過(guò)去幾十年，芯片沿著摩爾定律不斷微縮，芯片的尺寸越來(lái)越小，性能越來(lái)越高。正因如此，以前如龐然大物的電腦才能變成我們掌上的輕薄本，還有手機(jī)、電視、智能手表等等，這些給我們的生活帶來(lái)了無(wú)限的便利。但現(xiàn)在，我們遇到了阻礙，晶體管小型化速度正在放緩，摩爾定律逼近極限。芯片制造商無(wú)法通過(guò)傳統(tǒng)的方法用更經(jīng)濟(jì)的成本來(lái)制造更微小的電路。
于是各種后摩爾時(shí)代的技術(shù)開(kāi)始被探索，MOSFET晶體管從二維進(jìn)入3D FinFET，進(jìn)入GAA；3D封裝、SiP封裝等先進(jìn)封裝技術(shù)也成為企業(yè)加速布局的技術(shù)，Chiplet被派上用場(chǎng)，國(guó)際大廠(chǎng)紛紛加入這個(gè)行列；諸如碳納米管等新型半導(dǎo)體材料也在加速攻堅(jiān)；存算一體新器件開(kāi)始逐步替代傳統(tǒng)的MOS器件；甚至要超越晶體管進(jìn)入量子計(jì)算；等等。整個(gè)半導(dǎo)體業(yè)界無(wú)不為芯片的下一步發(fā)展找尋新思路?，F(xiàn)在有一種全新的、更劃算的技術(shù)或許能為芯片制造的微縮打開(kāi)另一扇大門(mén)，那就是定向自組裝技術(shù)（DSA），它可以算是光刻技術(shù)的一種互補(bǔ)技術(shù)。
在2021年SPIE先進(jìn)光刻大會(huì)上，全球領(lǐng)先的納米電子和數(shù)字技術(shù)研究和創(chuàng)新中心imec首次展示了定向自組裝（DSA）到間距小至18nm的模式線(xiàn)/空間的能力，一種優(yōu)化的干蝕刻化學(xué)方法成功地將圖案轉(zhuǎn)移到底層的厚SiN層中，這將使進(jìn)一步的缺陷檢測(cè)成為可能。這些結(jié)果證實(shí)了定向自組裝技術(shù)（DSA）有潛力補(bǔ)充用于亞 2nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)工業(yè)制造的傳統(tǒng)自上而下圖案化。
了解定向自組裝（DSA）
在講定向自組裝技術(shù)（DSA）之前，首先讓我們重溫下當(dāng)前的芯片制造方法。
現(xiàn)在芯片通常通過(guò)光刻法制造。簡(jiǎn)言之，電路的每一個(gè)微小特征都被投射在硅片上，在此過(guò)程中，會(huì)在硅片上涂覆被稱(chēng)為光致抗蝕劑的光敏材料。之后，硅晶片將被置于不同圖案之下，這些圖案由光線(xiàn)穿透被稱(chēng)為掩模的濾光片形成。光線(xiàn)每照射到一處，光刻膠便會(huì)固化，其余部分則會(huì)被沖洗掉。在下一步驟中，會(huì)對(duì)晶圓進(jìn)行化學(xué)蝕刻，由此在表面的裸露部分形成功能結(jié)構(gòu)。光刻技術(shù)的進(jìn)步一直是推動(dòng)后續(xù)半導(dǎo)體節(jié)點(diǎn)前進(jìn)的關(guān)鍵。隨著芯片進(jìn)入10nm以下，極紫外（EUV）技術(shù)必不可少，光刻變得過(guò)于復(fù)雜且成本高昂，一臺(tái)EUV光刻機(jī)的成本超過(guò)了1億美元。相對(duì)的，芯片的成本也隨之水漲船高。
