《電子技術(shù)應(yīng)用》
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東微半導(dǎo)體:公司 MOSFET、IGBT等產(chǎn)品不會惡意漲價

2022-03-09
來源:OFweek電子工程網(wǎng)
關(guān)鍵詞: 東微半導(dǎo)體 MOSFET IGBT

3月9日,東微半導(dǎo)體發(fā)布了投資者活動記錄表,具體內(nèi)容如下。

問題一:請問公司核心研發(fā)團(tuán)隊(duì)背景如何?

答:王鵬飛先生,博士畢業(yè)于德國慕尼黑工業(yè)大學(xué)。曾擔(dān)任德國英飛凌科技存儲器研發(fā)中心研發(fā)工程師、德國奇夢達(dá)公司(QimondaAG)技術(shù)創(chuàng)新和集成部門研發(fā)工程師、復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院教授。對國際大廠的創(chuàng)新體系、器件研究方法比較熟悉,能夠在器件底層結(jié)構(gòu)方面進(jìn)行創(chuàng)新。曾在《Science》上發(fā)表過微電子器件研究論文。

龔軼先生,碩士畢業(yè)于英國紐卡斯?fàn)柎髮W(xué),曾任美國超微半導(dǎo)體公司工程師,德國英飛凌科技汽車電子與芯片卡部門技術(shù)專家。公司核心技術(shù)團(tuán)隊(duì)鉆研半導(dǎo)體領(lǐng)域多年,有豐厚的經(jīng)驗(yàn)積累,在高壓超級結(jié)MOS、中低壓MOS及IGBT方面也有較多的創(chuàng)新。

問題二:公司TGBT產(chǎn)品與IGBT是否完全不同,請具體介紹公司產(chǎn)品在工藝、結(jié)構(gòu)、下游應(yīng)用方面以及公司下游導(dǎo)入的方向?

答:嚴(yán)謹(jǐn)來講,TGBT是一種新型結(jié)構(gòu)的IGBT,是基于公司自研專利的創(chuàng)新型器件結(jié)構(gòu)定義的一種IGBT器件。公司依靠對器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的創(chuàng)新,實(shí)現(xiàn)了關(guān)鍵技術(shù)參數(shù)的優(yōu)化。東微量產(chǎn)的新一代IGBT產(chǎn)品主要應(yīng)用在光伏逆變、儲能、充電樁模塊等領(lǐng)域。

問題三、關(guān)于IGBT產(chǎn)品形式,主要是單管還是模塊?此外,關(guān)于業(yè)務(wù)規(guī)模及產(chǎn)品比重方面是不是可以量化?

答:產(chǎn)品形式起初是單管,目前也有模塊客戶采購公司IGBT芯片進(jìn)行模塊的研發(fā)和生產(chǎn)。量級、業(yè)務(wù)比重方面,2021年上半年?duì)I收規(guī)模較小,是因?yàn)樘幱谇捌谕茝V階段,不少客戶是小批量及送測的狀態(tài),IGBT的銷售額會在后續(xù)持續(xù)運(yùn)營中進(jìn)一步體現(xiàn)。

問題四、IGBT產(chǎn)品未來是否會做模塊布局?

答:目前公司IGBT產(chǎn)品主要是以單管為主,公司著力在器件結(jié)構(gòu)、工藝技術(shù)方面做深入研究?;诠咎岢龅腡GBT的技術(shù)與性能優(yōu)勢,在IGBT單管領(lǐng)域有較強(qiáng)競爭力,未來在模塊領(lǐng)域相信也會有競爭優(yōu)勢。IGBT單管的市場廣闊,公司模塊產(chǎn)品目前還處在初期研發(fā)狀態(tài)。

問題五、目前IGBT產(chǎn)品在光伏方面的應(yīng)用是分布式還是組串式?主要客戶有哪些?

