太赫茲是頻率位于毫米波和紅外線之間的電磁波頻段,具體頻率定義為100GHz到10THz。與毫米波頻段相比,太赫茲具有更豐富的頻譜資源,有利于實(shí)現(xiàn)更精確的測(cè)距、測(cè)厚、運(yùn)動(dòng)感知、透視成像以及化學(xué)成分鑒定等。從功能上看,太赫茲產(chǎn)品包括時(shí)域光譜分析系統(tǒng)、雷達(dá)系統(tǒng)、成像系統(tǒng)、測(cè)量?jī)x器和通信系統(tǒng)。在這五大領(lǐng)域中,硅基集成電路技術(shù)有巨大的應(yīng)用潛力。
一、太赫茲產(chǎn)品分類
太赫茲時(shí)域脈沖和光譜分析系統(tǒng)
高端太赫茲時(shí)域光譜設(shè)備工作頻率一般從幾百GHz覆蓋到幾THz,遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出了固態(tài)電路的能力范圍。目前只有基于光電技術(shù)的太赫茲時(shí)域短脈沖源配合輻射熱測(cè)量計(jì)(Bolometer)或者熱電傳感器(Pyroelectric sensor)能夠覆蓋如此寬頻段的激勵(lì)和檢測(cè)。國(guó)外公司如Advanced Photonix,Luna,F(xiàn)raunhofer ITWM等推出高精度厚度測(cè)量系統(tǒng),用于工業(yè)品內(nèi)部多層結(jié)構(gòu)的厚度測(cè)量,例如飛機(jī)機(jī)身涂層厚度,半導(dǎo)體材料疊層厚度等。另一些大公司如 Advantest,Menlo Systems,TeraView等推出的光譜分析儀主要應(yīng)用于科研、化工、海關(guān)等場(chǎng)所,可用來(lái)鑒定材料組成,識(shí)別毒品藥品,分析半導(dǎo)體材料缺陷等。這些設(shè)備價(jià)格不菲,但市場(chǎng)對(duì)于便攜式低成本的小設(shè)備需求強(qiáng)烈,硅基集成電路完全可以勝任頻率從幾十GHz覆蓋到幾百GHz的低頻光譜分析和毫米級(jí)測(cè)厚。
太赫茲雷達(dá)系統(tǒng)
在太赫茲頻率實(shí)現(xiàn)雷達(dá)系統(tǒng)優(yōu)勢(shì)是可以獲得更高的帶寬,從而帶來(lái)更精確的距離分辨率,目前商用CMOS毫米波雷達(dá)芯片主要以24,60和77GHz為主,帶寬分別為1,4和5GHz,理論距離分辨率為從幾厘米到十幾厘米,適用于車載、智慧交通、智能樓宇、智能家居等場(chǎng)景,但在許多工業(yè)檢測(cè)領(lǐng)域這個(gè)精度等級(jí)達(dá)不到要求,而這個(gè)市場(chǎng)空隙已經(jīng)被國(guó)外公司填補(bǔ),如德國(guó)Silicon Radar GmbH推出的SiGe工藝120GHz雷達(dá)芯片,已廣泛用于國(guó)內(nèi)各類液位計(jì)產(chǎn)品。該公司最新推出了業(yè)界最高帶寬的單芯片太赫茲雷達(dá),分別是25GHz帶寬的120GHz雷達(dá)芯片和40GHz帶寬的300GHz雷達(dá)芯片,將距離分辨率提升到了3-6毫米。國(guó)內(nèi)微度芯創(chuàng)已推出13GHz帶寬160GHz的CMOS太赫茲雷達(dá)芯片,縮小了國(guó)內(nèi)外的技術(shù)差距。太赫茲雷達(dá)可以廣泛用在各類工業(yè)、醫(yī)療、檢修運(yùn)維場(chǎng)景,如對(duì)精度要求較高的物位/液位計(jì)、產(chǎn)線機(jī)械手臂環(huán)境防撞感知、高精度定位、液體產(chǎn)品瓶裝深度測(cè)量、手術(shù)間非接觸無(wú)感染生命體征檢測(cè)、DNA分析、無(wú)人機(jī)探傷傳感器等等。
太赫茲成像系統(tǒng)
這個(gè)領(lǐng)域主要分被動(dòng)和主動(dòng)成像。被動(dòng)成像主要用于人體安檢,國(guó)際上知名大公司包括ThruVision,MC2等,國(guó)內(nèi)以博微太赫茲為代表。受限于噪聲性能,硅基芯片無(wú)法滿足這類系統(tǒng)的太赫茲前端需求,但在高靈敏度低噪聲放大器和低插損開(kāi)關(guān)電路之后的檢波器以及后續(xù)的中頻放大器上可以采用CMOS實(shí)現(xiàn)降成本。與被動(dòng)成像無(wú)需光源設(shè)備不同,主動(dòng)成像需要系統(tǒng)提供太赫茲光源,可用的領(lǐng)域很廣泛,從人體安檢到工業(yè)檢測(cè)。由于人體安檢目前以毫米波技術(shù)為主,所以這里我們著重談?wù)劰I(yè)檢測(cè)成像。