在本月初，美光公布了截止到12月3日的2021財(cái)年第一季度財(cái)報(bào)。財(cái)報(bào)顯示，公司在本季度的收入達(dá)到57.7億美元，同比增長(zhǎng)12％。在凈收入方面則同比增長(zhǎng)63.5％到8.03億美元。據(jù)美光總裁兼首席執(zhí)行官Sanjay Mehrotra在財(cái)報(bào)會(huì)上所說(shuō)：“內(nèi)存和存儲(chǔ)行業(yè)的營(yíng)收增長(zhǎng)速度超過(guò)了整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)，從2000年初的約10％增長(zhǎng)到現(xiàn)在的近30％?！?br/>

　　美光執(zhí)行副總裁兼首席商務(wù)官Sumit Sadana 先生在日前的一場(chǎng)媒體會(huì)上也告訴半導(dǎo)體行業(yè)觀察記者，展望下一個(gè)十年，我們可以看到半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的增長(zhǎng)將會(huì)比全球的GDP增長(zhǎng)更快。尤其是在包括DRAM和NAND Flash在內(nèi)的存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)，這個(gè)成長(zhǎng)需求將會(huì)更高。這主要得益于類(lèi)似云、邊緣智能、5G基礎(chǔ)設(shè)施、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)和智聯(lián)汽車(chē)在內(nèi)的新趨勢(shì)帶來(lái)的推動(dòng)。

　　2021年的全球存儲(chǔ)市場(chǎng)預(yù)測(cè)

　　“這將給美光創(chuàng)造很多新的機(jī)會(huì)”，Sumit Sadana補(bǔ)充說(shuō)。

　　廣泛的產(chǎn)品布局

　　眾所周知，美光是一個(gè)以存儲(chǔ)技術(shù)聞名的企業(yè)，尤其是DRAM產(chǎn)品，更是美光得以傲視存儲(chǔ)市場(chǎng)的重要倚仗。根據(jù)公司最新一季的財(cái)報(bào)，DRAM貢獻(xiàn)了70％左右的營(yíng)收（約40.56億美元），當(dāng)中不但包括了大家廣為熟悉的DDR和LPDDR產(chǎn)品，并推出了類(lèi)似LPDDR5這些 新產(chǎn)品外。美光還有HBM2E和GDDR等技術(shù)，其中最近針對(duì)AI和GPU對(duì)高帶寬需求而推出的GDDR6X更是創(chuàng)下了記錄。

　　2020年9月，美光與圖形計(jì)算技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者 NVIDIA 合作，首次在全新的 NVIDIA GeForce RTX 3090 和 GeForce RTX 3080 圖形處理器（GPU）中搭載了GDDR6X。據(jù)美光介紹，自 2006 年起，公司的工程師和研究人員已開(kāi)始探索在內(nèi)存接口應(yīng)用多級(jí)信號(hào)技術(shù)。在申請(qǐng)了 45 項(xiàng)專(zhuān)利后，美光率先在內(nèi)存中應(yīng)用 PAM4，為下一代圖形內(nèi)存樹(shù)立了新標(biāo)桿。

　　美光表示，通過(guò)采用 PAM4 多級(jí)信號(hào)技術(shù)，他們的GDDR6X實(shí)現(xiàn)了更快的數(shù)據(jù)傳輸，輸入/輸出 （I/O） 數(shù)據(jù)速率提升了一倍。從他們的介紹我們得知，此前，顯存帶寬最高可達(dá) 64 GB/s，傳統(tǒng)二進(jìn)制標(biāo)準(zhǔn)依賴(lài)兩級(jí)信號(hào)傳輸編碼為 1s 或 0s 的數(shù)據(jù)，每周期可傳輸一位數(shù)據(jù)。而美光新型的 PAM4 技術(shù)采用四個(gè)不同層級(jí)，同時(shí)向內(nèi)存輸入及輸出兩位數(shù)據(jù)。由此，美光的 GDDR6X 將單顆粒的內(nèi)存帶寬顯著提升至 84 GB/s，從而使系統(tǒng)帶寬提升為之前無(wú)法想象的1 TB/s。

　　此外，GDDR6X實(shí)現(xiàn)了更低的單任務(wù)能耗 （pJ/bit），通過(guò)更快的速度和更低的功耗，滿足游戲和其他高帶寬圖形應(yīng)用等高能耗工作負(fù)載。GDDR6X 還具有調(diào)整功耗高低的功能用戶可調(diào)低性能節(jié)省能耗。

　　NAND Flash則是美光第二大營(yíng)收來(lái)源，財(cái)報(bào)顯示，來(lái)自這個(gè)業(yè)務(wù)部門(mén)的營(yíng)收在公司總營(yíng)收中占比27%（約15.74億美元）。這主要得益于公司在QLC NAND方面布局。而這又是美光存儲(chǔ)的另一個(gè)“殺手锏”。

