《電子技術(shù)應(yīng)用》
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不容錯過!SiGe鍺硅工藝流片接單進行中!

2021-07-11
來源:半導(dǎo)體行業(yè)觀察
關(guān)鍵詞: SiGe鍺硅 流片

由于受硅材料固有特性的限制,基于硅工藝的器件速度已經(jīng)接近到物理極限,進一步提升器件速度并保持線性特性變得十分困難。而SiGe由于其獨特的物理性質(zhì)和重要的技術(shù)應(yīng)用價值,逐漸在電子和光電子半導(dǎo)體器件中得到廣泛的應(yīng)用。

  SiGe 速率升級

  1、光通信芯片速率升級:

  由于Optical Fiber Networks等應(yīng)用對性能要求較高,因此高性能Sige工藝可以得到應(yīng)用,fT(GHz)50-300GfT,CMOS器件電壓為1.8V/3.3V:

  前傳從6G/10G向25G升級;

  中傳以50G/100Gbit/s速率為主;

  回傳光模塊逐漸以100G//200G/400Gbit/s速率為主。

  應(yīng)用于光通信方向都是在SiGe 搭配CMOS器件180nm節(jié)點,性能優(yōu)異。

  2、高性能射頻前端以LNA/PA 為主:

  用于Automotive Radar,  60GHz WiFi, 24GHz Backhaul, Light Peak and Thunderbolt, GPS LNA等高性能模擬器件, 集成SW+LNA, LNA+SW+PA射頻前端FEM的SiGe工藝, fT(GHz)一般小于100G,搭配350/180nm CMOS器件。

  Millimeter Wave 等應(yīng)用一般使用200G以上fT的工藝,搭配180nm的CMOS器件。

  3、除光通信、射頻前端以外的其他高速應(yīng)用:

  對于Cable/DSL line drivers, Audio Amplifiers, Hard Disk Pre-Amplifiers, Serdes 等應(yīng)用,其Ft(GHz)一般為50-300G, CMOS器件電壓為1.8V/3.3V。

  目前,SiGe工藝方向已有數(shù)十家客戶Tape-out,目前已有客戶在光通信、服務(wù)器高速接口等方向通過摩爾精英的流片服務(wù)進入量產(chǎn)環(huán)節(jié)。

  摩爾精英流片服務(wù)方案

  摩爾精英為客戶提供一站式晶圓流片、封裝、測試、產(chǎn)品工程及量產(chǎn)管理服務(wù),包括全工藝覆蓋的MPW/FullMask/量產(chǎn)服務(wù),封裝快速打樣/SiP設(shè)計/量產(chǎn)管理、基于自主ATE設(shè)備的測試服務(wù),和項目整體管理包含質(zhì)量、交期和良率等服務(wù)。

  摩爾精英流片服務(wù)依托于與國內(nèi)外主流晶圓廠建立戰(zhàn)略合作關(guān)系,提供8nm-350nm的流片服務(wù),涵蓋MPW, Fullmask及量產(chǎn)服務(wù);根據(jù)每個客戶的需求,提供質(zhì)量、交期和性價比均衡的最佳的流片解決方案。

  摩爾精英流片服務(wù)提供專業(yè)的技術(shù)服務(wù)流程:

  提供工藝選擇的相關(guān)資料(工藝覆蓋0.35um-8nm)

  幫助選擇合理及正確process devices 和 production mask

  協(xié)助客戶完成 Tape-out 流程

  跟蹤并保障Fab out schedule

  提供晶圓生產(chǎn)inline測試報告

  提供完整的晶圓物流及交貨服務(wù)

  主流晶圓廠工藝節(jié)點:

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自建FAE技術(shù)團隊,平均Fab PIE CE工作經(jīng)驗10+, Design Service工作經(jīng)驗 5+, Fab端駐場服務(wù),直接對接Tapeout window,高效反饋客戶問題。

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摩爾精英流片服務(wù)供應(yīng)商(部分)




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