11月23日，露笑科技發(fā)布2021年度非公開發(fā)行A股股票預案，擬定增募資逾29億投入第三代半導體等項目。

據(jù)披露，露笑科技擬向不超過35名特定對象非公開發(fā)行不超過4.81億股，募資總額不超過29.4億元。

重點瞄準碳化硅項目，規(guī)劃年產(chǎn)能24萬片

根據(jù)定增方案，露笑科技在扣除發(fā)行費用后，將用于“第三代功率半導體（碳化硅）產(chǎn)業(yè)園項目”、“大尺寸碳化硅襯底片研發(fā)中心項目”和補充流動資金項目，其中2個碳化硅項目計劃總投資26億元，擬使用募集資金24.4億元。

其中，第三代功率半導體（碳化硅）產(chǎn)業(yè)園項目是露笑科技此次重投項目，計劃總投資額21億元，擬使用募資基金19.4億元，由露笑科技控股子公司合肥露笑半導體材料有限公司（以下簡稱“合肥露笑半導體”）組織實施，建設(shè)期24個月。本項目完成后將形成年產(chǎn)24萬片6英寸導電型碳化硅襯底片的生產(chǎn)能力。

露笑科技指出，項目的實施能夠?qū)崿F(xiàn)對下游客戶的穩(wěn)定批量供應，緩解下游市場對碳化硅材料依賴國外進口的局面。

值得注意的是，合肥露笑半導體近日還與下游買家東莞天域半導體簽訂了《戰(zhàn)略合作協(xié)議》。

與東莞天域半導體簽訂15萬片大單

根據(jù)協(xié)議，東莞天域半導體將優(yōu)先選用露笑半導體生產(chǎn)的6英寸碳化硅導電襯底，且未來三年（2022-2024年）合肥露笑半導體需為東莞天域半導體預留產(chǎn)能不少于15萬片。

同時，雙方同意共同協(xié)作在6英寸及以上規(guī)格碳化硅導電襯底方面進行產(chǎn)業(yè)化應用技術(shù)研發(fā)合作，在技術(shù)研發(fā)上互相支持合作，為碳化硅導電襯底的技術(shù)進步、產(chǎn)品成熟及下游產(chǎn)品的質(zhì)量提升、穩(wěn)定性提高和成品率提升等產(chǎn)業(yè)化應用方向進行密切合作。

露笑科技指出，本次戰(zhàn)略合作合一充分發(fā)揮東莞天域半導體在碳化硅外延、芯片、器件、模組等研產(chǎn)優(yōu)勢和合肥露笑半導體在碳化硅底材料及相關(guān)專用裝備的研產(chǎn)優(yōu)勢，實現(xiàn)優(yōu)勢互補，全面開展碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈深入、務實的戰(zhàn)略合作。

資料顯示，東莞天域半導體成立于2009年，是中國第一家從事碳化硅 (SiC) 外延晶片市場營銷、研發(fā)和制造的民營企業(yè)，先后通過了工業(yè)級及車規(guī)級測試，整合了碳化硅材料、芯片與器件供應鏈，構(gòu)建了產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢地位。2010年，東莞天域半導體與中國科學院半導體研究所合作，共同創(chuàng)建了碳化硅研究所。

今年7月，東莞天域半導體獲得深圳哈勃的投資，目前，深圳哈勃是其第五大股東，持股7.6087%。