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2020年，中國(guó)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)迎來(lái)豐年。隨著長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)正式出售DDR4內(nèi)存芯片、LPDDR4X內(nèi)存芯片，威剛、江波龍、七彩虹、金泰克等內(nèi)存廠商紛紛推出基于長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)內(nèi)存芯片的國(guó)產(chǎn)內(nèi)存條。隨著長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND產(chǎn)品穩(wěn)定量產(chǎn)，聯(lián)蕓、得一微、群聯(lián)、慧容等主控芯片廠商紛紛推出支持長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND的主控，朗科、光威、臺(tái)電、國(guó)科微等固態(tài)硬盤廠商也陸續(xù)推出基于長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND的純國(guó)產(chǎn)SSD產(chǎn)品。
2020年2月份，固態(tài)存儲(chǔ)協(xié)會(huì)（JEDEC）發(fā)布第三版HBM2存儲(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)JESD235C，也就是HBM2e，將針腳帶寬提高到3.2Gbps，前兩版中依次是2Gbps、2.4Gbps，環(huán)比提升33%。目前JEDEC在討論制定HBM3產(chǎn)品的標(biāo)準(zhǔn)。
NAND方面，2020年各主力廠商等主要是擴(kuò)大9x層3D NAND在市場(chǎng)上的普及提高1XX層3D NAND的生產(chǎn)比重，并積極推動(dòng)在SSD產(chǎn)品中的應(yīng)用。
DRAM方面，2020年各主力廠商等主要是從第二代1Ynm全面向第三代1Znm推進(jìn)；到第四代將大規(guī)模導(dǎo)入EUV工藝，量產(chǎn)1αnm級(jí)之后。
下面回顧一下2020年全球存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域發(fā)生的大事。
國(guó)內(nèi)篇
長(zhǎng)江存儲(chǔ)YMTC
2020年4月13日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布128層QLC 3D NAND閃存研發(fā)成功，并已經(jīng)在多家控制器廠商SSD等終端存儲(chǔ)產(chǎn)品上通過(guò)驗(yàn)證，該公司此次共發(fā)布兩款產(chǎn)能品，一款是128層QLC規(guī)格的3DNAND閃存X2-6070，一款是128層512GbTLC（3bit/cell）規(guī)格閃存芯片X2-9060。值得一提的是，128層QLC規(guī)格的3DNAND閃存是業(yè)界首款，當(dāng)前各大廠商推出的QLC規(guī)格基本是在96層。
2020年6月20日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目二期正式開工建設(shè)。國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目總投資達(dá)240億美元，分兩期建設(shè)3D NAND芯片工廠。項(xiàng)目一期于2016年底開工建設(shè)，進(jìn)展順利，32層、64層存儲(chǔ)芯片產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定量產(chǎn)，并成功研制出全球首款128層QLC三維閃存芯片，并規(guī)劃建成10萬(wàn)片/月產(chǎn)能，二期規(guī)劃產(chǎn)能20萬(wàn)片/月，兩期項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后月產(chǎn)能共計(jì)30萬(wàn)片。
2020年9月10日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)推出致鈦系列兩款消費(fèi)級(jí)SSD新品，分別為PCIe接口PC005 Active和SATA接口SC001 Active，兼具強(qiáng)勁的性能和可靠的品質(zhì)。
武漢新芯XMC
2020年5月13日，武漢新芯宣布其采用50nm FloatingGate工藝SPI NOR Flash寬電壓產(chǎn)品系列XM25QWxxC全線量產(chǎn)，產(chǎn)品容量覆蓋16Mb到256Mb。XM25QWxxC系列產(chǎn)品在性能和成本方面進(jìn)一步提高了競(jìng)爭(zhēng)力。
長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)CXMT
