在過去的一周里，臺(tái)積電舉辦了 2021 年技術(shù)研討會(huì)，涵蓋了其在工藝節(jié)點(diǎn)技術(shù)方面的最新發(fā)展，旨在為客戶提高性能、成本和能力。在這次活動(dòng)中，臺(tái)積電討論了其在制造中越來越多地使用極紫外 （EUV） 光刻技術(shù)，使其能夠縮小到其 3nm 工藝節(jié)點(diǎn)，遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過其競爭對(duì)手。臺(tái)積電還解決了當(dāng)前圍繞半導(dǎo)體需求的問題，并宣布正在建設(shè)用于先進(jìn)封裝生產(chǎn)的新工廠。與首席執(zhí)行官 CC Wei 博士一起參加主題演講的還有 AMD 首席執(zhí)行官 Lisa Su 博士、高通公司總裁（即將成為首席執(zhí)行官）Cristiano Amon 以及 Ambiq 的創(chuàng)始人兼首席技術(shù)官 Scott Hanson。

　　作為會(huì)議的一部分，臺(tái)積電為AnandTech提供了對(duì)業(yè)務(wù)發(fā)展高級(jí)副總裁 Kevin Zhang 博士和臺(tái)積電歐盟總裁 Maria Marced 博士的 30 分鐘采訪，以此作為了解更多臺(tái)積電發(fā)展方向和合作的機(jī)會(huì)與行業(yè)合作伙伴。臺(tái)積電確實(shí)要求我們僅就技術(shù)問題和與其技術(shù)研討會(huì)上的公告相關(guān)的問題進(jìn)行提問，而不是討論當(dāng)前的全球政治話題。

　　Kevin Zhang 博士從設(shè)計(jì)技術(shù)團(tuán)隊(duì)提拔后，擔(dān)任臺(tái)積電業(yè)務(wù)發(fā)展高級(jí)副總裁已近一年。在加入臺(tái)積電之前，張博士作為英特爾院士在英特爾工作了 11 年，成為技術(shù)與制造事業(yè)部的副總裁以及電路技術(shù)總監(jiān)。張博士在技術(shù)會(huì)議和研究期刊上發(fā)表了 80 多篇論文，擁有 55 項(xiàng)集成電路技術(shù)專利，并擁有電氣工程博士學(xué)位。張博士將擔(dān)任 ISSCC 2022 的會(huì)議主席。

　　Maria Marced 博士是臺(tái)積電歐洲總裁，負(fù)責(zé)推動(dòng)公司在該地區(qū)的戰(zhàn)略和發(fā)展，自 2007 年以來一直擔(dān)任該職位。在此之前，Marced 博士在 NXP 工作了 4 年，在英特爾工作了 19 年。并擔(dān)任類似的最高職位。Marced 博士擔(dān)任 GSA（全球半導(dǎo)體聯(lián)盟）的 EMEA 領(lǐng)導(dǎo)委員會(huì)主席，是 CEVA 董事會(huì)成員，并擁有電信工程博士學(xué)位。

　　以下為采訪原文。

　　處于領(lǐng)先地位的臺(tái)積電

　　Ian Cutress：臺(tái)積電表示，自 2019 年以來，它一直在內(nèi)部生產(chǎn) EUV 薄膜（EUV pellicle ），而臺(tái)積電現(xiàn)在正在大幅增加薄膜的生產(chǎn)。在制造中的使用范圍有多大，它如何進(jìn)一步提升臺(tái)積電相對(duì)于其他晶圓廠的競爭優(yōu)勢？

　　Kevin Zhang：我們顯然已經(jīng)在內(nèi)部投資了這個(gè)領(lǐng)域，我認(rèn)為這對(duì)我們來說是一項(xiàng)非常獨(dú)特的技術(shù)。我們能夠利用它來實(shí)現(xiàn)我們的 EUV 大規(guī)模生產(chǎn)。如果你看看我們?cè)?7 nm、6 nm 和現(xiàn)在的 5 nm 上運(yùn)行的方式，所有這些都使用 EUV，顯然我們?nèi)〉昧司薮蟮倪M(jìn)步。所以這絕對(duì)是我們認(rèn)為我們憑借獨(dú)特的技術(shù)優(yōu)勢做得很好的領(lǐng)域。

