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今年臺積電、三星將在3nm上競賽?你錯了,決戰(zhàn)在2025年的2nm

2022-01-10
來源:互聯(lián)網(wǎng)亂侃秀
關鍵詞: 臺積電 三星 2nm

按照全球最頂尖的兩大代工廠臺積電、三星的計劃,今年雙方的工藝都將進入3nm。

很多人認為,今年將是臺積電、三星展開競賽的一年,臺積電想保住自己大哥的位置,而三星不甘心當老二,也想當大哥,所以競賽必然在3nm上進行。

再加上三星押寶GAAFET技術(shù),相比于臺積電的FinFET技術(shù)更先進,所以三星是來勢洶洶。

表面上來看,確實是如此,但事實上,今年雙方并不會展開什么激烈競爭,雙方真正的決戰(zhàn)將會在2025年的2nm工藝上展開,現(xiàn)在都只是前期準備階段。

首先,在3nm上,不管臺積電的FinFET工藝是不是真的落后于GAAFET工藝,三星是搶不走太多臺積電份額的。

一方面是當前臺積電的優(yōu)勢還很明顯,蘋果、AMD、聯(lián)發(fā)科、nividia、intel們都還站臺積電,三星的最大客戶還只有高通,明顯拼不過。

二是三星剛使用GAAFET技術(shù),良率不可能很高,成本也不可能低下來,相比于臺積電成熟穩(wěn)定的FinFET而言,技術(shù)是先進些,但芯片產(chǎn)能規(guī)?;涣?,更多的只是前期工作,推動技術(shù)落地成熟應用而已,所以在3nm時就搶臺積電市場,真的難以實現(xiàn)。

可以說,三星之所以在3nm時使用GAAFET這種技術(shù),更多的還是在后續(xù)做準備,提前熟悉、掌握這一技術(shù),這樣在后續(xù)工藝時更有領先優(yōu)勢。

到2025年時,臺積電也要轉(zhuǎn)用GAAFET工藝了,并且在2025年臺積電、三星都會進入2nm工藝,都使用GAAFET技術(shù),這時候才是兩者真正決戰(zhàn)的開始。

臺積電在2025年時才 算是首次進入GAAFET工藝,而三星相當于已經(jīng)提前熟悉了3年,三星在GAAFET工藝更有優(yōu)勢了。

再加上三星前期做的各種準備工作,三星在2025年時,也就是都進入GAAFET工藝時,才是真正有希望搶臺積電市場的時候,那時候也將是真正的大決戰(zhàn)時候。




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