2020年2月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)正式出售DDR4內(nèi)存芯片、LPDDR4X內(nèi)存芯片，全部產(chǎn)品都符合國(guó)際通行標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范，并已開始接受上述產(chǎn)品的技術(shù)和銷售咨詢。隨著長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)內(nèi)存芯片正式開賣，威剛、江波龍、七彩虹、金泰克等內(nèi)存廠商紛紛推出基于長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)內(nèi)存芯片的國(guó)產(chǎn)內(nèi)存條。
2020年4月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)與美國(guó)半導(dǎo)體公司Rambus Inc.簽署專利許可協(xié)議。依據(jù)此協(xié)議，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)從藍(lán)鉑世獲得大量DRAM技術(shù)專利的實(shí)施許可，持續(xù)強(qiáng)化公司知識(shí)產(chǎn)權(quán)組合。
2020年7月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)開始批量招聘運(yùn)營(yíng)人員。
2020年11月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)母公司睿力集成獲得149億元增資。根據(jù)出資方兆易創(chuàng)新公告顯現(xiàn)，該公司擬出資3億元與長(zhǎng)鑫集成、石溪集電、大基金二期、三重一創(chuàng)等多名投資人簽署協(xié)議，共同參與睿力集成增資事項(xiàng)，增資完成后，公司持有睿力集成約0.85%股權(quán)。增資前，睿力集成的注冊(cè)資本為189億元，其中石溪集電持股69.01%，長(zhǎng)鑫集成持股30.99%；增資后，睿力集成的注冊(cè)資本將增至337.99億元，石溪集電和長(zhǎng)鑫集成的持股比例分別將降至38.59%和19.72%，大基金二期和兆易創(chuàng)新將各自持股14.08%。
海外篇
SK海力士（SK Hynix）
SK海力士在2019年底宣布在2020年進(jìn)行一系列的人事調(diào)動(dòng)和業(yè)務(wù)重組，其中將DRAM和NAND Flash兩大開發(fā)部門整合在一起，實(shí)現(xiàn)從開發(fā)、制造，以及業(yè)務(wù)的后期處理等統(tǒng)一的管理。重組后，SK海力士首席半導(dǎo)體技術(shù)專家Jin Kyo-won提升為開發(fā)制造總裁，負(fù)責(zé)DRAM和NAND Flash從開發(fā)到批量生產(chǎn)，提高運(yùn)營(yíng)效率。
SK海力士已經(jīng)在韓國(guó)利川M16工廠安裝EUV機(jī)臺(tái)，推動(dòng)第四代1αnm DRAM量產(chǎn)，將在2021年上半投片，下半產(chǎn)品出貨。
2020年10月20日，和英特爾達(dá)成了收購(gòu)協(xié)議，根據(jù)協(xié)議，SK海力士將向英特爾支付90億美元，收購(gòu)的范圍包括英特爾在美國(guó)的固態(tài)驅(qū)動(dòng)器業(yè)務(wù)、芯片部門和英特爾在中國(guó)大連的工廠，雙方需要等到明年年底之前完成批準(zhǔn)程序。但是不包括英特爾Optane業(yè)務(wù)。
2020年12月SK海力士宣布推出176層4D NAND，與上一代相比，Bit生產(chǎn)率將提高35%以上，讀取速度加快了20%，數(shù)據(jù)傳輸速度也提高了33%，達(dá)到1.6Gbps，稍晚些還將推出基于176層的1Tb容量4D NAND，預(yù)計(jì)2021年中將有基于176層4D NAND新技術(shù)的UFS和SSD產(chǎn)品面世。
美光（Micron）
2020年美光宣布進(jìn)入HBM市場(chǎng)，4月推出首個(gè)HBM2E樣品，8月發(fā)布HBM2E規(guī)格，一是四堆疊、單片容量2Gb，二是八堆疊、單片容量2Gb，對(duì)應(yīng)單顆容量8GB、16GB，數(shù)據(jù)率3.2Gbps或更高，搭配1024-bit位寬的話就是410GB/s的總帶寬。如果四顆組合，可以獲得總?cè)萘?4GB、總帶寬1.64TB/s。
2020年11月宣布開始批量生產(chǎn)全球首個(gè)176層3D NAND Flash，其讀取延遲和寫入延遲將改善35%以上，最大數(shù)據(jù)傳輸速率1600 MT/s，提高了33%，混合工作負(fù)載性能提高15%，緊湊設(shè)計(jì)使裸片尺寸減小約30%，每片Wafer將產(chǎn)生更多的GB當(dāng)量的NAND Flash。
美光提高1Znm LPDDR5產(chǎn)量，以及推動(dòng)GDDR6X不斷創(chuàng)新，同時(shí)處于研發(fā)階段的1αnm DRAM計(jì)劃將在2021上半年量產(chǎn)，在成熟良率下，1αnm工藝節(jié)點(diǎn)比1Znm節(jié)點(diǎn)每片Wafer晶圓增加40%的Bit量，1βnm工藝正處于初期研發(fā)階段。
