近年來，諸如二硫化鎢（WS2）之類的2D材料在未來邏輯芯片的制造中可以發(fā)揮至關(guān)重要的作用。由于其卓越的性能，它們有望實(shí)現(xiàn)最終的柵極長度縮放，并因此可以擴(kuò)展邏輯晶體管的縮放路線圖。他們還可以通過啟用緊湊的后端兼容晶體管，徹底改變我們對(duì)芯片架構(gòu)的看法，從而模糊前端和后端之間的界限。
近年來，基于實(shí)驗(yàn)室的2D晶體管已經(jīng)相當(dāng)成熟，并且正在為其工業(yè)應(yīng)用開發(fā)一條路線。同時(shí)，正在解決提高設(shè)備性能的剩余挑戰(zhàn)。
在本文中，imec的項(xiàng)目總監(jiān)Iuliana Radu解釋了全球?qū)@些材料的興趣，尤其是它們對(duì)進(jìn)一步擴(kuò)展邏輯技術(shù)路線圖的承諾。
2D材料具有卓越的性能
2D材料是形成二維晶體的一類材料。在這種優(yōu)雅的2D尺寸中，它們具有令人著迷的電，熱，化學(xué)和光學(xué)特性。這些材料中最著名的是石墨烯，一種六角形的蜂窩狀碳原子片。石墨烯具有出色的機(jī)械強(qiáng)度，高的熱電傳導(dǎo)性和奇特的光學(xué)性能。
但是，二維材料的探索已經(jīng)遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出了石墨烯?；瘜W(xué)式為MX 2的一類過渡金屬二鹵化物具有多用途的性質(zhì)，可與石墨烯互補(bǔ)。
與石墨烯不同，二硫化鎢（WS2），二硫化鉬（MoS2）和其他一些具有廣泛的帶隙，使其成為天然半導(dǎo)體。根據(jù)其化學(xué)組成和結(jié)構(gòu)配置，原子上薄的2D材料也可以歸類為金屬或絕緣材料。由于其卓越的性能，二維材料的機(jī)會(huì)已經(jīng)出現(xiàn)在多個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域，包括（生物）傳感，能量存儲(chǔ)，光伏，光電和晶體管縮放。
基于2D的晶體管有望實(shí)現(xiàn)最終的柵極長度縮放
在芯片制造中，諸如WS2和MoS2之類的2D半導(dǎo)體已成為替代晶體管導(dǎo)電通道中“Si”的候選材料，他們擁有巨大的優(yōu)勢(shì)？與Si相比，基于2D的場效應(yīng)晶體管（2D-FET）有望更不受短溝道效應(yīng)的影響-短溝道效應(yīng)已成為進(jìn)一步擴(kuò)大Si晶體管尺寸的主要障礙。
確實(shí)，隨著基于Si的晶體管溝道越來越小，即使柵極上沒有電壓，電流也開始在其上泄漏。隨著每一代技術(shù)的發(fā)展，這種效應(yīng)被稱為短溝道效應(yīng)，情況也變得越來越糟，危害了進(jìn)一步的柵極長度定標(biāo)。當(dāng)今的主流晶體管技術(shù)FinFET在某種程度上抵消了這種影響。在這種晶體管架構(gòu)中，鰭狀溝道區(qū)可以做得更薄，并且柵極在不止一側(cè)上包圍溝道。這使得柵極電壓更容易控制基于Si的溝道內(nèi)載流子的流動(dòng)。即將到來的向納米片晶體管的過渡-柵極現(xiàn)在四面八方圍繞著通道-進(jìn)一步建立在這個(gè)想法的基礎(chǔ)上，提供了更好的靜電控制。但是，當(dāng)縮放到3nm以上時(shí)，問題再次出現(xiàn)。這就是高機(jī)動(dòng)性WS2和MoS2可以支持的地方。它們可以被構(gòu)造成幾個(gè)甚至單個(gè)原子層，從而提供了提供非常薄的溝道區(qū)域的可能性。這極大地限制了電流流動(dòng)的路徑，從而在關(guān)閉設(shè)備時(shí)使電荷載流子更難泄漏。因此，它們有望實(shí)現(xiàn)最終的柵極長度縮放（10nm以下），而無需擔(dān)心短溝道效應(yīng)。
為了支持這些承諾，我們?cè)趇mec的團(tuán)隊(duì)最近進(jìn)行了一項(xiàng)設(shè)計(jì)技術(shù)協(xié)同優(yōu)化（DTCO）研究。我們展示了2D-FET如何以堆疊的納米片晶體管體系結(jié)構(gòu)為最可能的插入點(diǎn)來進(jìn)一步擴(kuò)展邏輯器件技術(shù)的擴(kuò)展路線圖。
2D材料可用于構(gòu)建緊湊的back-end-of-line switches
