華邦 256Mb HyperRAM 2.0e KGD 良裸晶圓封裝為 Efinix Ti60 F100 提供高性能、低功耗、小尺寸的內(nèi)存選擇,充分滿足嵌入式邊緣AI應(yīng)用的多種需求
與傳統(tǒng) DRAM 所需配備 31-38 個(gè)標(biāo)準(zhǔn)引腳相比,僅需 22 個(gè)信號(hào)引腳的華邦 HyperRAM 2.0e KGD,可使設(shè)計(jì)人員大幅減少其空間占用并簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)
華邦 HyperRAM 可實(shí)現(xiàn)超低功耗:主動(dòng)模式下功耗與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的 DRAM 等同或更低,同時(shí)提供140 uW的待機(jī)功耗。此外混合睡眠模式的功耗僅為 70uW
全球半導(dǎo)體存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商華邦電子今日宣布,可編程產(chǎn)品平臺(tái)和技術(shù)的創(chuàng)新廠商Efinix選擇華邦HyperRAMTM 內(nèi)存來(lái)驅(qū)動(dòng)新一代相機(jī)和傳感器系統(tǒng),如人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、熱成像儀、工業(yè)相機(jī)、機(jī)器人和智能設(shè)備等。華邦256Mb x16 HyperRAM 2.0e KGD 具備提供超低功耗、高性能和小巧的外形尺寸設(shè)計(jì),為Efinix Titanium Ti60 F100 FPGA提供完整、易于實(shí)現(xiàn)的內(nèi)存系統(tǒng),幫助其快速地將產(chǎn)品推向市場(chǎng),同時(shí)兼具成本效益。
華邦表示:“如今,設(shè)備制造商正在將傳感器和連接功能添加到幾乎所有的下一代應(yīng)用中,這一趨勢(shì)推動(dòng)了提高邊緣處理能力,同時(shí)卻又希望能繼續(xù)保持設(shè)備小巧尺寸的需求。HyperRAM特別針對(duì)這些應(yīng)用進(jìn)行優(yōu)化,通過(guò)混合睡眠模式提供超低功耗、用較少的信號(hào)引腳簡(jiǎn)化設(shè)計(jì),同時(shí)保持及其小巧的芯片尺寸。品牌客戶或系統(tǒng)制造商,如Efinix可輕松設(shè)計(jì)出PCB尺寸更小的Ti60 (SiP 256Mbx16 HyperRAM KGD),以裝載于可穿戴相機(jī)等緊湊型應(yīng)用設(shè)備中。”
Efinix市場(chǎng)營(yíng)銷副總裁 Mark Oliver表示:“Ti60 F100專為邊緣和物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用所設(shè)計(jì),要求其具備小尺寸與低功耗等關(guān)鍵性能。華邦所提供的超低功耗和小尺寸內(nèi)存與Titanium系列的低功耗性能相結(jié)合,可充分滿足上述要求。華邦HyperRAM的低引腳數(shù),可將設(shè)備輕松集成到微型的5.5 mm2 多芯片系統(tǒng)封裝中?!?/p>
關(guān)于Ti60 F100
Efinix Ti60 F100 內(nèi)含價(jià)值60K的邏輯和高速I/O,可針對(duì)各種通信協(xié)議進(jìn)行配置,此外還集成了SPI閃存和HyperRAM,且全部封裝在0.5mm球間距的微型5.5 mm2封裝中。通過(guò)結(jié)合FPGA邏輯和數(shù)據(jù)存儲(chǔ),Ti60 F00 成為了適用于各種相機(jī)和傳感器系統(tǒng)的最佳解決方案。借助SPI閃存,設(shè)計(jì)人員無(wú)需配備外掛獨(dú)立內(nèi)存,而HyperRAM可用于存儲(chǔ)用戶數(shù)據(jù)??蛻艨蓪yperRAM用作視頻的幀緩沖器,用于存儲(chǔ)AI的權(quán)重和偏差、存儲(chǔ)飛行時(shí)間(TOF)傳感器的參數(shù),或存儲(chǔ)RISC-V SoC的固件。如需了解Efinix平臺(tái)的更多相關(guān)信息,請(qǐng)?jiān)L問(wèn) Titanium Ti60 F100
關(guān)于HyperRAM
華邦HyperRAM是嵌入式AI和圖像識(shí)別與處理的理想選擇。在這些應(yīng)用中,電子電路必須盡可能微型化,同時(shí)需提供足夠的存儲(chǔ)和數(shù)據(jù)帶寬以支持計(jì)算密集型的工作負(fù)載,例如關(guān)鍵字識(shí)別或圖像識(shí)別。HyperRAM可在200MHz的最大頻率下運(yùn)行,并在3.3V或1.8V的工作電壓下提供400MB/s的最大數(shù)據(jù)傳輸速率。同時(shí),HyperRAM在操作和混合睡眠模式下均可提供超低功耗, 以華邦64Mb HyperRAM為例,常溫下1.8V待機(jī)功耗為70 uW,更重要的是,HyperRAM在1.8V混合睡眠模式下的功耗僅為35uW。此外,HyperRAM 64Mb x8僅有13個(gè)引號(hào)引腳,可大幅簡(jiǎn)化PCB布局設(shè)計(jì)。設(shè)計(jì)人員在設(shè)計(jì)終端產(chǎn)品時(shí),可使MPU將更多引腳用于其他目的,或者采用擁有更少引腳的MPU以提高成本效益。
下圖說(shuō)明華邦256Mb x16 HyperRAM 2.0e KGD在Efinix Ti60平臺(tái)上的配置:
華邦HyperRAM內(nèi)存容量為256Mb,時(shí)鐘頻率高達(dá)200MHz,配備用于高速傳輸?shù)腍yperBus接口,并支持高達(dá)400Mbps的雙倍數(shù)據(jù)傳輸速率。將內(nèi)存集成在同一封裝中,設(shè)計(jì)人員可存儲(chǔ)視頻幀數(shù)據(jù)或傳感器數(shù)據(jù),然后通過(guò)FPGA邏輯加以處理,而無(wú)需挪出電路板空間來(lái)放置其他的存儲(chǔ)設(shè)備。