　　Maria Marced：有一件事，因?yàn)槲以诎⒛匪固氐?，所以我們與 ASML 比較接近——我們接受過他們的特殊培訓(xùn)。我可以告訴你，在內(nèi)部進(jìn)行這種生產(chǎn)確實(shí)可以讓我們延長mask的使用壽命。通常在 EUV 中，掩膜會(huì)變臟，因此，在較短的期限內(nèi)，這確實(shí)有助于我們提高 EUV 和掩膜的生產(chǎn)率。

　　IC：那么，在現(xiàn)場使用它意味著您購買mask的流程減少了，并且由于流程減少而變得更少被污染？

　　MM：沒錯(cuò)。

　　IC：我們通常將復(fù)雜的專業(yè)技術(shù)與領(lǐng)先的客戶聯(lián)系起來?？紤]到這些客戶往往是低個(gè)位數(shù)，與開發(fā)和探索新技術(shù)相比，臺(tái)積電如何平衡開發(fā)客戶需要的封裝技術(shù)？

　　KZ：例如，在領(lǐng)先節(jié)點(diǎn)，我們一直是領(lǐng)先者——技術(shù)領(lǐng)先者。我們希望繼續(xù)推動(dòng)硅技術(shù)的進(jìn)步，并與主要客戶合作以優(yōu)化我們的技術(shù)。所以這絕對(duì)是我們繼續(xù)推動(dòng)未來增長的領(lǐng)域。但話雖如此，我仍然認(rèn)為專業(yè)技術(shù)在我們?yōu)榭蛻籼峁┑恼w技術(shù)中也起著非常重要的作用。我們的許多客戶無法在沒有 20 nm 配套芯片的情況下交付基于 5 nm 的單個(gè)芯片。例如，如果您查看手機(jī)，就會(huì)發(fā)現(xiàn)有多個(gè)芯片和許多配套芯片。汽車也是一樣——你有一個(gè)先進(jìn)的芯片，但你也需要大量基于成熟技術(shù)的微控制器。

　　所以我認(rèn)為我們?cè)谄胶馕覀兊恼w技術(shù)開發(fā)工作方面做得很好。在過去的幾十年里，我們對(duì)成熟的技術(shù)進(jìn)行了大量投資。如果您查看我們的整體技術(shù)路線圖，我們會(huì)提供當(dāng)今市場上最先進(jìn)的專業(yè)技術(shù)產(chǎn)品。我認(rèn)為Maria 可能會(huì)從歐洲的角度添加一些顏色。

　　MM：我唯一要補(bǔ)充的是，了解客戶的系統(tǒng)復(fù)雜性對(duì)我們來說非常重要。此外，特別是通過這些技術(shù)來完成整個(gè)系統(tǒng)的物料清單，它有助于我們更好地了解系統(tǒng)架構(gòu)的發(fā)展方式，從而為我們的客戶做得更好。

　　IC：那么其中有多少取決于客戶的具體要求，而不是研究客戶還不知道他們需要的新技術(shù)？

　　KZ：例如，從組織的角度來看，我們有一個(gè)單獨(dú)的團(tuán)隊(duì)。我們有一個(gè)獨(dú)立的團(tuán)隊(duì)，一個(gè)研究下一代的研究團(tuán)隊(duì)。我們真的很期待探索不同的事物。它還需要大量的市場投入和客戶投入。幫助指導(dǎo)一些探索性工作。所以這是一個(gè)非常動(dòng)態(tài)的過程，在我們之間、我們內(nèi)部以及我們與客戶之間非常互動(dòng)。