2D半導(dǎo)體的應(yīng)用可能會(huì)超出高性能晶體管的范圍。另一個(gè)潛在的應(yīng)用領(lǐng)域包括性能和面積限制較小的低功率電路。例如片上電源管理系統(tǒng)，信號(hào)緩沖器和存儲(chǔ)器選擇器。最重要的是，通過啟用小型后端兼容開關(guān)，可以使用2D材料徹底改變芯片的后端（BEOL）。
芯片制造大致可分為兩部分：在其中構(gòu)建晶體管的前端（FEOL），以及通過多層互連連接晶體管以形成功能電路并傳輸功率的BEOL。隨著傳統(tǒng)晶體管的縮放變得越來越具有挑戰(zhàn)性，科學(xué)家一直在尋找在BEOL中添加晶體管和小型電路的方法，從而在FEOL中節(jié)省了一些面積。但是，這樣做只能使用可以在相對(duì)較低的溫度下集成的材料，以免損壞設(shè)備及其下方的互連。使用2D半導(dǎo)體應(yīng)該可以做到這一點(diǎn)。使用基于2D的晶體管而不是其他一些“ BEOL”候選材料的另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是具有建立n型和p型器件的潛在能力，這是CMOS邏輯的必要條件。
基于實(shí)驗(yàn)室實(shí)現(xiàn)的超大規(guī)模2D晶體管表現(xiàn)出出色的性能
但是，我們是否可以通過實(shí)驗(yàn)來構(gòu)建這些超大規(guī)模2D-FET，并且它們是否能夠履行其在性能方面的承諾？近年來，科學(xué)家探索了各種MX2材料。最初，基于MoS2的設(shè)備被證明是最成熟的，實(shí)驗(yàn)報(bào)告的最高遷移率值接近理論值200cm2/Vs。最近，基于WS2的FET也可能顯示出競爭性結(jié)果。從理論上講，它們具有更高的性能潛力。在改善接觸電阻和增強(qiáng)器件性能方面取得了進(jìn)展。
例如，在imec，我們的團(tuán)隊(duì)可以演示功能齊全的2D-FET，其溝道厚度僅為1-2個(gè)單層，長度為30nm。我們還顯示了通過使用雙門控設(shè)備結(jié)構(gòu)改善的靜電控制。傳統(tǒng)的FET頂部只有一個(gè)柵極，而雙柵極晶體管同時(shí)具有頂部和底部柵極，當(dāng)連接時(shí)，可以改善對(duì)溝道的靜電控制。
正在開發(fā)一條向工業(yè)規(guī)模生產(chǎn)2D-FET的前進(jìn)途徑
如果我們能夠大量生產(chǎn)2D-FET，那么它們就能在邏輯技術(shù)路線圖中找到它們的位置。這將是采用工業(yè)技術(shù)的關(guān)鍵。這意味著我們需要能夠?qū)⑦@些設(shè)備帶出實(shí)驗(yàn)室，并使用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的生產(chǎn)工具將它們集成在300mm晶圓上。
Imec為在300mm集成流程中采用這些2D材料奠定了基礎(chǔ)。此流程用于研究各種處理?xiàng)l件的影響并努力提高性能。例如，可以使用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積（MOCVD）演示2D材料在300mm晶圓上的高質(zhì)量生長，該過程是通過化學(xué)反應(yīng)在表面沉積晶體的過程。使用該工具，可以在整個(gè)300mm晶圓上以單層精度控制厚度。實(shí)驗(yàn)表明，較高的沉積溫度（即950°C）對(duì)鍍層的結(jié)晶度和缺陷率有有益的影響。
圖：使用300mm工藝制造的2D器件的TEM圖像。
但是，更復(fù)雜的晶體管體系結(jié)構(gòu)（例如堆疊的納米片，或者更深層的路線是互補(bǔ)FET（CFET））可能需要替代性的沉積技術(shù)。對(duì)于處理熱預(yù)算有限的后端電路也是如此。因此，Imec研究了其他沉積技術(shù)，并探討了使用轉(zhuǎn)移工藝的可行性–允許將2D通道移動(dòng)到已經(jīng)部分制造的300mm Si襯底上。
正在解決三個(gè)主要挑戰(zhàn)
目前，單個(gè)設(shè)備的性能要比報(bào)告的實(shí)驗(yàn)室設(shè)備低一個(gè)數(shù)量級(jí)，而300mm的集成流程則用于了解工藝影響并確定集成障礙。溝道材料的質(zhì)量和缺陷率的控制仍然是提高器件性能的最大挑戰(zhàn)。第二個(gè)障礙是源極/漏極觸點(diǎn)的接觸電阻，需要降低到可接受的水平。第三，需要開發(fā)綜合模型以實(shí)現(xiàn)上述設(shè)備架構(gòu)設(shè)計(jì)，并具有內(nèi)置的實(shí)際流程假設(shè)。