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X-FAB推出基于其110nm車規(guī)BCD-on-SOI技術(shù)的嵌入式數(shù)據(jù)存儲(chǔ)解決方案

新IP將閃存與EEPROM元件相結(jié)合,增強(qiáng)數(shù)據(jù)保持能力
2024-12-31
來(lái)源:X-FAB
關(guān)鍵詞: X-FAB EEPROM 嵌入式閃存

  中國(guó)北京,2024年12月5日——全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號(hào)晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries(“X-FAB”)今日宣布一項(xiàng)非易失性存儲(chǔ)領(lǐng)域的重大創(chuàng)新。該創(chuàng)新利用X-FAB同類最佳的SONOS技術(shù):基于其高壓BCD-on-SOI XT011這一110nm工藝節(jié)點(diǎn)平臺(tái),X-FAB可為客戶提供符合AECQ100 Grade-0標(biāo)準(zhǔn)的32kByte容量嵌入式閃存IP,并配備額外的4Kbit EEPROM。此外,從2025年起,X-FAB還計(jì)劃推出更大容量的64KByte、128KByte閃存以及更大存儲(chǔ)空間的EEPROM。

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  通過(guò)采用獨(dú)特的方法,將閃存和EEPROM元件都置于單個(gè)宏單元內(nèi),并共享必要的控制電路。這意味著使用更簡(jiǎn)單的布局從而減少組合元件的總體占用面積,并為支持Grade-0,175°C的32KBytes存儲(chǔ)解決方案設(shè)定了新的行業(yè)基準(zhǔn)。

  該嵌入式閃存為客戶帶來(lái)市場(chǎng)上最先進(jìn)的數(shù)據(jù)訪問(wèn)能力,能夠在整個(gè)-40°C至175°C溫度范圍內(nèi)讀取數(shù)據(jù),而EEPROM也能在高達(dá)175°C的溫度下寫入數(shù)據(jù)。EEPROM適用于需要頻繁寫入數(shù)據(jù)的應(yīng)用,可提高閃存的耐用性與靈活性;它還可以有效地充當(dāng)緩存,在工作條件不適合寫入閃存時(shí)將數(shù)據(jù)編程至EEPROM,然后當(dāng)溫度降至125°C以下時(shí)再寫入閃存。得益于出色的穩(wěn)健性、持續(xù)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)完整性和顯著的空間節(jié)省,該IP旨在滿足汽車、醫(yī)療和工業(yè)應(yīng)用的需求。

  這款新型NVM組合IP采用64位總線,閃存元件采用8位ECC,EEPROM元件采用14位ECC,這使得集成該IP所部署的器件實(shí)現(xiàn)零PPM誤差性能。用于輕松訪問(wèn)存儲(chǔ)器和DFT的專用電路可大幅縮短測(cè)試時(shí)間,并將相關(guān)成本降至最低。如有需要,X-FAB還可提供BIST模塊和測(cè)試服務(wù)。

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  X-FAB法國(guó)無(wú)塵室

  “通過(guò)這款采用我們專有SONOS技術(shù)的新型NVM IP,X-FAB實(shí)現(xiàn)了最高水準(zhǔn)的可靠性。這一IP將為我們客戶的嵌入式系統(tǒng)提供一流的數(shù)據(jù)保持能力和溫度穩(wěn)定性。”X-FAB NVM開(kāi)發(fā)總監(jiān)Thomas Ramsch介紹說(shuō),“通過(guò)將閃存和EEPROM兩種不同的NVM元件集成到單個(gè)宏單元上,我們現(xiàn)在可以構(gòu)建一種能夠應(yīng)對(duì)最嚴(yán)苛的工作情況的嵌入式數(shù)據(jù)存儲(chǔ)解決方案?!?/p>

  “憑借更小的占用空間和更快的訪問(wèn)速度,我們的NVM組合IP將在高邏輯密度應(yīng)用的開(kāi)發(fā)中發(fā)揮關(guān)鍵作用。”X-FAB NVM解決方案技術(shù)營(yíng)銷經(jīng)理Nando Basile補(bǔ)充道,“這將使下一代智能傳感器和執(zhí)行器CPU系統(tǒng)設(shè)計(jì)無(wú)論是在ARM或RISC-V等成熟CPU架構(gòu)上,還是在客戶的專有設(shè)計(jì)中具備更廣泛的功能范圍?!?/p>

  縮略語(yǔ):

  BCDBipolar-CMOS-DMOS :雙極型晶體管-互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體-雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體

  NVMNon-Volatile-Memory:非易失性存儲(chǔ)

  BISTBuild-In Self-Test:內(nèi)建自測(cè)試

  DFTDesign for Testability:可測(cè)性設(shè)計(jì)

  ECCError Checking and Correcting:錯(cuò)誤檢查和糾正

  EEPROM帶電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器

  PPM百萬(wàn)分率

  SOI絕緣體上硅

  SONOSSilicon Oxide Nitride Oxide Silicon硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅

  Ref: XFA010D2




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