　　IC：臺(tái)積電已經(jīng)非常明確地表示，會(huì)繼續(xù)使用 FinFET，直至 3 nm，并在 2 nm 時(shí)轉(zhuǎn)向 Gate-All-Around。相比之下，競爭對(duì)手在發(fā)展的早期階段已經(jīng)轉(zhuǎn)向 GAA。您能否描述臺(tái)積電如何權(quán)衡其希望處于這些先進(jìn)技術(shù)的領(lǐng)先地位，以及為其生產(chǎn)線保持相同的 FinFET？

　　KZ：我們選擇 FinFET 技術(shù)作為 3 nm 的原因有兩個(gè)。

　　第一，我們必須想辦法將技術(shù)改進(jìn)為更高的能效、更高的性能和內(nèi)部密度。終端客戶其實(shí)并不關(guān)心它是 FinFET 還是 Nanosheet。他們想從產(chǎn)品的角度來看待它——可以為客戶帶來什么樣的功率、性能和密度優(yōu)勢。最后才是最重要的。所以我們看看我們的 FinFET 技術(shù)，我們看看我們的創(chuàng)新能力，我們發(fā)現(xiàn)了一個(gè)非常強(qiáng)大的旋鈕，一個(gè)創(chuàng)新的旋鈕，它允許我們將 FinFET 技術(shù)擴(kuò)展到 3 nm，同時(shí)還實(shí)現(xiàn)了實(shí)質(zhì)性的全節(jié)點(diǎn)縮放優(yōu)勢。這就是第一個(gè)原因。

　　第二個(gè)原因也是時(shí)間表。我們希望確保在合適的時(shí)間，我們能夠提供最先進(jìn)的技術(shù)。因此，從先進(jìn)技術(shù)發(fā)展的角度來看，可預(yù)測性非常重要。我們的客戶非常重視日程安排！因此，將兩者結(jié)合起來，我們決定繼續(xù)使用 3nm 的 FinFET。我們相信在 2022 年至 2023 年的時(shí)間范圍內(nèi)，我們的 3 nm 將為市場帶來最先進(jìn)的邏輯技術(shù)。

　　IC：您如何平衡推動(dòng)工藝密度與設(shè)計(jì)復(fù)雜性，例如 1D 與 2D 金屬布線？目前領(lǐng)先節(jié)點(diǎn)有哪些可能性？

　　KZ：我們查看所有不同的指標(biāo)。歸根結(jié)底，我們會(huì)真正考慮產(chǎn)品級(jí)別、系統(tǒng)級(jí)別以及我們可以為客戶帶來什么樣的整體擴(kuò)展優(yōu)勢。當(dāng)我談到擴(kuò)展優(yōu)勢時(shí)，我指的是整體功耗/性能和成本。這必須在系統(tǒng)級(jí)別完成，而不僅僅是在芯片級(jí)別。

　　過去，二維縮放主導(dǎo)了一切，但現(xiàn)在我們必須更多地關(guān)注系統(tǒng)層面。例如，您注意到我們花費(fèi)了大量精力和投資來開發(fā)芯片級(jí)集成方案：我們有 2D、2.5D 和 3D 向前發(fā)展。這一切都在發(fā)揮作用，為未來提供一個(gè)完整的系統(tǒng)級(jí)解決方案。我想你會(huì)看到越來越多基于先進(jìn)的芯片級(jí)集成技術(shù)的應(yīng)用。晶體管的開發(fā)仍然很重要，不要搞錯(cuò)，這將繼續(xù)非常非常重要。為客戶提供最好的節(jié)能晶體管仍然非常重要，但這還不夠。

　　我們著眼于系統(tǒng)級(jí)別的整體擴(kuò)展。在技術(shù)、技術(shù)的不同方面和產(chǎn)品系統(tǒng)級(jí)設(shè)計(jì)之間進(jìn)行了大量的協(xié)同優(yōu)化。

