北京時間6月9日下午消息，據(jù)《韓國經(jīng)濟新聞》報道，由于全球半導體行業(yè)競爭激化，近日有三星電子（ Samsung Electronics Co。）的“危機論”說法出現(xiàn)，但目前三星在半導體存儲器市場地位依然穩(wěn)固。

基于市場研究機構Omdia的去年數(shù)據(jù)，分析師預測，今年第一季度在全球DRAM市場，三星以41.7%的市場份額排名第一，其次是SK海力士（ SK Hynix Inc。）和美光科技，市場占有率分別為30%和23%。

有分析人士認為，按照這種趨勢發(fā)展下去，三星有望穩(wěn)居冠軍寶座，并連續(xù)30年保持世界第一。

自2002年以來，三星在NAND閃存領域也是全球領先者。目前控制著超過三分之一的市場，尤其在固態(tài)硬盤（SSD）領域保持市場強勢地位。

三星電子在世界上首次成功實現(xiàn)SSD的商業(yè)化，目前占據(jù)33.3%的市場份額，是英特爾的兩倍，英特爾以16.7%的占有率位居第二。

這家韓國科技巨頭表示，將繼續(xù)擴大數(shù)據(jù)中心SSD的產(chǎn)品陣容。本月早些時候，三星推出一款采用先進數(shù)據(jù)管理技術的新型企業(yè)級固態(tài)硬盤。

根據(jù)全球市場研究機構國際數(shù)據(jù)公司（IDC） 的數(shù)據(jù)顯示，預計從2020年開始，全球企業(yè)級SSD市場將每年以21.5%的速度增長，到2024年將達到28萬億韓元（約合人民幣1605億元）。

三星的電源管理芯片，可用于DDR5 DRAM模塊

另外，三星正在強化垂直堆疊型結構NAND閃存芯片（V-NAND）方面的技術，以鞏固其業(yè)界領先地位。這項技術由三星開發(fā)，在業(yè)界尚屬首次。

6月8日，三星電子存儲器項目閃存開發(fā)室長兼副社長Jaihyuk Song在一份內(nèi)部文件表示，該公司將以‘3D scaling（縮放）’技術，進一步縮小存儲單元尺寸。

三星將通過該技術，計劃于今年下半年推出176層的第七代V-NAND產(chǎn)品，將單元體積縮小35%。

有分析人士預測認為，由于“壓抑性消費”以及半導體行業(yè)進入超級周期，三星電子的第二季度營業(yè)利潤有望超過10.4萬億韓元（約合人民幣596億元）。

三星的新款企業(yè)級固態(tài)硬盤ZNS SSD

然而，三星電子在非內(nèi)存領域面臨挑戰(zhàn)，在系統(tǒng)半導體市場的占有率僅為個位數(shù)。韓國的半導體產(chǎn)業(yè)結構偏重于DRAM等存儲產(chǎn)品。

三星電子和SK海力士在全球內(nèi)存芯片市場上分別排名第一和第二位。但是，半導體存儲器占整個半導體市場銷售額比重只有30%左右，系統(tǒng)半導體占70%。

此外，三星是全球第二大晶圓代工廠商，但其市場份額僅為18%，遠低于臺積電的56%。公司每年計劃斥資10萬億韓元，用于研發(fā)芯片代工技術并購買必要設備，但遠不及臺積電的年度投資金額——30萬億韓元。

三星于5月中旬宣布，計劃到2030年投入171萬億韓元（約合人民幣9657億元），以趕超全球晶圓代工龍頭臺積電，這比三星繼承人李在镕在2019年宣布的投資額133萬億韓元高出28.5%。