工業(yè)檢測(cè)按場(chǎng)景分,有抽檢和全檢。最大的市場(chǎng)來(lái)自于全檢市場(chǎng),這個(gè)領(lǐng)域?qū)Τ上駥?shí)時(shí)性要求高,技術(shù)上需要采用感光陣列來(lái)實(shí)現(xiàn)。目前國(guó)際上掌握太赫茲感光器陣列技術(shù)的公司如Rigi,I2S,INO等采用Micro Bolometer陣列,TeraSense采用III/V族檢波器陣列。國(guó)內(nèi)的中科院蘇州納米所采用表面等離子體激元感光技術(shù)實(shí)現(xiàn)了感光器陣列芯片和實(shí)時(shí)成像太赫茲相機(jī)。這些主動(dòng)成像相機(jī)都需要太赫茲光源來(lái)配合,而主流光源一般采用太赫茲量子級(jí)聯(lián)激光器(QCL),激光驅(qū)動(dòng)太赫茲輻射源,回波振蕩器(BWO)或III/V族固態(tài)電路倍頻鏈路實(shí)現(xiàn),成本普遍較高。硅基芯片太赫茲源和成像陣列已在過(guò)去十年間逐漸由學(xué)術(shù)界轉(zhuǎn)為商用,輻射功率可達(dá)毫瓦級(jí)。最早基于CMOS芯片的光源和感光陣列由德國(guó)TicWave公司商用;Alcatera將這種技術(shù)帶到了工業(yè)產(chǎn)線全檢。目前國(guó)內(nèi)只有太景科技采用CMOS集成電路同時(shí)實(shí)現(xiàn)了太赫茲光源和感光器陣列,已經(jīng)達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平。Zion市場(chǎng)研究認(rèn)為在幾大市場(chǎng)細(xì)分領(lǐng)域太赫茲成像將貢獻(xiàn)主要的市場(chǎng)增長(zhǎng)。
在成像方面,還有一個(gè)細(xì)分領(lǐng)域是太赫茲掃描顯微鏡,基于納米或微米級(jí)探針在被測(cè)物體表面進(jìn)行非接觸式掃描,測(cè)量太赫茲近場(chǎng)的擾動(dòng)實(shí)現(xiàn)成像,分辨率主要取決于按探針針尖的尺寸。這類成像系統(tǒng)突破了波長(zhǎng)對(duì)成像分辨率的限制,非常適用于生物細(xì)胞分析、半導(dǎo)體工藝質(zhì)量檢測(cè)等場(chǎng)景。但目前國(guó)內(nèi)外設(shè)備均采用單針掃描,成像速度慢,每1平方厘米的面積大約需要10到20分鐘的掃描時(shí)間,無(wú)法滿足工業(yè)場(chǎng)景的需求。這類系統(tǒng)一般采用太赫茲時(shí)域脈沖源配合熱輻射傳感器(Bolometer),或者采用昂貴的矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀進(jìn)行信號(hào)激勵(lì)和信號(hào)接收處理。在這個(gè)領(lǐng)域硅基集成電路可以促進(jìn)成本的大幅下降,掃描成像時(shí)間大幅縮短,系統(tǒng)體積的大幅縮小。
太赫茲測(cè)量?jī)x器
國(guó)際頭部測(cè)試儀器公司如Keysight,Rohde&Schwarz,Anritsu都已經(jīng)將微波測(cè)試儀器(矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀、頻譜儀、信號(hào)源等)擴(kuò)展到了太赫茲頻段。這些公司的擴(kuò)頻模組來(lái)自于上游模組廠家,如Virginia Diodes Inc,Radiometer Physics GmbH,OML等。國(guó)內(nèi)中電儀器自主研發(fā)的太赫茲測(cè)試設(shè)備已經(jīng)具有國(guó)際化水平,最具里程碑意義的產(chǎn)品是頻率超過(guò)500GHz的矢量網(wǎng)絡(luò)分析測(cè)量系統(tǒng)。某初創(chuàng)公司推出的太赫茲頻率擴(kuò)展模塊,在性價(jià)比上具備很大的優(yōu)勢(shì)。這類設(shè)備采用波導(dǎo)結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn),體積大,成本高,主要的客戶是高校、研究所,大型企業(yè)或高新開(kāi)發(fā)區(qū)共享平臺(tái)等。而大多數(shù)小微企業(yè)主要靠租賃,長(zhǎng)期的租金是很大的一筆開(kāi)銷。硅基集成電路可在未來(lái)200GHz以內(nèi)的便攜型或低成本測(cè)量設(shè)備領(lǐng)域發(fā)力,有望填補(bǔ)這個(gè)細(xì)分市場(chǎng)。