　　IC：隨著工藝節(jié)點(diǎn)的縮小，金屬層上的電阻變得越來越成問題。關(guān)于創(chuàng)新的解決方案，以及奇特的材料與銅互連，這只是在這方面進(jìn)行更多研究的一個(gè)案例嗎？或者我們是否需要付出更多的努力來增加和布線更高的金屬層？

　　KZ：我認(rèn)為在我們先進(jìn)技術(shù)介紹的研究會(huì)議上，我們確實(shí)介紹了一些后端工作。例如，我們正在繼續(xù)優(yōu)化銅晶界（  copper grain boundary），為我們的整體芯片技術(shù)和新技術(shù)帶來更低電阻的金屬線。此外，對(duì)于電介質(zhì)，我們繼續(xù)尋找創(chuàng)新材料來改善寄生電容中的電介質(zhì)。所以，這些東西正在被積極研究。

　　3D 集成還可以為后端的整個(gè)性能要求提供替代解決方案。您可以改為在 2 維空間中從 A 路由到 B，或者可以在 3 維中將 A 垂直路由到 B。在某些情況下，通過垂直走線，您可以減少 RC 線的總長度，并顯著減少通過延遲。所以所有這些事情都必須向前看。

　　IC：所以看看新技術(shù)，當(dāng)我們超越 Gate-All-Around 時(shí)，兩個(gè)最有前途的技術(shù)是 2D 晶體管和碳納米管。臺(tái)積電最近發(fā)布了一篇關(guān)于二維晶體管新發(fā)展的論文，引起了很多媒體的關(guān)注。你能評(píng)論一下看起來更有希望的嗎？

　　KZ：所有這些先進(jìn)的晶體管材料都有一定的優(yōu)勢。這就是為什么我們花費(fèi)早期的研發(fā)努力來探索這些，但那些仍然很遙遠(yuǎn)。還有很多事情需要更好地理解，尤其是將這些新材料、新架構(gòu)帶入大規(guī)模制造基地需要付出巨大努力。所以我們還有很多工作要做。但好消息是我們并不缺乏新的想法。我們正在探索的新事物很多，它們都有一定的優(yōu)勢。因此，我們只需要弄清楚如何將它們整合在一起，為我們未來客戶的應(yīng)用程序提供最引人注目的整體技術(shù)解決方案。

　　IC：關(guān)于與 ASML 合作的研究，他們談到了未來的 EUV 發(fā)展，例如High NA（數(shù)值孔徑）光學(xué)。他們一直在和我們談?wù)撨@件事！但作為其延伸，您能否談?wù)勁_(tái)積電在后 EUV 技術(shù)方面必然會(huì)做些什么？

　　KZ：我們著眼于所有不同的技術(shù)選項(xiàng)。我們?cè)跁?huì)議上談到了材料創(chuàng)新，將新材料集成到硅上，使我們能夠?qū)崿F(xiàn)更好的傳導(dǎo)和更節(jié)能的晶體管。這些是我們擁有研究團(tuán)隊(duì)和早期研發(fā)團(tuán)隊(duì)來開發(fā)和探索所有不同選擇的重要領(lǐng)域。

　　在光刻方面，顯然它仍然是縮放幾何形狀的一個(gè)非常重要的部分。因此，我們確實(shí)有一個(gè)團(tuán)隊(duì)也在研究如何最大化 EUV，以在未來打印更緊密的間距。所有這些都在為技術(shù)選擇的未來而探索。

　　沖出亞洲

　　IC：關(guān)于這些最先進(jìn)的技術(shù)和領(lǐng)先的能力，在歐洲，我們聽說臺(tái)積電的競爭對(duì)手正在投資他們的歐洲工廠。我們不一定從臺(tái)積電那里聽說過同樣的事情。這有什么特別的原因嗎？或者有什么要宣布的嗎？

