·完全集成的HBM2E內(nèi)存接口解決方案，包括經(jīng)過驗證的PHY和控制器，實現(xiàn)了業(yè)界最快的性能

　　·新的性能標桿支持為人工智能/機器學習（AI/ML）訓練應用程序所要求TB級帶寬的加速器

　　·與SK hynix和Alchip合作開發(fā)2.5D HBM2E內(nèi)存系統(tǒng)解決方案，采用TSMC N7工藝和CoWoS?先進的封裝技術

　　·提供無與倫比的系統(tǒng)專業(yè)知識，支持客戶并提供中介層和封裝參考設計，加快上市時間

　　加州圣何塞2020年9月10日 -- Rambus Inc.（NASDAQ:RMBS）是一家專注于使數(shù)據(jù)更快更安全并領先業(yè)界的silicon IP和芯片提供商。今天，宣布它的 HBM2E內(nèi)存接口解決方案實現(xiàn)了創(chuàng)紀錄的4 Gbps性能。該解決方案由完全集成的PHY和控制器組成，搭配業(yè)界最快的，來自SK hynix的3.6Gbps運行速度的HBM2E DRAM，該解決方案可以從單個HBM2E設備提供460 GB/s的帶寬。此性能可以滿足TB級的帶寬需求，針對最苛刻的AI/ML訓練和高性能的加速器計算（HPC）應用而生。

　　Rambus HBM2E 4Gbps 發(fā)送端眼圖

　　“基于Rambus取得的此成就，AI和HPC系統(tǒng)的設計師們進行系統(tǒng)設計時就可以使用來自SK hynix 以3.6Gbps的速度運行世界上最快的HBM2E DRAM,” SK hynix 發(fā)言人，產(chǎn)品計劃副總裁Uksong Kang說道?！敖衲?月，我們宣布全面量產(chǎn)HBM2E，可用于要求最高帶寬的最新計算應用程序。”

　　完全集成并已可投產(chǎn)的Rambus HBM2E內(nèi)存子系統(tǒng)以4Gbps的速度運行，無需要求PHY電壓過載。Rambus與SK hynix和Alchip的合作，采用臺積公司領先的N7工藝和CoWoS?先進封裝技術，實現(xiàn)了HBM2E 2.5D系統(tǒng)在硅中驗證Rambus HBM2E PHY和內(nèi)存控制器IP。Alchip與Rambus的工程團隊共同設計，負責中介層和封裝基板的設計。

　　臺積公司設計基礎設施管理部資深部長Suk Lee表示：“Rambus及其合作伙伴基于臺積公司先進的制程工藝和封裝技術所取得的進步，是我們與Rambus持續(xù)合作的又一重要成果。我們期待與Rambus繼續(xù)合作，以實現(xiàn)AI/ML和HPC應用程序的最高性能。”

　　“透過本次合作，Alchip在7奈米和2.5D封裝設計方面取得了顯著的成功，”Alchip Technologies首席執(zhí)行官Johnny Shen說?！拔覀?yōu)镽ambus的突破性成就所做的貢獻感到非常自豪?！?/p>

　　Rambus擁有30年的高速內(nèi)存設計經(jīng)驗，并將其應用于最苛刻的計算應用。其著名的信號完整性專業(yè)知識是實現(xiàn)能夠運行4 Gbps的HBM2E內(nèi)存接口的關鍵。這為滿足AI/ML訓練中永不滿足的帶寬需求立下了一個新的標桿。

　　“隨著硅運算速度高達4 Gbps，對設計師們而言，可驗證未來HBM2E升級實現(xiàn)方向，并有信心為3.6 Gbps的設計提供充足的裕量空間。” Rambus IP core 總經(jīng)理及資深總監(jiān) Matthew Jones說道：“參與每個客戶項目過程，Rambus提供2.5D封裝和中介層提供參考設計，以確保任務關鍵型AI/ML設計一步到位成功實現(xiàn)。”

　　Rambus HBM2E內(nèi)存接口（PHY和控制器）的優(yōu)點：

　　·實現(xiàn)了業(yè)界最高的每引腳4 Gbps的速度，基于單個3.6 Gbps HBM2E DRAM 3D設備提供460 GB的系統(tǒng)帶寬

　　·完全集成和驗證的HBM2E PHY和控制器降低了ASIC設計的復雜性，加快了上市時間

　　·包括2.5D封裝和中介層參考設計，作為IP授權的一部分

　　·提供Rambus系統(tǒng)和SI/PI專家直接對接咨詢的管道，幫助ASIC設計人員確保元器件和系統(tǒng)的最好的信號和電源完整性

　　·具有特色LabStation?軟件開發(fā)環(huán)境，有效隔離問題，協(xié)助客戶快速系統(tǒng)點亮、進行特性測試和調(diào)試除錯、

　　·支持高性能應用，包括最先進的AI/ML訓練和HPC系統(tǒng)