11月15日，斯達(dá)半導(dǎo)披露定增結(jié)果，本次發(fā)行價(jià)格為330.00元/股，發(fā)行股數(shù)為1060.61萬股，募集資金總額35.00億元。本次發(fā)行對(duì)象最終確定為14家，其中先進(jìn)制造產(chǎn)業(yè)投資基金二期獲配約3億元，華泰證券股份有限公司獲配4.53億元，本次發(fā)行配售結(jié)果如下：

圖片來源：斯達(dá)半導(dǎo)公告截圖

募集資金35億元

此前9月份，斯達(dá)半導(dǎo)發(fā)布公告稱，公司擬募集資金總額不超過35億元用于高壓特色工藝功率芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目、SiC芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目、功率半導(dǎo)體模塊生產(chǎn)線自動(dòng)化改造項(xiàng)目以及補(bǔ)充流動(dòng)資金。

圖片來源：斯達(dá)半導(dǎo)公告截圖

根據(jù)公告，高壓特色工藝功率芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目，擬通過新建廠房及倉庫等配套設(shè)施，購置光刻機(jī)、顯影機(jī)、刻蝕機(jī)、PECVD、退火爐、電子顯微鏡等設(shè)備，用于實(shí)施高壓特色工藝功率芯片的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目。項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后，預(yù)計(jì)將形成年產(chǎn)30萬片6英寸高壓特色工藝功率芯片生產(chǎn)能力。該項(xiàng)目實(shí)施主體為公司全資子公司嘉興斯達(dá)微電子有限公司。

SiC芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目，擬通過新建廠房及倉庫等配套設(shè)施，購置光刻機(jī)、涂膠顯影機(jī)、鋁刻蝕機(jī)、高溫注入機(jī)等設(shè)備，開展SiC芯片的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化。項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后，預(yù)計(jì)將形成年產(chǎn)6萬片6英寸SiC芯片生產(chǎn)能力。該項(xiàng)目實(shí)施主體為公司全資子公司嘉興斯達(dá)微電子有限公司。

功率半導(dǎo)體模塊生產(chǎn)線自動(dòng)化改造項(xiàng)目，擬利用現(xiàn)有廠房實(shí)施生產(chǎn)線自動(dòng)化改造項(xiàng)目，購置全自動(dòng)劃片機(jī)、在線式全自動(dòng)印刷機(jī)、在線式全自動(dòng)貼片機(jī)、在線式全自動(dòng)真空回流爐、在線式全自動(dòng)清洗機(jī)等設(shè)備，實(shí)施功率半導(dǎo)體模塊生產(chǎn)線自動(dòng)化改造項(xiàng)目。項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后，預(yù)計(jì)將形成新增年產(chǎn)400萬片的功率半導(dǎo)體模塊的生產(chǎn)能力。該項(xiàng)目實(shí)施主體為嘉興斯達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司。

斯達(dá)半導(dǎo)表示，本次募集資金均用于公司主營業(yè)務(wù)及未來戰(zhàn)略布局，募集資金投資項(xiàng)目完成后有利于進(jìn)一步提升公司的核心競(jìng)爭(zhēng)力，鞏固公司的市場(chǎng)地位，提高公司的持續(xù)盈利能力，保證公司未來的可持續(xù)發(fā)展。

下游市場(chǎng)規(guī)模巨大

資料顯示，斯達(dá)半導(dǎo)是國內(nèi)本土功率半導(dǎo)體產(chǎn)品的重要提供商之一，且長(zhǎng)期致力于IGBT、快恢復(fù)二極管、SiC等功率芯片的設(shè)計(jì)和工藝以及IGBT、SiC等功率模塊的設(shè)計(jì)、制造和測(cè)試。主要產(chǎn)品為功率半導(dǎo)體元器件，包括IGBT、MOSFET、IPM、FRD、SiC等等。產(chǎn)品應(yīng)用于新能源汽車、變頻器、逆變焊機(jī)、UPS、光伏/風(fēng)力發(fā)電、SVG、白色家電等領(lǐng)域。

斯達(dá)半導(dǎo)指出，以IGBT模塊、SiC模塊為代表的功率半導(dǎo)體模塊廣泛應(yīng)用于電機(jī)節(jié)能、新能源、新能源汽車、智能電網(wǎng)、軌道交通、白色家電等領(lǐng)域，下游市場(chǎng)規(guī)模巨大。而在功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域，以英飛凌為代表的海外頭部企業(yè)進(jìn)入較早，在設(shè)計(jì)技術(shù)、工藝水平、產(chǎn)品系列化等方面形成較強(qiáng)的優(yōu)勢(shì)，市場(chǎng)占有率較高。

據(jù)悉，隨著功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的持續(xù)發(fā)展與國產(chǎn)替代進(jìn)程的加速，功率半導(dǎo)體具有廣闊的市場(chǎng)前景。

近年來，國家發(fā)布了一系列支持功率半導(dǎo)體行業(yè)的政策。如科技部在國家科技支撐計(jì)劃重點(diǎn)項(xiàng)目《電力電子關(guān)鍵器件及重大裝備研制》中，重點(diǎn)支持IGBT芯片和模塊的研發(fā)；工信部在電子發(fā)展基金中也對(duì)IGBT器件及模塊進(jìn)行了資助。國家相關(guān)產(chǎn)業(yè)政策為項(xiàng)目實(shí)施營造了良好的政策環(huán)境。

另據(jù)TrendForce集邦咨詢《2019中國IGBT產(chǎn)業(yè)發(fā)展及市場(chǎng)報(bào)告》顯示，中國是全球最大的IGBT市場(chǎng)，受益于工業(yè)控制、新能源、新能源汽車等領(lǐng)域的需求大幅增加，中國IGBT市場(chǎng)規(guī)模將持續(xù)增長(zhǎng)，到2025年，中國IGBT市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到522億人民幣，年復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)19.11%。

斯達(dá)半導(dǎo)稱，隨著工業(yè)控制、新能源、新能源汽車等下游市場(chǎng)的需求拉動(dòng)，功率半導(dǎo)體器件呈現(xiàn)供不應(yīng)求的局面。公司擬采用先進(jìn)技術(shù)和設(shè)備，實(shí)施以IGBT和SiC為主的功率半導(dǎo)體模塊生產(chǎn)線自動(dòng)化改造項(xiàng)目，進(jìn)一步擴(kuò)大產(chǎn)能，保證公司在市場(chǎng)份額持續(xù)提高及下游需求迅速增長(zhǎng)的情況下，充分保障客戶需求，提升公司綜合競(jìng)爭(zhēng)力。