　　MM：嗯，我們不排除任何事情。但是，今天，我沒有任何細(xì)節(jié)可以與您分享！

　　IC：關(guān)于您的歐洲客戶 ，只有少數(shù)處于領(lǐng)先地位？他們中的大多數(shù)都依賴于較舊的工藝技術(shù)、專業(yè)技術(shù)——例如德國的大型汽車工業(yè)。我們不一定看到有很多希望從歐洲業(yè)務(wù)中脫穎而出。你能評(píng)論嗎？

　　MM：歐洲的主要領(lǐng)域是汽車、工業(yè)，但歐洲也非常重要的領(lǐng)域是物聯(lián)網(wǎng) （IoT）。這些細(xì)分市場需要的技術(shù)更多是專業(yè)方面的，更多的是先進(jìn)的，不僅是成熟的，而且是先進(jìn)的技術(shù)。

　　IC：我們顯然看到了對(duì)人工智能的大量半導(dǎo)體需求。很多客戶都想要領(lǐng)先的解決方案，但也有很多對(duì)更成熟節(jié)點(diǎn)上的邊緣產(chǎn)品的需求。您能否談?wù)勗谌斯ぶ悄芊矫娴男枨笕绾巫兓矫娴陌l(fā)展，也許提到歐盟，因?yàn)橹袊捅泵朗艿疥P(guān)注？

　　MM：嗯，即使在英國，你也有優(yōu)秀的 AI 公司！您知道其中之一是我們多項(xiàng)計(jì)劃的早期采用客戶之一（Ian：Graphcore 已經(jīng)宣布與臺(tái)積電在 3nm 上合作）。但同樣在以色列，我們看到了很多圍繞人工智能的活動(dòng)。因此，在歐洲、中東和非洲，我們看到人們對(duì)人工智能非常感興趣，甚至歐盟也有一些活動(dòng)傾向于他們所謂的歐洲處理器計(jì)劃 （ EPI ），該計(jì)劃圍繞人工智能的使用展開。

　　所以是的，我們看到了很多活動(dòng)。事實(shí)上，今天我很自豪，在我在會(huì)議上的演講中，我收到了來自巴塞羅那大學(xué)的 Matteo Vallejo 的一封電子郵件，該大學(xué)對(duì)人工智能非常感興趣。所以當(dāng)然，中國和美國在高性能計(jì)算方面總是非常先進(jìn)，但我們也看到歐洲對(duì)人工智能有很多興趣，以及大量的 VC 資金。

　　IC：臺(tái)積電喜歡宣傳收入來自哪里，從北美獲得的收入比例似乎在增加，以犧牲歐洲的比例為代價(jià)。我們應(yīng)該考慮歐洲是否有任何逆風(fēng)或順風(fēng)？

　　MM：我認(rèn)為主要原因是因?yàn)闅W洲的主要細(xì)分市場是汽車、工業(yè)和物聯(lián)網(wǎng)。這些細(xì)分市場仍在使用成熟的先進(jìn)技術(shù)和專業(yè)技術(shù)，而且很多這些終端產(chǎn)品的平均售價(jià)較低，這在收入百分比方面造成了很大差異。這是如何向前發(fā)展的？快速，因?yàn)槠嚭凸I(yè)，特別是作為工業(yè) 4.0 和物聯(lián)網(wǎng)的一部分，是因?yàn)?AI 產(chǎn)品正在快速轉(zhuǎn)向更先進(jìn)、更前沿的技術(shù)。所以我真的很期待這個(gè)比例在未來會(huì)發(fā)生很大的變化。

　　IC：臺(tái)積電擁有三個(gè)主要地理區(qū)域 ——臺(tái)積電亞洲、臺(tái)積電北美和臺(tái)積電 EMEA。這些獨(dú)立組織彼此之間有多少——發(fā)生了多少協(xié)作？鑒于公司經(jīng)常在全球或多個(gè)市場開展業(yè)務(wù)，拆分是否正確？

