全球最大許可公司Xperi和以色列芯片巨頭高塔半導(dǎo)體（Tower Semiconductor），于6月10日共同宣布高塔半導(dǎo)體獲得Invensas ZiBond和DBI3D半導(dǎo)體互聯(lián)技術(shù)許可。這項(xiàng)技術(shù)將補(bǔ)充后者在BSI圖像傳感器，工業(yè)全球快門及300mm和200mm晶圓CMOS圖像傳感器上的一些不足。此外，高塔半導(dǎo)體也將借助Invensas拓展3D集成技術(shù)的應(yīng)用領(lǐng)域，包括存儲器和MEMS設(shè)備。

    高塔半導(dǎo)體高級副總裁及傳感器業(yè)務(wù)部門經(jīng)理Avi Strum表示，“高塔半導(dǎo)體正處于快速擴(kuò)張中，Xperi在直接和混合鍵合技術(shù)上的領(lǐng)先地位能夠使我們更好地支持公司客戶群快速發(fā)展的需求。3D堆疊架構(gòu)和集成是我們?yōu)榭蛻籼峁└邇r(jià)值、經(jīng)過驗(yàn)證的模擬半導(dǎo)體解決方案的戰(zhàn)略核心，包括為汽車、工業(yè)和高端攝影應(yīng)用程序提供事件驅(qū)動型和飛行時(shí)間（ToF）傳感器。”

    隨著高塔半導(dǎo)體最近發(fā)布完整的混合鍵合設(shè)計(jì)包，公司客戶現(xiàn)在可以在兩個不同的晶圓上開發(fā)他們的產(chǎn)品—成像晶片和混合信號CMOS晶片，這二者可以與電子連接一起堆疊，像素尺寸能夠從直接飛行時(shí)間和事件驅(qū)動型傳感器可采用的10um降至2.5um甚至更低，通常被應(yīng)用于人臉識別程序中的移動ToF。由于成像晶片那一面的照度和極低暗電流，這種分離于兩個晶圓的技術(shù)大大提升了CMOS電路的工作速度，也使其具有非常高的靈敏度像素。高塔的獨(dú)特平臺對于厚度不同的被用于增強(qiáng)近紅外靈敏度的外延片兼容性也更大。

    Xperi全資子公司Invensas總裁Craig Mitchell說：“我們相信高塔半導(dǎo)體會繼續(xù)加強(qiáng)其作為全球產(chǎn)業(yè)領(lǐng)先者，以及一個值得信賴的合作伙伴形象。我們的ZiBond和DBI技術(shù)支持各種設(shè)備的制造。我們也很高興能與高塔半導(dǎo)體合作，能夠?qū)⑽覀兊幕A(chǔ)3D集成技術(shù)部署到一系列新型傳感器中，特別是飛行時(shí)間傳感器，我們預(yù)計(jì)這些傳感器將越來越多地被應(yīng)用于汽車和其他工業(yè)應(yīng)用中?！?/p>

    3D半導(dǎo)體由于更小、更薄、性能更高，有望在汽車、工業(yè)、物聯(lián)網(wǎng)、邊緣計(jì)算和消費(fèi)設(shè)備市場掀起一波新的應(yīng)用浪潮。而Invensas已經(jīng)在半導(dǎo)體封裝和互連技術(shù)方面取得了根本性的進(jìn)展，這些技術(shù)是制造3D堆疊芯片所必需的，以滿足對尺寸和性能的要求。