據(jù)electronicweekly報道，新加坡Unisantis Electronics推出了動態(tài)閃存（Dynamic Flash Memory：DFM）。據(jù)介紹，這是一種比DRAM或其他類型的易失性存儲器更快，更密集的技術，并將有希望成為DRAM的替代者。

　　報道指出，Unisantis Electronics是由閃存技術的發(fā)明者Fujio Masuoka于2008年創(chuàng)立，擁有專利的環(huán)繞柵晶體管（surround gate transistor ：SGT）技術，這是一種3D晶體管設計，可為存儲器和圖像傳感器半導體制造商提供顯著的系統(tǒng)設計和性能優(yōu)勢，并且能微縮到非常小節(jié)點。據(jù)介紹，垂直SGT為最終的電路實現(xiàn)提供了幾個關鍵特性：與平面和FinFET晶體管相比，提高了面密度；由于對晶體管通道的周圍柵極進行了強大的靜電控制，因此降低了泄漏功率，針對最終應用優(yōu)化晶體管寬度和長度尺寸，無論是高性能還是極低的功耗

　　Unisantis已在設計技術協(xié)同優(yōu)化（DTCO）和三維過程仿真方面進行了大量投資，以實現(xiàn)SGT技術的生產(chǎn)制造流程。正在進行的工藝開發(fā)和制造試驗現(xiàn)場正在將SGT技術產(chǎn)品化，以用于先進的工業(yè)應用。

　　Unisantis認為，DRAM長期以來一直面臨的挑戰(zhàn)是繼續(xù)以更低的成本封裝更多的存儲，而又不增加功耗，DFM采取了革命性的方法來克服傳統(tǒng)易失性存儲器（如DRAM）的局限性，其固有的短，常規(guī)和耗電的刷新功能周期以及破壞性的讀取過程。

　　DFM也是易失性存儲器的一種，但是由于它不依賴于電容器，因此泄漏路徑較少，因此開關晶體管和電容器之間沒有連接。這樣的設計帶來的結果是單元設計具有顯著提高晶體管密度的潛力，因為它不僅提供塊刷新，而且作為閃存提供塊擦除。那就意味著DFM降低了刷新周期的頻率和開銷，并且能夠與DRAM相比，可顯著提高速度和功耗。

　　通過使用TCAD仿真，Unisantis已證明DFM與DRAM相比具有將密度提高4倍的巨大潛力。根據(jù)最近的IEEE ISSCC（國際固態(tài)電路會議）論文，DRAM的擴展幾乎停止在16Gb。

　　在4F2單元密度下對DFM建?？梢园l(fā)現(xiàn)DFM的完美結構。DFM的設計和開發(fā)意味著Gb / mm2的顯著提高，而今天對DRAM的限制（目前為16Gb）可以使用DFM的根本增強的單元結構立即增加到64Gb內存。

　　更換DRAM是該行業(yè)面臨的主要挑戰(zhàn)，不僅是因為DRAM已占當前市場對內存的需求的50％以上（Yole Development，2020年）。預測還表明，到2025年，對這類低成本，高密度DRAM的需求將繼續(xù)增長，并超過1000億美元。但是，一些提議的替代方案也面臨著技術挑戰(zhàn)，包括無電容器的DRAM，ZRAM或簡單的GAA和Nanosheet方法，與DFM相比，它們都有其自身的局限性。

　　DFM由Unisantis根據(jù)SGT Technology的成熟技術原理開發(fā)，并基于該工作和公司的創(chuàng)新，特別是在存儲半導體領域。