意法半導(dǎo)體推出Page EEPROM二合一存儲器
2024-10-17
來源:意法半導(dǎo)體
2024 年 10 月 15 日,中國—— 意法半導(dǎo)體的 Page EEPROM兼?zhèn)銭EPROM存儲技術(shù)的能效和耐用性與閃存的存儲容量和讀寫速度,為面臨極端尺寸和功率限制的應(yīng)用場景提供了一個混合存儲器。
嵌入式系統(tǒng)需要支持日益復(fù)雜的先進(jìn)功能,運(yùn)行數(shù)據(jù)密集型的邊緣 AI 算法,意法半導(dǎo)體的新存儲器可以滿足嵌入式應(yīng)用對存儲容量的日益增長的需求。例如,在耳背式助聽器中,Page EEPROM可以降低物料清單成本,讓助聽器變得更纖薄,佩戴更舒適。
除了可穿戴設(shè)備外,Page EEPROM 還是醫(yī)療設(shè)備、資產(chǎn)追蹤器、電動自行車以及其他工業(yè)和消費(fèi)產(chǎn)品等應(yīng)用的理想選擇。意法半導(dǎo)體 EEPROM 產(chǎn)品線經(jīng)理 Philippe Ganivet 表示:“智能邊緣技術(shù)發(fā)展迅速,正在深刻改變市場對嵌入式存儲器的容量、性能和功耗的需求。我們的新 Page EEPROM是一個非常好的超低功耗存儲器,是電池供電的遠(yuǎn)程物聯(lián)網(wǎng)模塊微控制器的理想搭檔?!?nbsp;
BitFlip Engineering公司是新系列存儲器芯片的首批用戶,該公司的業(yè)主 Patrick Kusbel表示:“ST的Page EEPROM是一個真正地實(shí)現(xiàn)了兩全其美的的非易失性存儲器解決方案,當(dāng)我們在開發(fā)新一代旗艦系列產(chǎn)品時,包括 GPS 追蹤器、物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備,以及其他的所有的需要高性能、高可靠性、小尺寸和低功耗的設(shè)計,新系列存儲器讓我們能夠?qū)崿F(xiàn)預(yù)設(shè)的大目標(biāo)。M95P的讀取速度是我們以前用的存儲器的50 倍,而功耗卻只有十分之一,產(chǎn)品可靠性提高了四倍,可擦寫次數(shù)達(dá)到50萬次,而我們以前用的產(chǎn)品的耐擦寫能力只有10萬次,這是一個顛覆性的改變?!?nbsp;
意法半導(dǎo)體Page EEPROM系列的容量分為8Mbit、16Mbit 和 32Mbit,大大高于標(biāo)準(zhǔn) EEPROM產(chǎn)品的存儲容量。嵌入式智能頁面管理允許進(jìn)行字節(jié)級寫操作,適合數(shù)據(jù)記錄等數(shù)據(jù)處理,同時還支持頁面/扇區(qū)/塊擦除和高達(dá) 512 字節(jié)的頁面寫操作,可以高效處理固件無線 (OTA) 更新需求。新系列存儲器還允許進(jìn)行緩存載入操作,同時向多個頁面寫入數(shù)據(jù),以縮短在生產(chǎn)線上安裝軟件的時間。320 Mbit/s 的數(shù)據(jù)讀取速度大約是標(biāo)準(zhǔn) EEPROM 的16 倍,而 50萬次耐擦寫能力是傳統(tǒng)串行閃存的幾倍。
Page EEPROM還具有新穎的峰值電流控制功能,可最大限度地降低電源噪聲,延長電池供電設(shè)備的續(xù)航時間。寫入電流低于許多傳統(tǒng) EEPROM,并且還有深度斷電模式和快速喚醒功能,可將工作電流降至 1μA 以下。
新系列產(chǎn)品的數(shù)據(jù)保存期長達(dá)100 年,并享受意法半導(dǎo)體10年產(chǎn)品壽命保障計劃,保證該系列產(chǎn)品長期供貨。
X-NUCLEO-PGEEZ1擴(kuò)展板和 X-CUBE-EEPRMA1 軟件包現(xiàn)已上市,供用戶可學(xué)習(xí)如何與 Page EEPROM交互,如何使用該系列產(chǎn)品設(shè)計開發(fā)應(yīng)用。在軟件包中有一個展示如何測試該存儲器的混合架構(gòu),快速構(gòu)建概念驗(yàn)證的演示應(yīng)用程序。
M95P08、M95P16 和 M95P32 Page EEPROM 現(xiàn)已投產(chǎn)。X-NUCLEO-PGEEZ1現(xiàn)已在意法半導(dǎo)體網(wǎng)站eSTore上架開售。