除了成本之外，傳統(tǒng)的自上而下的光刻模式正日益受到感光材料對(duì)光反應(yīng)的固有問(wèn)題的挑戰(zhàn)，如隨機(jī)打印失敗和線(xiàn)邊/線(xiàn)寬粗糙度（LER/LWR）。而定向自組裝（DSA）技術(shù)被認(rèn)為是一種革新的、更具成本效益的制造方法，它是采用自下而上的模式。作為補(bǔ)充和進(jìn)一步擴(kuò)展基于光刻的模式的潛在途徑。
定向自組裝（DSA）使用自組裝分子來(lái)打造計(jì)算機(jī)芯片的納米級(jí)組件，與掩模定義圖案的大多數(shù)光刻技術(shù)不同，它利用嵌段共聚物（BCP）形態(tài)來(lái)創(chuàng)建線(xiàn)條、空間和孔圖案，有助于更準(zhǔn)確地控制特征形狀。
自組裝是一種受自然啟發(fā)的方法，它在大自然界中從脂質(zhì)膜到細(xì)胞結(jié)構(gòu)中隨處可見(jiàn)。所謂自組裝，指的就是各個(gè)組件自發(fā)組成規(guī)律的結(jié)構(gòu)，這是組件之間特定局部交互作用的結(jié)果，而且他們組成的結(jié)構(gòu)非常穩(wěn)固。業(yè)界專(zhuān)家認(rèn)為，如果這種方法可以用于大自然，那么同理也可能用于芯片產(chǎn)業(yè)。
但其實(shí)DSA也不是一項(xiàng)新技術(shù)，早在2000年行業(yè)就開(kāi)始了初步開(kāi)發(fā)，2007年，DSA被添加到ITRS路線(xiàn)圖中，早期的支持者們認(rèn)為DSA將進(jìn)入14nm和7nm邏輯節(jié)點(diǎn)之間進(jìn)行的商業(yè)生產(chǎn)，但是到目前為止，還沒(méi)有實(shí)現(xiàn)。而現(xiàn)在，隨著芯片工藝來(lái)到7nm，5nm，3nm，以及DSA 材料和加工的最新發(fā)展，DSA技術(shù)再度被看好。
DSA能夠提供比半導(dǎo)體行業(yè)目前所要求的更高的分辨率，而且特征尺寸現(xiàn)在正接近DSA特別有效的水平。如果這些趨勢(shì)持續(xù)下去，這項(xiàng)技術(shù)有望在本世紀(jì)末被廣泛采用。
將定向自組裝用于半導(dǎo)體
“如果觀(guān)察集成電路結(jié)構(gòu)或晶體管陣列，許多功能結(jié)構(gòu)都會(huì)重復(fù)數(shù)百萬(wàn)次。這是一個(gè)高度周期性的結(jié)構(gòu)。因此，我們希望在替代制造技術(shù)中利用這種周期性，并通過(guò)自組裝材料自發(fā)地形成晶體管所需的周期性結(jié)構(gòu)。我們用這些材料來(lái)完成最后的精細(xì)圖案的制作工作，而不是試圖在電路投射技術(shù)上尋找突破?！盉ranchburg半導(dǎo)體材料研發(fā)部主管Karl Skjonnemand說(shuō)。
用自組裝材料來(lái)替代晶體管的周期性排列
?。▓D源：Karl Skjonnemand TED演講）
“自組裝材料的關(guān)鍵在于嵌段共聚物（BCP）。這些材料由兩條長(zhǎng)度只有幾十納米的聚合物鏈組成，它們具有特殊的熱力學(xué)特性，這兩條聚合物鏈彼此厭惡、相互排斥，就像水油一樣不相容，但如果我們強(qiáng)制使他們結(jié)合在一起，他們便可形成具有高度規(guī)律性的納米結(jié)構(gòu)?！盨kjonnemand解釋說(shuō)，“一塊巨型的材料可能共有數(shù)十億個(gè)這樣的聚合物鏈。其中，相似的聚合物會(huì)試圖粘合在一起，同時(shí)，相反的部件則試圖彼此分離。因此，聚合物鏈會(huì)四處移動(dòng)，直到形成一個(gè)固定形狀。
