《電子技術(shù)應(yīng)用》
您所在的位置:首頁 > 電子元件 > 新品快遞 > Nexperia(安世半導(dǎo)體)宣布推出新一代 650V 氮化鎵 (GaN) 技術(shù)

Nexperia(安世半導(dǎo)體)宣布推出新一代 650V 氮化鎵 (GaN) 技術(shù)

2020-06-08
來源:ChinaAET
關(guān)鍵詞: GaNFET CCPAK AEC-Q101 氮化鎵 Nexperia

        2020 年 6 月 8 日:半導(dǎo)體基礎(chǔ)元器件生產(chǎn)領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia宣布推出一系列采用新一代H2技術(shù)的全新高壓氮化鎵場效應(yīng)管。新器件包含兩種封裝,TO-247 和Nexperia專有的CCPAK。兩者均實(shí)現(xiàn)了更出色的開關(guān)和導(dǎo)通性能,并具有更好的穩(wěn)定性。由于采用了級聯(lián)結(jié)構(gòu)并優(yōu)化了器件相關(guān)參數(shù),Nexperia的氮化鎵場效應(yīng)管無需復(fù)雜的驅(qū)動和控制,應(yīng)用設(shè)計(jì)大為簡化;使用標(biāo)準(zhǔn)的硅MOSFET 驅(qū)動器也可以很容易地驅(qū)動它們。

 

        新的氮化鎵技術(shù)采用了貫穿外延層的過孔,減少了缺陷并且芯片尺寸可縮小約24%。TO-247 封裝的新器件,導(dǎo)通電阻RDS(on)降低到僅 41mΩ(最大值,25℃的典型值為 35mΩ),同時(shí)具有高的柵級閥值電壓和低反向?qū)妷?。CCPAK封裝的新器件,將導(dǎo)通電阻值進(jìn)一步降低到39mΩ(最大值,25℃的典型值為 33mΩ)。兩種封裝的新器件均符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn),可滿足汽車應(yīng)用的要求。

 

        Nexperia氮化鎵戰(zhàn)略營銷總監(jiān) Dilder Chowdhury表示:“客戶需要導(dǎo)通電阻RDS(on)為30~40m?的650V新器件,以便實(shí)現(xiàn)經(jīng)濟(jì)高效的高功率轉(zhuǎn)換。相關(guān)的應(yīng)用包括電動汽車的車載充電器、高壓DC-DC直流轉(zhuǎn)換器和發(fā)動機(jī)牽引逆變器; 以及1.5~5kW鈦金級的工業(yè)電源,比如:機(jī)架裝配的電信設(shè)備、5G設(shè)備和數(shù)據(jù)中心相關(guān)設(shè)備。Nexperia持續(xù)投資氮化鎵開發(fā),并采用新技術(shù)擴(kuò)充產(chǎn)品組合。首先為功率模塊制造商提供了傳統(tǒng)的 TO-247封裝器件和裸芯片,并隨后提供我們高性能的CCPAK 貼片封裝的器件?!?/p>

 

        Nexperia 的 CCPAK貼片封裝采用了創(chuàng)新的銅夾片封裝技術(shù)來代替內(nèi)部的封裝引線。這樣可以減少寄生損耗,優(yōu)化電氣和熱性能,并提高可靠性。CCPAK封裝的氮化鎵器件提供頂部或底部散熱兩種配置,使其更通用,并有助于進(jìn)一步改善散熱。

 

        650V TO-247封裝的GAN041-650WSB 和 CCPAK 封裝的 GAN039-650NBB目前均可提供樣品。有關(guān)更多信息,包括產(chǎn)品規(guī)格和數(shù)據(jù)表,請?jiān)L問:www.nexperia.com/gan-fets。


本站內(nèi)容除特別聲明的原創(chuàng)文章之外,轉(zhuǎn)載內(nèi)容只為傳遞更多信息,并不代表本網(wǎng)站贊同其觀點(diǎn)。轉(zhuǎn)載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權(quán)歸版權(quán)所有權(quán)人所有。本站采用的非本站原創(chuàng)文章及圖片等內(nèi)容無法一一聯(lián)系確認(rèn)版權(quán)者。如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)和其它問題,請及時(shí)通過電子郵件或電話通知我們,以便迅速采取適當(dāng)措施,避免給雙方造成不必要的經(jīng)濟(jì)損失。聯(lián)系電話:010-82306118;郵箱:aet@chinaaet.com。