太赫茲通信系統(tǒng)
目前國(guó)際上從事太赫茲通信相關(guān)產(chǎn)品研發(fā)的是TeraPhysics,而國(guó)內(nèi)只有高校或大公司的內(nèi)部預(yù)研部門在開(kāi)展相關(guān)研究。由于通信鏈路的大帶寬帶來(lái)總噪聲的惡化,把硅基收發(fā)機(jī)與III/V族功率放大器和低噪聲放大器結(jié)合使用,達(dá)到性能與成本的平衡。如果6G通信采用太赫茲進(jìn)行微基站數(shù)據(jù)互聯(lián),硅基太赫茲通信集成電路的年市場(chǎng)規(guī)模可達(dá)到至少幾十億美元的規(guī)模。
二、硅基太赫茲集成電路公司的崛起
硅基太赫茲集成電路在經(jīng)過(guò)十幾年國(guó)際學(xué)術(shù)界探索和各大晶圓廠商工藝性能的不斷提升,已經(jīng)進(jìn)入可以工程量產(chǎn)的階段。從目前的SiGe與CMOS工藝性能看,硅基集成電路可以勝任頻率在200GHz以內(nèi)的信號(hào)放大,600GHz以內(nèi)的倍頻、混頻、鎖頻鎖相和檢波。這些都是實(shí)現(xiàn)太赫茲信號(hào)發(fā)射與接收的基本功能模塊。其中200GHz以內(nèi)的放大器的輸出功率大約10mW,噪聲系數(shù)不差于15dB,帶寬可以做到幾十到上百GHz;檢波NEP在100pW/Hz1/2量級(jí)等等。這一些列性能可以在上述各個(gè)領(lǐng)域大有作為。
國(guó)際上基于硅基芯片技術(shù)的太赫茲科技公司已經(jīng)取得了不錯(cuò)的進(jìn)展。德國(guó)的Silicon Radar提供業(yè)界最高帶寬的SiGe雷達(dá)芯片,已完成了3輪融資,其中包括政府和商業(yè)風(fēng)險(xiǎn)資本;法國(guó)TiHive在2020年完成860萬(wàn)歐元融資,專門從事高速太赫茲CMOS相機(jī)開(kāi)發(fā);德國(guó)TicWave在業(yè)界最早提供實(shí)時(shí)太赫茲成像CMOS芯片解決方案;美國(guó)Alcatera推出了業(yè)界第一款針對(duì)拋棄型衛(wèi)生用品(紙尿褲、衛(wèi)生巾)生產(chǎn)線全檢的實(shí)時(shí)太赫茲成像設(shè)備,已經(jīng)獲得國(guó)際頭部客戶訂單;國(guó)內(nèi)微度芯創(chuàng)已完成A輪數(shù)千萬(wàn)融資;初創(chuàng)公司太景科技在成立不到一年已采用CMOS工藝同時(shí)實(shí)現(xiàn)頻率接近400GHz的太赫茲光源和成像芯片,并即將推出針對(duì)工業(yè)生產(chǎn)線的實(shí)時(shí)高速太赫茲成像設(shè)備。
三、硅基芯片對(duì)太赫茲產(chǎn)業(yè)規(guī)模的影響
BCC市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè)2024年全球太赫茲市場(chǎng)可達(dá)到$908.6M(9.086億美金),2029年可達(dá)到$3.5B(35億美金)。這項(xiàng)市場(chǎng)報(bào)告是圍繞主流太赫茲技術(shù)(如光電技術(shù),Bolometer等)和相關(guān)產(chǎn)品進(jìn)行的統(tǒng)計(jì)、分析和預(yù)測(cè),對(duì)固態(tài)電路尤其是硅基集成電路給行業(yè)帶來(lái)的深刻影響考慮不足。如同當(dāng)年CMOS工藝實(shí)現(xiàn)射頻信號(hào)收發(fā)促進(jìn)了手機(jī)大規(guī)模普及, SiGe或CMOS實(shí)現(xiàn)毫米波信號(hào)收發(fā)加速了車載毫米波雷達(dá)的量產(chǎn),用硅基尤其是低成本CMOS芯片實(shí)現(xiàn)太赫茲信號(hào)的收發(fā)必將推動(dòng)太赫茲技術(shù)向巨大的民用市場(chǎng)轉(zhuǎn)化。
四、總結(jié)
太赫茲應(yīng)用的細(xì)分領(lǐng)域繁多,每個(gè)細(xì)分領(lǐng)域的年市場(chǎng)規(guī)模從幾千萬(wàn)到幾個(gè)億不等。而硅基芯片的設(shè)計(jì)首先應(yīng)全面了解應(yīng)用市場(chǎng)的需求和痛點(diǎn),對(duì)通用性和兼容性進(jìn)行充分規(guī)劃,以應(yīng)對(duì)系統(tǒng)集成的多樣化需求。
當(dāng)硅基芯片成為可能,太赫茲民用時(shí)代才真正到來(lái)。