美光正在臺(tái)灣中科廠擴(kuò)建A3工廠潔凈室，預(yù)估將在2021年投入量產(chǎn)1Znm或1αnm DRAM，同時(shí)美光也計(jì)劃將在2021年提出建設(shè)A5廠項(xiàng)目的申請(qǐng)，持續(xù)加碼投資DRAM，將用于1Znm制程之后的微縮技術(shù)發(fā)展，進(jìn)一步擴(kuò)大先進(jìn)技術(shù)的量產(chǎn)規(guī)模。
2020年12月3日美光桃園工廠發(fā)生無(wú)預(yù)警停電事件。桃園工廠主要使用10nm級(jí)工藝技術(shù)制造DDR4和LPDDR4內(nèi)存，每月的產(chǎn)能約為12.5萬(wàn)片晶圓，約占全球DRAM供應(yīng)的8.8%。
三星（Samsung）
2020年2月，三星正式宣布推出其16GB HBM2E產(chǎn)品Flashbolt，8月開始量產(chǎn)。
2021年計(jì)劃量產(chǎn)第七代V-NAND，使用“雙堆棧”技術(shù)，具體堆疊層數(shù)并未透露，而三星在128層工藝節(jié)點(diǎn)，采用的是“單堆?！奔夹g(shù)生產(chǎn)3D NAND。三星也強(qiáng)調(diào)，采用“雙堆?！奔夹g(shù)，不僅更具技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)力，3D NAND也有望堆疊層數(shù)達(dá)到256層，但并不一定意味著三星第七代NAND將具有這種配置。
2020年，三星量產(chǎn)的16Gb LPDDR5首次導(dǎo)入EUV工藝，基于1Znm制程技術(shù)，更先進(jìn)的技術(shù)相較于12Gb容量提升了33%，封裝的厚度也薄了30%。同時(shí)，三星也規(guī)劃將在2021年大量生產(chǎn)基于第四代10nm級(jí)（1α）EUV工藝的16Gb DDR5/LPDDR5。
2020年3月，三星西安二期1階段正式投產(chǎn)，到2020年7月二期第一階段產(chǎn)能接近滿載。目前三星西安基地3D NAND月產(chǎn)能已經(jīng)達(dá)到18萬(wàn)片規(guī)模，較2019年增幅50%。
2020年4月，三星西安二期第二階段正式開工建設(shè)，預(yù)計(jì)2021年下半年竣工投產(chǎn)。
2020年第四季平澤P2工廠批量投產(chǎn)第二代（1ynm）和第三代（1znm）10nm級(jí)DRAM，預(yù)估初期月產(chǎn)能約3萬(wàn)片12英寸晶圓。
2020年6月，平澤P2工廠追加投資8萬(wàn)億韓元新建第六代NAND Flash產(chǎn)線，計(jì)劃2021下半年開始量產(chǎn)。
三星規(guī)劃在平澤建設(shè)P3，建設(shè)總投資預(yù)計(jì)達(dá)30萬(wàn)億韓元，推測(cè)P3可能在2023年下半年開始大規(guī)模生產(chǎn)。同時(shí)P4，P5，P6設(shè)施的建設(shè)將按計(jì)劃逐步進(jìn)行。
三星電子存儲(chǔ)事業(yè)部發(fā)生人事變動(dòng)，DRAM開發(fā)副社長(zhǎng)Lee Jung-bae升遷為三星電子存儲(chǔ)事業(yè)部社長(zhǎng)；三星電子存儲(chǔ)器制造技術(shù)部Choi Si-young副社長(zhǎng)升遷為三星電子Foundry事業(yè)部社長(zhǎng)。
鎧俠（Kioxia）
2020年1月7日，鎧俠位于日本四日市的Fab6晶圓廠傳出火警，著火地點(diǎn)是在工廠的無(wú)塵室。
2020年2月，鎧俠宣布第五代BiCS 3D NAND研發(fā)成功。BiCS5的設(shè)計(jì)使用了112層，而BiCS4使用了96層，就層數(shù)而言，112層比96層僅增加了約16%，但西數(shù)和鎧俠聲稱其密度增加了40%。接口速度提高了50%，達(dá)到1.2GT/s。2020年7月實(shí)現(xiàn)商業(yè)化量產(chǎn)。
2020年第一季，鎧俠位于巖手縣北上市的新工廠K1開始投產(chǎn)96層3D NAND。K1 工廠于2018 年 7 月舉行奠基儀式，于 2019 年 10 月竣工，初期建設(shè)投資 70 億日元，占地面積約為 15 萬(wàn)平方米。
2020年4月20日，鎧俠K1工廠受地震影響停機(jī)進(jìn)行檢查，預(yù)計(jì)地震對(duì)其造成了一定影響。
2020年10月，鎧俠宣布四日市存儲(chǔ)器生產(chǎn)基地興建Fab7工廠。Fab 7的建設(shè)分為兩個(gè)階段，第一階段的建設(shè)預(yù)計(jì)在2022年春季前完成。鎧俠表示Fab 7工廠將采用減震結(jié)構(gòu)和環(huán)保設(shè)計(jì)，并將引入利用AI的先進(jìn)制造系統(tǒng)來(lái)進(jìn)一步提高生產(chǎn)力。
2020年12月，鎧俠宣布將在K1工廠旁擴(kuò)建K2廠區(qū)。前期工作將于2021年春季開始，2022年春季建造，2024年投產(chǎn)。
因?yàn)槭袌?chǎng)行情持續(xù)動(dòng)蕩及“疫情”爆發(fā)帶來(lái)的不確定性，鎧俠推遲了原本在2020年10月6日的上市計(jì)劃，并將繼續(xù)評(píng)估上市的合適時(shí)機(jī)。