　　熟悉存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的讀者應(yīng)該知道，NAND Flash有四種架構(gòu)，分別是SLC，MLC，TLC和QLC，分別代表一個(gè)存儲(chǔ)單元里里可存放1、2、3和4位元的數(shù)據(jù)。其中LC儲(chǔ)存單元中儲(chǔ)存的更多的元數(shù)據(jù)，消費(fèi)者可以用更低的 價(jià)格獲得更多的容量！但代價(jià)是降低效能和壽命，為此當(dāng)前大多數(shù)閃存公司都是選用TLC。但美光表示，公司先進(jìn)的QLC技術(shù)，克服了SSD成本過(guò)高的問(wèn)題，保留了強(qiáng)大效能，無(wú)論是實(shí)時(shí)分析，機(jī)器學(xué)習(xí)或人工智能應(yīng)用，QLC NAND都將成為最得力助力。

　　財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)顯示，在2020年第二財(cái)季，美光QLC SSD的位出貨量環(huán)比增長(zhǎng)60％，當(dāng)中相當(dāng)一部分消費(fèi)類(lèi)SSD現(xiàn)在采用QLC技術(shù)發(fā)貨。由此可以看到美光的QLC NAND Flash技術(shù)在市場(chǎng)上的認(rèn)可度的提升。

　　除了以上兩種產(chǎn)品外，美光還有3D XPoint的布局。按照美光所說(shuō)，他們是市場(chǎng)上唯一同時(shí)擁有DRAM、NAND Flash和3D Xpoint存儲(chǔ)產(chǎn)品線的企業(yè)。所謂3D XPoint，是一項(xiàng)旨在填補(bǔ)動(dòng)態(tài)DRAM和 NAND 閃存之間的存儲(chǔ)市場(chǎng)空白的技術(shù)。

　　2019年10月 ，美光終于推出號(hào)稱(chēng)世界上最快的SSD--美光X100 SSD，這是3D XPoin技術(shù)在非易失性存儲(chǔ)器領(lǐng)域的突破。按照他們介紹，這個(gè)產(chǎn)品在當(dāng)時(shí)擁有高性能本地存儲(chǔ)、業(yè)界最高的帶寬、超低延遲、應(yīng)用程序加速、小型存儲(chǔ)中的高性能和易于采用等特性。雖然這個(gè)產(chǎn)品的銷(xiāo)售并不盡如人意，但從多方消息看來(lái)，美光會(huì)繼續(xù)在上面進(jìn)行投入，將其拓寬到更多的領(lǐng)域。

　　在存儲(chǔ)方面，美光還有Nor Flash等技術(shù)，這些高性能的產(chǎn)品被應(yīng)用到了汽車(chē)等多個(gè)領(lǐng)域，而為了保護(hù)客戶的安全，美光還提供了業(yè)界領(lǐng)先的安全技術(shù)。如由美光所提供的Authenta技術(shù)，可以讓美光與生態(tài)體系的不同伙伴一起合作，是的設(shè)備在大規(guī)模部署出去的時(shí)候，都是安全的，不會(huì)受到黑客或者是網(wǎng)絡(luò)安全、網(wǎng)絡(luò)威脅相關(guān)事情的影響。

　　新存儲(chǔ)技術(shù)亮相

　　能在存儲(chǔ)領(lǐng)域保持多年的領(lǐng)先地位，深厚的技術(shù)積累和因應(yīng)市場(chǎng)需求推出高性?xún)r(jià)比的產(chǎn)品在其中發(fā)揮了重要的作用，例如最近，美光推出的全新NAND Flash和DRAM技術(shù)，就為他們迎來(lái)數(shù)據(jù)爆發(fā)新時(shí)代做好了準(zhǔn)備。

　　首先看NAND Flash方面。正如很多文章里所說(shuō)，為了提升NAND Flash的存儲(chǔ)密度，在過(guò)去多年里，行業(yè)廠商已經(jīng)從2D NAND走向了3D NAND，并在最近幾年的發(fā)展中，將3D NAND Flash的層數(shù)和密度進(jìn)一步提升。在2020年11月，美光宣布已批量出貨全球首款 176 層 3D NAND 閃存，這又一次刷新了行業(yè)的記錄。

