華為哈勃入股天域半導(dǎo)體
7月1日,據(jù)啟信寶消息顯示,東莞市半導(dǎo)體" target="_blank">天域半導(dǎo)體科技有限公司(以下簡(jiǎn)稱“天域半導(dǎo)體”)發(fā)生了工商變更,新增股東華為哈勃。
同時(shí),天域半導(dǎo)體的注冊(cè)資本由9027．0527萬(wàn)元變更為9770．4638萬(wàn)元。
天域半導(dǎo)體成立于2009年,坐落在中國(guó)第三代半導(dǎo)體南方重鎮(zhèn)東莞,是中國(guó)首家專業(yè)從事第三代半導(dǎo)體SiC外延晶片研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的國(guó)家高新技術(shù)企業(yè);
同時(shí),也是中國(guó)第一家碳化硅半導(dǎo)體材料供應(yīng)鏈的企業(yè)獲得汽車質(zhì)量認(rèn)證(IATF 16949) 。
2010年,天域半導(dǎo)體與中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所合作,共同創(chuàng)建了碳化硅研究所。
擁有數(shù)十項(xiàng)半導(dǎo)體相關(guān)專利,例如一種改變 SiC 芯片翹曲度的拋光裝置等。
目前,天域在中國(guó)擁有最多的碳化硅外延爐-CVD,月產(chǎn)能5000件。
可提供n-型和p-型 摻雜外延材料、制作肖特基二極管、JFETs、BJTs、MOSFETs,GTOs 和 IGBTs等產(chǎn)品。
天域半導(dǎo)體所研究的碳化硅材料具備突出的性能優(yōu)勢(shì),可有效提高功率器件的功率密度和效率,降低系統(tǒng)成本,對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)有著全方位的帶動(dòng)。
華為進(jìn)入第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域
華為進(jìn)入第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域是非常重要的信號(hào),目前基于硅材料的功率半導(dǎo)體器件已經(jīng)接近其物理極限。
因此,以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等為代表的第三代半導(dǎo)體材料開(kāi)始受到重視。
值得一提的是,今年以來(lái),華為明顯加快了布局半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的步伐,截至目前,華為已經(jīng)投資了10多家半導(dǎo)體企業(yè),過(guò)去3年時(shí)間內(nèi),華為已累計(jì)投資入股了41家芯片半導(dǎo)體公司。
今年4月成立的深圳哈勃科技投資公司,其目標(biāo)是幫助華為快速打造一條半導(dǎo)體自救生態(tài)鏈,目前這條生態(tài)鏈正有合攏之勢(shì),同時(shí)短短兩個(gè)月已投資三家科技獨(dú)角獸。
深圳哈勃母公司「哈勃科技投資」投資腳步更快,投資版圖中共有 37 家公司,其中涉及半導(dǎo)體相關(guān)的就有 34 家,涉及 IC 設(shè)計(jì)、EDA、測(cè)試、封裝、材料和設(shè)備等各領(lǐng)域。
從哈勃的投資動(dòng)作中可以看出,華為正在逐步構(gòu)建芯片領(lǐng)域的自主可控產(chǎn)業(yè)鏈,從而實(shí)現(xiàn)自救。
近兩年來(lái),華為哈勃的投資步伐越來(lái)越頻繁,而這與華為陷入困境離不開(kāi)關(guān)系。
除了天域半導(dǎo)體之外,深圳哈勃此前還投資了強(qiáng)一半導(dǎo)體、云英谷等。
而在碳化硅領(lǐng)域的布局上,此前華為旗下的哈勃科技投資也已入股了山東天岳、瀚天天成等碳化硅技術(shù)廠商。
華為海思依舊是堅(jiān)持的根本
華為旗下的海思半導(dǎo)體部門曾是全球十大半導(dǎo)體公司之一,雖然不具備芯片制造的能力,但是其強(qiáng)大的設(shè)計(jì)研發(fā)水準(zhǔn)也為華為提供巨大的幫助。