　　MM：哦，這是一個(gè)有趣的問題！我真的相信公司是集中的，在英特爾工作了很多年（Maria在英特爾工作了 19 年），我真的相信公司是集中的，并且有一個(gè)來自公司領(lǐng)導(dǎo)層的方向。所以我們根本就不是獨(dú)立的組織！我們非常依賴對(duì)方，我可以告訴你我通常大部分時(shí)間都在臺(tái)灣旅行——現(xiàn)在與臺(tái)灣進(jìn)行視頻會(huì)議。但是我們絕對(duì)有一個(gè)方向，而且我們可以很好地互補(bǔ)。我認(rèn)為歐洲正在帶來一些不同的東西，它更多地關(guān)注和圍繞專業(yè)。這是我們發(fā)揮關(guān)鍵作用的地方。我們真的是一家有一個(gè)方向的公司。

　　建設(shè)和擴(kuò)張

　　IC：轉(zhuǎn)向封裝，公司首席執(zhí)行官提到臺(tái)積電有五個(gè)晶圓廠支持 SoIC 和一個(gè)新的晶圓廠，產(chǎn)能更大。通常我們每個(gè)月都會(huì)測量晶圓的生產(chǎn)晶圓廠，那么我們應(yīng)該如何考慮這些新的 SoIC 設(shè)施的吞吐量？

　　KZ：我不能給你一個(gè)具體的產(chǎn)能數(shù)字，但我只能說我們真的在投資我們的后端能力和產(chǎn)能。這是因?yàn)槲覀兇_實(shí)看到了一個(gè)趨勢，即越來越多的客戶希望利用我們的高級(jí)封裝選項(xiàng)，包括 CoWoS、InFO 以及未來的具有 3D 集成的 SoIC。因此，這就是為什么我們不僅要在研發(fā)方面進(jìn)行投資，還要在產(chǎn)能方面進(jìn)行投資，為未來的增長做準(zhǔn)備。

　　對(duì)于 3D 封裝產(chǎn)能指標(biāo)，這取決于您所做的配置類型。有時(shí)，您可能會(huì)使用更成熟的節(jié)點(diǎn)集成一個(gè)非常先進(jìn)的小芯片，并減去一個(gè)或減去兩個(gè)節(jié)點(diǎn)，因此您可能必須以不同的方式計(jì)算總體積。這一切都取決于具體的產(chǎn)品配置。也許在未來，我們將不得不想出一種方法來更好地衡量數(shù)量并報(bào)告數(shù)字。對(duì)于定義體積，當(dāng)你談到3D集成時(shí)，可能是我們計(jì)算最終集成部件的數(shù)量。

　　IC：臺(tái)積電目前有四家封裝廠，第五家（稱為AP6）正在淳安（Chunan）建設(shè)。AP6 將擁有臺(tái)積電全球 50% 以上的封裝產(chǎn)能。將臺(tái)積電所有封裝的大部分集中在一個(gè)區(qū)域是否有任何積極或消極的影響？

　　KZ：我們做了很多平衡——建立更大規(guī)模的制造設(shè)施對(duì)我們來說是一個(gè)優(yōu)勢。我想你可能已經(jīng)知道我們今天在大規(guī)模建造 Gigafabs。我認(rèn)為這是我們可以為客戶帶來的關(guān)鍵經(jīng)濟(jì)效益，降低成本，也將轉(zhuǎn)嫁給客戶。但是我們必須考慮如何將其傳播到不同的地方。我們正在這樣做，以確保我們保持一定的平衡。同樣，我們正在離臺(tái)灣很遠(yuǎn)的亞利桑那州建廠！

　　IC：說到封裝和 OSAT 瓶頸。當(dāng)與我們的聽眾交談時(shí)，他們中的一些人似乎認(rèn)為這是晶圓吞吐量造成的，而其中一些人認(rèn)為這歸結(jié)為封裝吞吐量。我不一定想問你哪一個(gè)是最瓶頸的，但我想問問臺(tái)積電如何提高客戶訂單的吞吐量。我們已經(jīng)談到了臺(tái)積電擴(kuò)大其封裝能力，但臺(tái)積電在這里能做些什么？

