《電子技術應用》
您所在的位置:首頁 > 電子元件 > 新品快遞 > 按需式讀取的可集成固態(tài)量子存儲器問世

按需式讀取的可集成固態(tài)量子存儲器問世

2021-01-02
來源:新浪科技綜合

    本報合肥12月31日電(記者常河 通訊員桂運安)中國科學技術大學郭光燦院士團隊李傳鋒、周宗權研究組在量子存儲領域取得重要進展,首次實現(xiàn)按需式讀取的可集成固態(tài)量子存儲器。該成果日前發(fā)表于《物理評論快報》,對于實現(xiàn)大容量量子存儲、構建量子網(wǎng)絡具有重要意義。

  量子存儲器是構建大尺度量子網(wǎng)絡的核心器件?;诹孔哟鎯ζ鞯牧孔又欣^或量子U盤可以有效克服信道損耗,拓展量子網(wǎng)絡工作距離。李傳鋒、周宗權研究組長期致力于基于稀土摻雜晶體的固態(tài)量子存儲器研究,為了提升存儲容量、滿足應用需求,他們近年來發(fā)展了激光直寫技術,在稀土摻雜晶體上制備可集成量子存儲器。

  所謂按需式讀取,是指光子寫入存儲器以后再根據(jù)需求決定讀出的時間,它對實現(xiàn)量子網(wǎng)絡中同步操作等功能至關重要。然而,國際上已有的可集成固態(tài)量子存儲器都是基于簡單的原子頻率梳方案,其讀出時間在光子寫入之前已預先設定,無法按需讀取。為了實現(xiàn)按需式讀取,該研究組采用一種改進的量子存儲方案,即電場調制的原子頻率梳方案,通過引入兩個電脈沖,利用斯塔克效應實時操控稀土離子的演化,從而控制存儲器的讀出時間。

  該研究組首先使用飛秒激光在摻銪硅酸釔晶體表面制備出“面上光波導”,然后在“面上光波導”的兩側加工兩個面上電極,從而實時操控存儲過程,實現(xiàn)按需式讀取。實驗中,光波導插入損耗在1分貝以下,這是目前可集成固態(tài)量子存儲器的最優(yōu)水平。

  該研究組在國際上首次實現(xiàn)按需式讀取的可集成固態(tài)量子存儲器,存儲保真度為99.3%±0.2%。這一結果接近他們2012年在塊狀晶體中創(chuàng)下的量子存儲保真度最高紀錄(99.9%),表明這種可集成量子存儲器具有極高的可靠性。


本站內容除特別聲明的原創(chuàng)文章之外,轉載內容只為傳遞更多信息,并不代表本網(wǎng)站贊同其觀點。轉載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權歸版權所有權人所有。本站采用的非本站原創(chuàng)文章及圖片等內容無法一一聯(lián)系確認版權者。如涉及作品內容、版權和其它問題,請及時通過電子郵件或電話通知我們,以便迅速采取適當措施,避免給雙方造成不必要的經(jīng)濟損失。聯(lián)系電話:010-82306118;郵箱:aet@chinaaet.com。