新冠疫情對存儲產(chǎn)業(yè)鏈供需的影響仍在持續(xù)。4月底至5月初，業(yè)內(nèi)人士爆料稱，國際存儲大廠的庫存水位下降，DRAM、NAND Flash的合約價漲幅超過10%。但到了6月，存儲價格卻開始下跌……

　　在錯綜復(fù)雜的大環(huán)境下，《國際電子商情》分析師與幾位存儲產(chǎn)業(yè)資深從業(yè)者，圍繞當(dāng)前存儲產(chǎn)業(yè)鏈的市場表現(xiàn)，做了深度地交流與探討。

　　往后是漲還是跌？

　　進(jìn)入到2020年，新冠疫情在全球的爆發(fā)，加大了存儲器件價格波動的概率。3月以來，多家存儲大廠被傳出“員工感染疫情”致使工廠停工。同時，業(yè)內(nèi)也出現(xiàn)了需求疲軟及供應(yīng)不暢等問題。4月底至5月初，有業(yè)內(nèi)人士向《國際電子商情》分析師爆料稱，三星、SK海力士和美光的庫存水位已降到4至6周，其中三星DRAM、NAND Flash的合約價上漲幅度超過10%，預(yù)計下半年或出現(xiàn)供應(yīng)緊張的局面。

　　不過，到第二季度末，存儲價格開始下跌，甚至一度跌到今年以來的新低。觀察近期存儲市場的表現(xiàn)：DRAM價格穩(wěn)步下滑，4Gb DDR4內(nèi)存顆粒中間價跌破2美元，SSD（固態(tài)硬盤）、內(nèi)存等產(chǎn)品在“618”期間大幅降價促銷……種種跡象都表明了，近半年來存儲器件的價格的波動顯著。

　　針對存儲的價格，慧榮科技產(chǎn)品企劃部協(xié)理黃士德圍繞NAND Flash做了一些分析。他表示，在新冠疫情發(fā)生之前， NAND Flash的價格就已經(jīng)上揚(yáng)。兩個因素擴(kuò)大了NAND Flash的需求面：第一，在數(shù)據(jù)中心中，SSD取代機(jī)械硬盤逐漸成為趨勢；第二，手機(jī)存儲容量在增大，需求也在持續(xù)提升。從供給面來看，去年大原廠停電、失火等不利事件也間接抬升了NAND Flash的價格。

　　另外，新冠疫情在全球的爆發(fā)，也助長了NAND Flash價格上漲。遠(yuǎn)程辦公、電子商務(wù)、網(wǎng)上教育、在線游戲等應(yīng)用的推動，促使數(shù)據(jù)中心的需求持續(xù)強(qiáng)勁。雖然通路庫存有所減少，但是國內(nèi)供應(yīng)商積極復(fù)工后，通路庫存也開始回補(bǔ)。需求面的支撐力度在今年年中向上反彈，不過預(yù)估存儲市場到下半年才能平穩(wěn)。

　　說到庫存，東芯半導(dǎo)體副總經(jīng)理陳磊強(qiáng)調(diào)說：“中國存儲芯片產(chǎn)業(yè)仍處于起步階段，對市場價格沒有明顯的影響作用。反觀國際主流大廠的影響力，其庫存水位對市場價格有調(diào)整作用。比如，庫存水位下降，可能是主力大廠供給暫時出現(xiàn)緊缺，或者新興應(yīng)用爆發(fā)導(dǎo)致市場需求激增。我司的策略是緊跟市場來調(diào)整價格，目前我們的庫存水位維持在正常水平?！?/p>

　　而深圳市芯天下技術(shù)有限公司（以下簡稱芯天下）執(zhí)行副總裁艾康林表示，NAND Flash和DRAM受行業(yè)周期和供求關(guān)系的影響很大，主要表現(xiàn)為價格在一定周期內(nèi)劇烈波動?！霸谶^去5年里IoT的發(fā)展極快，對NOR Flash的需求非常旺盛，再加上中美貿(mào)易戰(zhàn)推動了存儲國產(chǎn)化，使得在NOR Flash和NAND Flash產(chǎn)品上，出現(xiàn)了庫存水位低、上游供應(yīng)鏈緊張的局面?！?/p>