華為很多項(xiàng)業(yè)務(wù)都需要用上芯片,而這些芯片幾乎都是海思自主研發(fā)的?？墒侨A為海思遭遇變故,芯片無(wú)法生產(chǎn)。
而華為對(duì)天域半導(dǎo)體的投資,恐怕也是在為將來(lái)做準(zhǔn)備。
一方面海思繼續(xù)研發(fā);另一方面投資第三代半導(dǎo)體材料企業(yè),未雨綢繆。
這一些列的投資動(dòng)作,足以看出華為將建立起具備自主可控的芯片供應(yīng)鏈,為實(shí)現(xiàn)自給自足,為避免對(duì)國(guó)外廠商依賴。
近期有關(guān)華為第一座晶圓廠落子湖北武漢的消息也傳得沸沸揚(yáng)揚(yáng),據(jù)媒體報(bào)道,該晶圓廠初期僅用于生產(chǎn)光通信芯片和模塊,計(jì)劃2022年開(kāi)始分階段投產(chǎn),項(xiàng)目總投資18億元。
在華為此前披露的《華為投資控股有限公司2019年度第一期中期票據(jù)募集說(shuō)明書》里,就提出了擬建武漢海思工廠項(xiàng)目,總投資為18億元。
其后,武漢市自然資源和規(guī)劃局網(wǎng)站發(fā)布的《華為技術(shù)有限公司華為武漢研發(fā)生產(chǎn)項(xiàng)目(二期)A地塊規(guī)劃設(shè)計(jì)方案調(diào)整批前公示》里,顯示這個(gè)項(xiàng)目為海思光工廠。
華為的版圖帝國(guó)里,海思是極為重要的一極,華為能走多遠(yuǎn),就取決于海思能做出什么樣的突破。
從華為投資的公司可以看出,華為已在布局光芯片半導(dǎo)體、碳化硅等第三代半導(dǎo)體、芯片涉及的開(kāi)發(fā)工具、關(guān)鍵零部件供應(yīng)商、核心原材料等。
華為投資的這些企業(yè)均是位于華為供應(yīng)鏈相關(guān)的企業(yè),且均屬于高新技術(shù)涉及制造類企業(yè)。從此可以看出華為的戰(zhàn)略布局,已為海思進(jìn)入芯片制造領(lǐng)域做準(zhǔn)備。
華為通過(guò)哈勃投資把控供應(yīng)鏈,也再次印證華為進(jìn)入芯片制造領(lǐng)域的決心。
綜上信息來(lái)看,華為正逐步補(bǔ)齊自己的短板,加大在芯片領(lǐng)域投資和布局,加快芯片設(shè)計(jì)和芯片制造相關(guān)技術(shù)研發(fā),其中,海思承擔(dān)了華為未來(lái)芯片領(lǐng)域的突破重?fù)?dān)。
華為哈勃投資重心發(fā)生演變
華為未雨綢繆,提前布局戰(zhàn)略需求領(lǐng)域,為海思進(jìn)入芯片制造領(lǐng)域鋪路。
2019年,哈勃投資了恩瑞浦微電子,該企業(yè)主要涉及模擬芯片領(lǐng)域,研究的是華為在基站建設(shè)中所需要的芯片。
2019年底到2020年上半年,哈勃先后投資了鯤游光電、好達(dá)電子等企業(yè),將投資重點(diǎn)轉(zhuǎn)向材料、光電芯片領(lǐng)域。
2021年,哈勃先后投資了九同方微電子、無(wú)錫飛譜電子、立芯軟件,開(kāi)始在EDA領(lǐng)域布局。目前,哈勃的投資主要集中在設(shè)備領(lǐng)域。
從投資的企業(yè)來(lái)看,哈勃投資的都還只是處于發(fā)展前期的企業(yè),與龍頭企業(yè)還有一定的差距。然而,這些企業(yè)的技術(shù)均為自主研發(fā),在各自的細(xì)分領(lǐng)域均有一定的成果。
結(jié)尾
華為正化被動(dòng)為主動(dòng),針對(duì)芯片產(chǎn)業(yè)的卡脖子問(wèn)題,為建立自主可控的芯片供應(yīng)鏈體系而積極謀篇布局。
當(dāng)生態(tài)建立起來(lái),當(dāng)國(guó)產(chǎn)器件逐漸接入終端產(chǎn)品供應(yīng)鏈,當(dāng)我們的市場(chǎng)越來(lái)越大,也給了國(guó)內(nèi)企業(yè)提供試錯(cuò)、改進(jìn)的機(jī)會(huì)。
但既然是新賽道,畢竟也有許多未知的可能以及難點(diǎn),這道路漫長(zhǎng),還需各方努力。
部分資料參考:商業(yè)經(jīng)濟(jì)觀察:《華為押注第三代半導(dǎo)體,投資芯片材料企業(yè),布局越來(lái)越明朗了》,新浪財(cái)經(jīng):《動(dòng)作頻頻!華為攜手“A股小伙伴”發(fā)力芯片產(chǎn)業(yè)自主可控》
