中國北京，2021年3月26日——全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號與光電解決方案Foundry廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，對XS018 180nm傳感器工藝進行改進，擴大了其應(yīng)用范圍。得益于此次技術(shù)改進，公司現(xiàn)已能夠提供光電二極管專用工藝核心模塊。此前，XS018工藝主要面向多像素CMOS圖像傳感器的制造，而這一新模塊的推出則專門用于光電二極管的制造。 

透過該模塊，X-FAB現(xiàn)在可以為客戶帶來六種不同的光電二極管供選擇，覆蓋了從紫外線（UV）到近紅外（NIR）的波長；該系列光電二極管的不同工作參數(shù)意味著它們可以滿足客戶的各種應(yīng)用需求。同時，X-FAB定于2021年4月15日（星期四）舉辦免費網(wǎng)絡(luò)研討會，來詳細(xì)介紹增強型XS018工藝；本次研討會共舉辦兩場，其中一場面向亞洲和歐洲觀眾，另一場面向美洲觀眾。

新型X-FAB光電二極管能夠提供同類最佳的UV靈敏度，在UVA波段達(dá)到40％的量子效率（QE），在UVB波段達(dá)到50-60%的QE，在UVC波段達(dá)到60％的QE。此外，在NIR波段的性能也得到了顯著提高。在850nm波長時，光電二極管的QE比基于原XH018工藝的傳統(tǒng)器件高出17%；而在905nm波長時的QE增加5%。憑借約90%的QE，其人眼響應(yīng)方案選項非常適用于環(huán)境光感測應(yīng)用。

新工藝的一個特點是可以通過指定金屬孔徑的大小規(guī)定光電二極管的響應(yīng)度。光電二極管的輸出電流因此可在全電流和無電流之間縮放，以便補償濾波造成的任何差異。這進而簡化了光電二極管陣列的配套放大電路。其它增強功能包括：與基于早期XH018器件相比，填充因子提高10%；透過這種方式，可以創(chuàng)建針對較低光照水平做出響應(yīng)的器件，或可以減小芯片尺寸以節(jié)省空間。

“通過持續(xù)的投資，X-FAB已經(jīng)打造了強大的光電制造實力——全球所生產(chǎn)的手機中有超過20%采用了我們制造的環(huán)境光傳感器，便是一個很好的例證?！盭-FAB產(chǎn)品營銷副總裁Luigi Di-Capua表示，“得益于在光電二極管產(chǎn)品技術(shù)領(lǐng)域的進展，我們現(xiàn)在能夠更好地滿足客戶對近距感測、光譜分析，和光學(xué)測距/三角測量解決方案的需求?！?/p>

以上六款光電二極管現(xiàn)可以通過“my X-FAB”客戶門戶提供。如需進一步的咨詢，請聯(lián)系X-FAB銷售人員，他們將為您提供更多信息。