　　宜鼎芯存科技（深圳）有限公司總經(jīng)理游禮印稱，受全球新冠疫情影響，Q1渠道提貨的需求提前，到Q2渠道逐步消化庫存?，F(xiàn)在全球疫情趨緩，預(yù)估到下半年經(jīng)濟(jì)逐步復(fù)蘇，傳統(tǒng)電子業(yè)將進(jìn)入旺季。屆時，存儲的需求會逐步回溫，在上游產(chǎn)能適當(dāng)控制下，價格有上揚(yáng)的可能性。

　　中國存儲產(chǎn)業(yè)的機(jī)遇

　　近年來，我國把集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展放在首位。在整個集成電路中，占比最大的是存儲芯片，約占據(jù)40%的份額。為推動集成電路產(chǎn)業(yè)的進(jìn)步，中央政府已經(jīng)實(shí)施了多個有利舉措。投資方面，設(shè)立了國家大基金，投資方向瞄準(zhǔn)包括存儲企業(yè)在內(nèi)的半導(dǎo)體廠商；基建方面，要求加速“新基建”建設(shè)步伐，打造產(chǎn)業(yè)的升級、融合、創(chuàng)新的基礎(chǔ)設(shè)施體系。

　　·“新基建”將帶來什么？

　　“新基建”將帶動海量數(shù)據(jù)的產(chǎn)生，預(yù)計到2023年，實(shí)時數(shù)據(jù)占全球資料圈的24.5%。到2025年，全球新創(chuàng)建的資料量會達(dá)到175ZB。對存儲企業(yè)而言，未來迎來巨大機(jī)遇的同時，也將面臨更大的挑戰(zhàn)。

　　黃士德解釋說：“疫情期間，在線教育、遠(yuǎn)程辦公、醫(yī)療信息技術(shù)等應(yīng)用，造成線上數(shù)據(jù)量激增，帶來了更大容量存儲設(shè)備的需求。以‘圖像輔助醫(yī)療影像’為例，它在運(yùn)行過程中，需要從圖片或影像中提取數(shù)據(jù)，并對數(shù)據(jù)做標(biāo)記和特征比對，其爆發(fā)的計算量巨大，對存儲性能的要求極高。疫情結(jié)束后，企業(yè)會加速布局5G、AI，這將催生更多線上應(yīng)用?！?/p>

　　“新基建”應(yīng)用，需要高速且穩(wěn)定可靠的存儲芯片作數(shù)據(jù)站點(diǎn)。大容量存儲芯片方面，國內(nèi)存儲芯片廠商的技術(shù)和生產(chǎn)工藝與境外大廠有較大的差距。國內(nèi)當(dāng)前可量產(chǎn)的3D NAND產(chǎn)品與國外知名企業(yè)之間存在1至2代的技術(shù)差距，這要求國內(nèi)廠商更專注對存儲容量的提升和制造工藝技術(shù)的累積。

　　小容量存儲也將迎來更大的機(jī)遇。

　　日前，在ASPENCORE主辦的中國IC領(lǐng)袖峰會上，芯天下執(zhí)行副總裁王彬稱，“新基建”中的多個領(lǐng)域都涉及到小容量的Flash。比如：高特壓產(chǎn)業(yè)/電力行業(yè)對PLC、智能電表的更新和換代，會帶來NOR Flash的需求；智能制造、智能家居、智能安防、智能醫(yī)療等，會拉動小容量NOR Flash和SLC NAND Flash的需求；5G基站建設(shè)需要用到多顆512Mb-1Gb的NOR Flash等。

　　陳磊說：“東芯半導(dǎo)體聚焦中小容量NAND Flash、DRAM及低功耗中高容量NOR Flash。我們成功量產(chǎn)了38nm/24nm NAND Flash，65nm 1.8v低功耗產(chǎn)品、48nm SPI NOR Flash，8Gb SLC NAND Flash，低功耗移動式DRAM?；贒RAM和NAND Flash，還推出了MCP存儲器，主攻功能手機(jī)及4G/5G物聯(lián)網(wǎng)模塊市場。”

　　小結(jié)

　　突發(fā)疫情的確影響了今年存儲市場的表現(xiàn)。而具體對市場的影響有多大、程度有多深？主要由全球疫情何時結(jié)束來決定。

　　當(dāng)前，產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)要做的，是在艱難的時刻做好自己。