而且天然的自組裝形狀具有納米級(jí)、規(guī)則性、周期性，且長(zhǎng)距離的特點(diǎn)，這正是晶體管陣列所需要的。所以我們就可以利用分子工程，來(lái)設(shè)計(jì)不同形狀、尺寸和周期的晶體管。也就是說(shuō)，通過(guò)簡(jiǎn)單調(diào)整聚合物鏈中嵌段的長(zhǎng)度和組成，就有可能產(chǎn)生許多不同的規(guī)則圖案和形狀，這樣就可以根據(jù)設(shè)計(jì)調(diào)整為確切的樣式、尺寸和周期。
利用自組裝材料形成不同形狀
?。▓D源：Karl Skjonnemand TED演講）
而實(shí)現(xiàn)這些結(jié)構(gòu)的自組裝能力，僅僅是通向目標(biāo)制造過(guò)程中的一環(huán)。因?yàn)檫€需要排列這些結(jié)構(gòu)，使得晶體管們可以形成集成電路。不過(guò)其方法也相對(duì)簡(jiǎn)單，只需要利用寬導(dǎo)向結(jié)構(gòu)來(lái)固定自組裝結(jié)構(gòu)，將他們固定好錨位，使剩余的自組裝結(jié)構(gòu)可以平行排列，就可以達(dá)到與導(dǎo)向結(jié)構(gòu)一致。
Skjonnemand舉例說(shuō)，”如果我們希望制作一條40納米的細(xì)線(xiàn)，這對(duì)傳統(tǒng)投影技術(shù)來(lái)說(shuō)是很難制造的，我們可以使用普通投影技術(shù)制造一條120納米的導(dǎo)向結(jié)構(gòu)，這個(gè)結(jié)構(gòu)將把3個(gè)40納米長(zhǎng)的線(xiàn)形排列在一起，這些材料將承擔(dān)最困難的精細(xì)構(gòu)圖任務(wù)。我們將整個(gè)方法稱(chēng)為‘定向自組裝’?！?/p>
當(dāng)然定向自組裝不是一個(gè)獨(dú)立的過(guò)程，而是與傳統(tǒng)的制造過(guò)程集成在一起，以便以較低的成本批量生產(chǎn)微米和納米結(jié)構(gòu)。由于在定向自組裝中使用傳統(tǒng)的光刻技術(shù)，因此另一個(gè)優(yōu)勢(shì)在于，制造商無(wú)需在新設(shè)備上進(jìn)行大量投資。Branchburg公司與客戶(hù)攜手進(jìn)行的試點(diǎn)項(xiàng)目顯示出，與傳統(tǒng)的多重構(gòu)圖相比，定向自組裝制造過(guò)程中的報(bào)錯(cuò)大大減少。而且他們預(yù)計(jì)，定向自組裝可以將制造中涉及的工藝步驟數(shù)量減少40%以上。
距離融入日常制造還有多遠(yuǎn)？
但定向自組裝技術(shù)要真正完全融入日常制造還面臨一些挑戰(zhàn)，2016 年 DSA 研討會(huì)調(diào)查將缺陷確定為最大的技術(shù)挑戰(zhàn)。在Skjonnemand看來(lái)，如要采用定向自組裝，整個(gè)系統(tǒng)需要完美對(duì)準(zhǔn)，因?yàn)榻Y(jié)構(gòu)中的任何微小缺陷都可能導(dǎo)致晶體管失效。而且，由于電路中有數(shù)十億個(gè)晶體管，因此系統(tǒng)需要在分子級(jí)上達(dá)到幾乎完美的狀態(tài)。
缺陷率和成本是直接掛鉤的，因?yàn)樽畹偷娜毕菟脚c最長(zhǎng)的退火時(shí)間是相關(guān)的。雖然僅用五分鐘的退火就能使兩相分離，但產(chǎn)生的材料含有太多的缺陷，不適合商業(yè)使用。