　　據(jù)介紹，該款 176 層 NAND 產(chǎn)品采用美光第五代 3D NAND 技術(shù)和第二代替換柵極架構(gòu)，是市場(chǎng)上最先進(jìn)的 NAND 技術(shù)節(jié)點(diǎn)。與美光的上一代大容量 3D NAND 產(chǎn)品相比，176 層 NAND 將數(shù)據(jù)讀取和寫(xiě)入延遲縮短了 35% 以上，極大地提高了應(yīng)用的性能。（對(duì)比數(shù)據(jù)基于美光大容量浮動(dòng)?xùn)艠O 96 層 NAND。如對(duì)比 128 層替換柵極 NAND，美光 176 層 NAND產(chǎn)品的數(shù)據(jù)讀取和寫(xiě)入延遲均降低 25% 以上）。因?yàn)椴捎镁o湊型的設(shè)計(jì)，美光176 層 NAND的 裸片尺寸比市場(chǎng)最接近同類(lèi)產(chǎn)品縮小近 30%，是滿足小尺寸應(yīng)用需求的理想解決方案。

　　美光技術(shù)與產(chǎn)品執(zhí)行副總裁 Scott DeBoer 則指出：“美光的 176 層 NAND 樹(shù)立了閃存行業(yè)的新標(biāo)桿，與最接近的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手同類(lèi)產(chǎn)品相比，堆疊層數(shù)多出近 40%。結(jié)合美光的 CMOS 陣列下 （CMOS-under-array） 架構(gòu)，該項(xiàng)技術(shù)幫助美光繼續(xù)在成本方面保持行業(yè)領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)?！?/p>

　　與此同時(shí)，同時(shí)，美光還將 NAND 單元技術(shù)從傳統(tǒng)的浮動(dòng)?xùn)艠O過(guò)渡到電荷捕獲，提高了未來(lái) NAND 的可擴(kuò)展性和性能。除了電荷捕獲技術(shù)，美光還采用了替換柵極架構(gòu)，利用其中的高導(dǎo)電性金屬字線取代硅層，實(shí)現(xiàn)了出類(lèi)拔萃的 3D NAND 性能。采用該技術(shù)后，讓美光將大幅度降低成本，繼續(xù)領(lǐng)跑業(yè)界。

　　其次再看DRAM方面，為了進(jìn)一步提升其密度、功耗和性能，美光領(lǐng)先于業(yè)界推出了 1α DRAM制程技術(shù)。

　　據(jù)介紹，美光的1α節(jié)點(diǎn)繼續(xù)使用6F2位線設(shè)計(jì)。但公司已經(jīng)實(shí)施了許多創(chuàng)新，以采用最新的制造工藝來(lái)縮小其DRAM。從數(shù)據(jù)來(lái)看，如上圖所示，對(duì)比其上一代的 1z DRAM 制程，美光1α 技術(shù)將內(nèi)存密度提升了 40%，還能使內(nèi)存解決方案更節(jié)能、更可靠，并為需要最佳低功耗 DRAM 產(chǎn)品的移動(dòng)平臺(tái)帶來(lái)運(yùn)行速度更快的 LPDDR5。據(jù)美光方面透露，1α 技術(shù)能為移動(dòng)行業(yè)提供最低功耗的 DRAM 平臺(tái)，實(shí)現(xiàn)了 15% 的節(jié)能，使 5G 用戶在不犧牲續(xù)航的同時(shí)能在手機(jī)上進(jìn)行更多任務(wù)操作。

　　美光及貿(mào)易部指出，1α 先進(jìn)內(nèi)存節(jié)點(diǎn)提供 8Gb 至 16Gb 的密度，將助力美光現(xiàn)有的 DDR4 和 LPDDR4 系列產(chǎn)品延長(zhǎng)生命周期，并能為美光在服務(wù)器、客戶端、網(wǎng)絡(luò)和嵌入式領(lǐng)域的客戶提供更低功耗、更可靠的產(chǎn)品及更全面的產(chǎn)品支持，從而降低客戶再次驗(yàn)證的成本。對(duì)于具備較長(zhǎng)產(chǎn)品生命周期的汽車(chē)嵌入式解決方案、工業(yè) PC 和邊緣服務(wù)器等應(yīng)用場(chǎng)景而言，美光的1α 制程同樣保證了在整個(gè)系統(tǒng)生命周期內(nèi)更具優(yōu)勢(shì)的總體擁有成本。

　　關(guān)于缺貨、EUV和其他

　　在存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)，現(xiàn)在的關(guān)注熱點(diǎn)除了缺貨、漲價(jià)和產(chǎn)能規(guī)劃外，DRAM產(chǎn)業(yè)對(duì)EUV的采用也是另一個(gè)重點(diǎn)。針對(duì)這些問(wèn)題，美光執(zhí)行副總裁兼首席商務(wù)官Sumit Sadana 先生在日前的舉辦的媒體會(huì)上都做了一一回答。

