超小型集成電路已經(jīng)徹底變革了手機(jī)、家用電器、汽車以及其他日常技術(shù)，為了進(jìn)一步讓此類電子設(shè)備小型化，實(shí)現(xiàn)高端功能，必須以三維方式可靠地制造此類電路。蝕刻硅以實(shí)現(xiàn)超精細(xì)3D形狀非常艱難，因?yàn)榧词故窃谠映叨壬显斐蓳p傷也會(huì)降低設(shè)備的性能。

　　據(jù)外媒報(bào)道，日本奈良先端科學(xué)技術(shù)大學(xué)院大學(xué)（Nara Institute of Science and Technology，NAIST）研究了一種新方法，在原子尺度上將硅蝕刻成光滑金字塔的形狀。此前，在此類硅金字塔上涂覆薄薄的一層鐵讓其具有磁性只是理論上的想法，現(xiàn)在卻可以成真了。

　　硅金字塔（圖片來源：奈良先端科學(xué)技術(shù)大學(xué)院大學(xué)）

　　NAIST研究員兼該研究資深作者Ken Hattori一直都在原子控制納米技術(shù)領(lǐng)域廣泛發(fā)表論文，其研究的重點(diǎn)之一是改進(jìn)硅基技術(shù)的功能性。他表示：“硅是現(xiàn)代電子設(shè)備的主力，因?yàn)槠淇梢猿蔀橐粋€(gè)半導(dǎo)體或一個(gè)絕緣體，而且是一種豐富的元素。不過，未來的技術(shù)進(jìn)步需要以3D方式制作出在原子層面上很光滑的設(shè)備?！?/p>

　　結(jié)合標(biāo)準(zhǔn)干蝕刻法和化學(xué)蝕刻法是制備金字塔形硅納米結(jié)構(gòu)陣列的必要方法。到目前為止，制備在原子層面、表面光滑的硅一直極具挑戰(zhàn)性。

　　該研究的首席作者Aydar Irmikimov表示：“我們制成的等腰硅金字塔排列有序，大小相同，而且各方都是平面。此外，我們利用低能電子衍射圖和電子顯微鏡證實(shí)了此類發(fā)現(xiàn)?！?/p>

　　在硅上沉積一層30納米厚的鐵，可以讓其具有磁性。在原子層面上的金字塔方向確定了其方向，也確定了覆蓋的鐵的特性。

　　Irmikimov表示：“我們的技術(shù)可以通過調(diào)整基底的形狀，簡單地制造出圓形磁陣列，該方法與諸如自旋電子學(xué)等通過自旋而不是電子電荷來編碼信息的先進(jìn)技術(shù)結(jié)合在一起，可大大提升三維電子設(shè)備的功能性?！?/p>