”我們將采取非常規(guī)措施來(lái)實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)?！八^續(xù)說(shuō)，”通過(guò)在半導(dǎo)體工廠(chǎng)中對(duì)化學(xué)品進(jìn)行最佳清潔，以及謹(jǐn)慎處理這些材料，我們甚至可以消除最微小的納米級(jí)缺陷。“
在2021年SPIE先進(jìn)光刻大會(huì)上，全球領(lǐng)先的納米電子和數(shù)字技術(shù)研究和創(chuàng)新中心imec首次展示了定向自組裝（DSA）到間距小至18nm的模式線(xiàn)/空間的能力，使用高chi嵌段共聚物（高χ BCP）為基礎(chǔ)的工藝在高批量生產(chǎn)（HVM）條件下。
但這項(xiàng)技術(shù)仍然在發(fā)展中，半導(dǎo)體行業(yè)雖然在光刻方面擁有豐富的經(jīng)驗(yàn)，但要使用定向自組裝（DSA）技術(shù)需要轉(zhuǎn)變思維方式。嵌段共聚物（BCP）材料和工藝是具有革命性的，而不是進(jìn)化性的，這不是行業(yè)所習(xí)慣的，可能會(huì)面臨阻力。而且定向自組裝（DSA）需要在真實(shí)設(shè)備上進(jìn)行演示，然后才能在半導(dǎo)體市場(chǎng)上取得成功。所以，半導(dǎo)體行業(yè)材料供應(yīng)商和在嵌段共聚物（BCP）方面具有豐富經(jīng)驗(yàn)的化學(xué)公司之間的合作是彌合這一差距的途徑之一。
在這方面，默克公司是化學(xué)行業(yè)的專(zhuān)家。據(jù)悉，默克在自組裝技術(shù)方面的進(jìn)步，已經(jīng)能使客戶(hù)開(kāi)始規(guī)劃大批量制造產(chǎn)能。默克正在開(kāi)發(fā)極其純凈的大批量合成能力來(lái)滿(mǎn)足客戶(hù)對(duì)性能和質(zhì)量目標(biāo)的追求。
”這項(xiàng)革命性技術(shù)有望徹底改變半導(dǎo)體制造工藝，并將加快下一代構(gòu)圖應(yīng)用的引入?！澳税雽?dǎo)體解決方案全球負(fù)責(zé)人Anand Nambiar表示。默克認(rèn)為，定向自組裝可以在未來(lái)幾年內(nèi)成為半導(dǎo)體行業(yè)中的先進(jìn)制造工藝。
寫(xiě)在最后
如果定向自組裝真的能走進(jìn)半導(dǎo)體制造，那么業(yè)界將能夠以更經(jīng)濟(jì)高效的方式，生產(chǎn)出越來(lái)越小的晶體管，從而確保運(yùn)算和數(shù)字革命能夠繼續(xù)以驚人的步速向前邁進(jìn)。這同樣預(yù)示著分子制造新時(shí)代的曙光。
#humanprogress 近幾年，定向自組裝（DSA）引起了大量業(yè)界同仁的興趣，已經(jīng)發(fā)展成為一個(gè)由大學(xué)、計(jì)量學(xué)家、材料和設(shè)備供應(yīng)商組成的寶貴生態(tài)系統(tǒng)。與以前單一行業(yè)的努力不同，材料和化學(xué)公司之間的合作將更好的推動(dòng)定向自組裝技術(shù)的真正落地實(shí)施。一場(chǎng)芯片制造的革命即將來(lái)臨，那么，默克又將如何聯(lián)合材料廠(chǎng)商利用定向自組裝技術(shù)打造前瞻性的微芯片呢？