　　KZ：我認(rèn)為在技術(shù)方面，您的讀者希望將其視為晶圓技術(shù)是瓶頸，或者封裝技術(shù)是瓶頸。實(shí)際上，我的看法是我們?nèi)绾握业阶罴呀鉀Q方案，在系統(tǒng)級(jí)別將所有部分組合在一起，以提供最佳結(jié)果。如果你回顧一下半導(dǎo)體技術(shù)，它是從二維事物開始的，摩爾定律是關(guān)于晶體管密度、縮放比例和經(jīng)濟(jì)性的。但是現(xiàn)在，隨著我們向前發(fā)展，我看到整個(gè)行業(yè)都在朝著更高水平的集成發(fā)展。在 ISSCC 等技術(shù)會(huì)議上，您會(huì)看到人們不僅談?wù)摼w管級(jí)設(shè)計(jì)，還談?wù)撓到y(tǒng)級(jí)性能，以及如何將所有功能和所有部件組合在一起。將來，我認(rèn)為這種趨勢將繼續(xù)下去，因此真正要與您的客戶合作，針對(duì)他們給定的產(chǎn)品應(yīng)用，考慮到他們獨(dú)特的系統(tǒng)級(jí)要求，以及如何以最佳方式將所有部分組合在一起。這就是我對(duì)未來的看法。

　　MM：我們的關(guān)鍵是我們合作創(chuàng)新。與我們的客戶合作是我們真正創(chuàng)新的最佳方式，允許他們進(jìn)行創(chuàng)新，同時(shí)促進(jìn)我們自己的創(chuàng)新。

　　IC：DTCO（設(shè)計(jì)技術(shù)協(xié)同優(yōu)化）是充分利用前沿技術(shù)的一個(gè)組成部分。DTCO 是否變得越來越復(fù)雜，或者隨著臺(tái)積電及其客戶了解實(shí)現(xiàn)良好 DTCO 背后的過程，它是否正在加速？你能談?wù)剢幔?/p>

　　MM：我們的關(guān)鍵是我們合作創(chuàng)新。與我們的客戶合作是我們真正創(chuàng)新的最佳方式，允許他們進(jìn)行創(chuàng)新，同時(shí)促進(jìn)我們自己的創(chuàng)新。

　　IC：DTCO（設(shè)計(jì)技術(shù)協(xié)同優(yōu)化）是充分利用前沿技術(shù)的一個(gè)組成部分。DTCO 是否變得越來越復(fù)雜，或者隨著臺(tái)積電及其客戶了解實(shí)現(xiàn)良好 DTCO 背后的過程，它是否正在加速？你能談?wù)剢幔?/p>

　　KZ：我認(rèn)為我們的客戶在過去幾代人的設(shè)計(jì)技術(shù)協(xié)同優(yōu)化中受益匪淺。展望未來，將有更多 DTCO 要做，我們發(fā)現(xiàn)我們的客戶更渴望和愿意與我們合作，以收獲內(nèi)在的技術(shù)優(yōu)勢。我認(rèn)為這種趨勢將繼續(xù)下去，我認(rèn)為即使到那時(shí)，未來的努力也會(huì)更加有力。由于它們需要在技術(shù)和設(shè)計(jì)之間更加緊密地交織在一起，您可以稱之為更難嗎？我認(rèn)為它會(huì)變得更加微妙，我們需要與我們的客戶更密切地合作，共同優(yōu)化事情?，F(xiàn)在您還有高級(jí)封裝，因此系統(tǒng)如何劃分其技術(shù)可能會(huì)有所不同。如果你有一個(gè)小芯片，你如何從一開始就在系統(tǒng)級(jí)別構(gòu)建它，