《電子技術(shù)應(yīng)用》
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臺積電工藝漂移:CPU可集成192GB內(nèi)存

2020-10-27
來源:與非網(wǎng)
關(guān)鍵詞: 臺積電 CoWoS 3D封裝技術(shù)

  在半導(dǎo)體工藝這件事情上,臺積電真是越做越精,越做越強(qiáng)大,幾乎拉開了什么都想玩一玩的英特爾。據(jù)媒體報道,作為全球一號代工廠,臺積電已經(jīng)開始大規(guī)模量產(chǎn)第六代 CoWoS 晶圓級芯片封裝技術(shù),集成度大大提高。

  我們知道,如今的高端半導(dǎo)體芯片越來越復(fù)雜,傳統(tǒng)的封裝技術(shù)已經(jīng)無法滿足,Intel、臺積電、三星等紛紛研發(fā)了各種 2.5D、3D 封裝技術(shù),將不同 IP 模塊以不同方式,整合封裝在一顆芯片內(nèi),從而減低制造難度和成本。

  CoWoS 的全稱為 Chip-on-Wafer-on-Substrate,是一種將芯片、基底都封裝在一起的技術(shù),并且是在晶圓層級上進(jìn)行,目前只有臺積電掌握,技術(shù)細(xì)節(jié)屬于商業(yè)機(jī)密。

  它屬于 2.5D 封裝技術(shù),常用于 HBM 高帶寬內(nèi)存的整合封裝,比如 AMD Radeon VII 游戲卡、NVIDIA V100 計算卡都屬于此類。

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  CoWoS 封裝結(jié)構(gòu)簡圖

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  Radeon VII 集成封裝了四顆 HBM

  臺積電當(dāng)然也不會披露第六代 CoWoS 的細(xì)節(jié),只是說可以在單個封裝內(nèi),集成多達(dá) 12 顆 HBM 內(nèi)存。

  最新的 HBM2E 已經(jīng)可以做到單顆容量 16GB,12 顆封裝在一起那就是海量的 192GB!


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