芯片是由晶體管組成的，同樣的面積之下，晶體管越密集，意味著芯片工藝越先進，所以每一代的芯片工藝提升，都是以縮短晶體管導(dǎo)電溝道的長度為目標(biāo)的。

這個晶體管導(dǎo)電溝道的長度，簡稱溝道長度，也就是指芯片的工藝，比如溝道長度為5nm，代表著芯片是5nm芯片。

而為了縮短這個溝道長度，就需要高精度的光刻機，光刻機精度越高，越能夠讓溝道長度變短。

但不可否認(rèn)的是，由于目前的晶體管基本上都是平行型結(jié)構(gòu)（晶體管之間是平行擺放的），當(dāng)芯片達到3nm工藝時，要縮短溝道長度越來越難，因為會帶來嚴(yán)重的短溝道效應(yīng)，同時對光刻機的精度也是要求太高了。

所以后來，科學(xué)家們研究另外一種晶體管結(jié)構(gòu)，就是垂直型結(jié)構(gòu)（晶體管之間是垂直擺放的），垂直型晶體管的溝道長度，僅由材料厚度決定，這樣可在大幅度的縮短溝道長度，從而使晶體管更密集，實現(xiàn)更先進的工藝，并且不用依賴于傳統(tǒng)的高精度光刻技術(shù)。

但這種垂直型晶體管，理論很美好，現(xiàn)實卻很嚴(yán)峻，因為金屬－半導(dǎo)體間之間會形成非常不理想的接觸界面，從而破壞整個器件的溝道，增加垂直隧穿電流，使器件不受柵極調(diào)控。

但在近日，湖南大學(xué)的研究團隊，采用低能量的范德華電極集成方式，實現(xiàn)了以二硫化鉬作為半導(dǎo)體溝道的薄層甚至單原子層的短溝道垂直器件，減小了隧穿電流，使得這種垂直晶體管技術(shù)，進入到了一個新的階段。

在測試中，垂直型晶體管在實現(xiàn)0．65nm的溝道長度的同時，同樣保持著較好的特性，也就意味著芯片工藝，能夠進入到1nm級別。

更重要的是，由于與平行型晶體管不同，這種垂直型晶體管技術(shù)，能夠不依賴高精度光刻技術(shù)和刻蝕技術(shù)的限制，就可以生產(chǎn)出高制程的芯片來。

目前相關(guān)論文已發(fā)表在《自然·電子學(xué)》（Nature Electronics）雜志上，湖南大學(xué)的官網(wǎng)上也有相關(guān)的詳細報道。

不過，大家也先別太激動，目前這還只是研究，真正用到工廠生產(chǎn)，可能還需要很長一段時間，但也別吐槽，任何技術(shù)的量產(chǎn)，都是先有理論研究的，沒有理論研究，哪來的量產(chǎn)。