī)的LPDDR4X RAM芯片。

    三星DRAM部門執(zhí)行副總裁李俊白Jung－bae Lee表示：“隨著我們基于EUV技術(shù)的新DRAM的量產(chǎn)，我們正在兌現(xiàn)為IT界提供革命性的DRAM解決方案的承諾。”