隨著5G、電動車等新應用興起，氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）等第三代半導體后市看好，臺廠在晶圓代工龍頭臺積電領頭下積極卡位，包括世界先進、漢磊、嘉晶、茂矽等也搶進未來每年高達10億美元的新世代半導體材料應用商機。

　　據研究機構IHS與Yole預測，碳化硅晶圓的全球電力與功率半導體市場產值，將從去年13億美元擴增至2025年的52億美元，龐大商機也讓許多IDM、硅晶圓與晶圓代工廠爭相擴大布局。

　　據悉，臺積電已小量提供6吋硅基氮化鎵（GaN-on-Si）晶圓代工服務，650伏特和100伏特氮化鎵積體電路技術平臺預計今年開發(fā)完成；今年初，臺積電也宣布結盟意法半導體，意法半導體將采用臺積電的氮化鎵制程技術生產氮化鎵產品，加速先進功率氮化鎵解決方案開發(fā)與上市，攜手搶攻電動車市場商機。

　　臺積電總裁魏哲家日前公開指出，氮化鎵擁有高效能、高電壓等特性，該公司在氮化鎵制程技術進展不錯，符合客戶要求，雖然目前還小量生產，他看好未來氮化鎵應用前景，預期將會廣泛且大量被使用。

　　至于臺積電轉投資的世界先進，在氮化鎵領域也投資研發(fā)多年，預計今年底前送樣給客戶進行產品驗證，初期供應電源相關應用產品；世界先進與設備材料廠Kyma及轉投資氮化鎵硅基板廠Qromis攜手合作，著眼開發(fā)可做到8吋的新基底高功率氮化鎵技術GaN-on-QST，今年底前送樣客戶做產品驗證，瞄準電源應用。

　　不僅臺積電與世界先進積極投入，漢磊、嘉晶、茂矽等中小型業(yè)者也在既有技術利基下，揮軍第三代半導體領域。

　　漢磊SiC 6吋產能已在試產，客戶端以電動車需求最大，其他也有資料中心客戶，漢磊日前表示，隨下半年驗證結果陸續(xù)出爐，明年對出貨量、營收貢獻有望逐步墊高。至于嘉晶，GaN on Si已完成650V磊晶平臺開發(fā)，并開發(fā)GaN on SiC及GaN on Si磊晶應用于射頻（RF）的產品，GaN on SiC預計年底驗證完成，GaN on Si則于明年驗證完成。

　　茂矽方面，開始逐步導入絕緣閘雙極電晶體（IGBT）、矽基氮化鎵（GaN-on-Si）等制程，可望搶下消費性市場訂單。