　　首先在存儲(chǔ)缺貨問(wèn)題上，Sumit Sadana 回應(yīng)道，在疫情一開(kāi)始的時(shí)候，美光發(fā)現(xiàn)來(lái)自汽車(chē)行業(yè)或者是智能手機(jī)行業(yè)的需求是下降的。但是到后來(lái)，他們看到這方面的需求也大幅度復(fù)蘇。現(xiàn)在，美光看到針對(duì)半導(dǎo)體的設(shè)備，汽車(chē)客戶、PC客戶，還有客戶端設(shè)備的生產(chǎn)客戶，他們都有非常強(qiáng)勁的需求。這 也影響到了存儲(chǔ)產(chǎn)品的的供需平衡。

　　“我們的確是在某些DRAM的業(yè)務(wù)方面出現(xiàn)了緊缺的現(xiàn)象，一些運(yùn)營(yíng)狀況受到了影響。比如說(shuō)在2021年自然年的第一季度，我們已經(jīng)看到某一些DRAM產(chǎn)品的價(jià)格有所上漲。在整個(gè)2021年自然年，我們認(rèn)為這個(gè)需求不斷上升的趨勢(shì)只會(huì)持續(xù)下去，所以供給緊俏的現(xiàn)象也還會(huì)持續(xù)下去，可能還會(huì)持續(xù)幾年，因?yàn)檎麄€(gè)市場(chǎng)就是處在供不應(yīng)求的狀態(tài)”，Sumit Sadana 告訴記者。

　　他同時(shí)表示，在NAND技術(shù)方面這部分的情況就不太相同。他指出，目前市場(chǎng)上的NAND供應(yīng)還是充足的。不過(guò)隨著價(jià)格的浮動(dòng)，美光認(rèn)為NAND這方面的產(chǎn)品也會(huì)出現(xiàn)價(jià)格彈性，但市場(chǎng)會(huì)自行調(diào)節(jié)，NAND的產(chǎn)能也會(huì)隨之有所調(diào)整?？v觀2021年，美光相信NAND的產(chǎn)能也會(huì)穩(wěn)定下來(lái)。

　　在問(wèn)到美光對(duì)于將EUV光刻機(jī)引入到DRAM的規(guī)劃的時(shí)候，Sumit Sadana 強(qiáng)調(diào)，美光一直持續(xù)在評(píng)估EUV的技術(shù)，也與生產(chǎn)EUV基臺(tái)工具的廠商在合作。但目前還是處在研發(fā)的模式之下。公司目前對(duì)EUV的態(tài)度是評(píng)估什么時(shí)候是最佳的時(shí)機(jī)——最具成本效益和經(jīng)濟(jì)效益的節(jié)點(diǎn)，到那時(shí)，美光可以將EUV技術(shù)納入公司的產(chǎn)品組合里面。

　　但他也指出，美光一直都能夠引領(lǐng)業(yè)界的技術(shù)，特別是在使用多重曝光浸潤(rùn)式光刻（multi-patterning immersion lithograph）的部分，所以我們?cè)贒RAM的部分，在不同的節(jié)點(diǎn)上都可以更有成本效益。

　　“公司在多重曝光浸潤(rùn)式光刻方面的技術(shù)非常成熟，所以我們認(rèn)為不需要過(guò)早引進(jìn)EUV的技術(shù)”，Sumit Sadana 強(qiáng)調(diào)。

　　在談到中國(guó)存儲(chǔ)公司崛起帶來(lái)的潛在影響的時(shí)候，Sumit Sadana表示，美光對(duì)此也保持關(guān)注。他同時(shí)也指出，公司在其中要關(guān)注的還不只是競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手技術(shù)方面的發(fā)展，還需要去關(guān)注他們的制程技術(shù)，以及是不是能夠大規(guī)模量產(chǎn)？量產(chǎn)的可靠性如何？是不是能夠符合客戶所期待和所要求的品質(zhì)等問(wèn)題。

　　而為了更好地應(yīng)對(duì)市場(chǎng)對(duì)存儲(chǔ)的需求，美光希望持續(xù)投入資本去發(fā)展公司的存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)。當(dāng)中的一部分資本支出支撐他們搭建更多的晶圓廠空間，更多的無(wú)塵室/潔凈室（clean room space），因?yàn)槊恳淮碌募夹g(shù)會(huì)使用到的工具、機(jī)臺(tái)都越來(lái)越多，只有這樣做這才能達(dá)成美光所有的晶圓都是在最好的狀態(tài)下開(kāi)始生產(chǎn)的目的。除此之外，美光一部分的資本支出會(huì)用來(lái)擴(kuò)充美光內(nèi)部做封測(cè)的一些設(shè)施。

　　隨著新興應(yīng)用的蓬勃發(fā)展，一個(gè)屬于存儲(chǔ)的新時(shí)代正式崛起。全新的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局又給當(dāng)中的供應(yīng)商帶來(lái)了前所未有的機(jī)遇與挑戰(zhàn)。而美光似乎已經(jīng)做好了充分準(zhǔn)備。