答:目前公司IGBT在集中式、組串、分布式的光伏領(lǐng)域都有在用。主要以組串式光伏逆變應(yīng)用為主,IGBT產(chǎn)品客戶包括了行業(yè)內(nèi)排名靠前的頭部客戶。

問題六、關(guān)于代工廠的產(chǎn)能依賴問題?

答:我們在技術(shù)、工藝創(chuàng)新方面是有一定優(yōu)勢的,芯片供應(yīng)給頭部的工業(yè)級及新能源汽車相關(guān)客戶。這些客戶用量穩(wěn)定,進(jìn)入門檻高,這保證了我們給代工廠的持續(xù)穩(wěn)定的訂單,符合雙方的長期共同利益。因此,作為代工廠的核心客戶,產(chǎn)能保障是比較樂觀的。

問題七、高壓MOS是否會被超級結(jié)替代?長期來看,超級結(jié)的地位?

答:超級結(jié)比普通高壓VDMOS更適用于較大功率的應(yīng)用領(lǐng)域,并且超級結(jié)的效率更高。在雙碳背景下,尤其是新能源產(chǎn)業(yè)的轉(zhuǎn)型升級,低碳環(huán)保是大趨勢,可以實(shí)現(xiàn)更高效率電能轉(zhuǎn)換效率的超級結(jié)會有更大的市場空間。另外,高壓VDMOS并不會完全被超級結(jié)所替代,只是哪一個MOS品類更適用于哪個細(xì)分應(yīng)用場景的問題。在一些較小功率的消費(fèi)級應(yīng)用領(lǐng)域,高壓VDMOS反而比超級結(jié)更加合適。

問題八、以廣義新能源視角,如何看待超級結(jié)的市場份額?

答:按照我們的判斷,廣義的新能源領(lǐng)域,超級結(jié)的應(yīng)用是非常廣泛的。在市場規(guī)模上,雖然IGBT整體市場規(guī)??臻g比超級結(jié)更大一些,但目前第三方機(jī)構(gòu)在超級結(jié)細(xì)分市場的統(tǒng)計(jì)信息比較有限,我們的數(shù)據(jù)顯示超級結(jié)的市場空間會比第三方機(jī)構(gòu)預(yù)期的更大,且增速會更高。

問題九、請簡要介紹公司的產(chǎn)品及公司定位。

答:公司是以高性能功率器件研發(fā)與銷售為主的半導(dǎo)體企業(yè),產(chǎn)品專注于工業(yè)及汽車相關(guān)等中大功率應(yīng)用領(lǐng)域。其中2018年-2020年高壓超級結(jié)產(chǎn)品收入占比均達(dá)70%以上,是公司目前最主要的產(chǎn)品。除此以外還有中低壓屏蔽柵 MOSFET 以及超級硅MOSFET、Tri-gateIGBT等產(chǎn)品。公司未來的定位不會局限于超級結(jié)產(chǎn)品,而是更趨向于成為專注高性能功率器件研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化、產(chǎn)品更加多元化的公司

問題十、請對公司的超級硅及TGBT產(chǎn)品做詳細(xì)介紹。

答:公司超級硅系列產(chǎn)品是公司自主研發(fā)、性能對標(biāo)氮化鎵功率器件產(chǎn)品的高性能硅基MOSFET產(chǎn)品。通過調(diào)整器件結(jié)構(gòu)、優(yōu)化制造工藝,突破了傳統(tǒng)硅基超級結(jié)功率器件的開關(guān)速度瓶頸,適用于高密度電源模塊的應(yīng)用。公司的TGBT產(chǎn)品嚴(yán)格來講是一種創(chuàng)新器件結(jié)構(gòu)的IGBT。公司通過自主的設(shè)計(jì)開發(fā)優(yōu)化了器件結(jié)構(gòu),實(shí)現(xiàn)了關(guān)鍵技術(shù)參數(shù)的優(yōu)化,TGBT具有高功率密度、開關(guān)損耗低、可靠性高、自保護(hù)等特點(diǎn)。

問題十一、請問公司對于IGBT產(chǎn)品的收入規(guī)劃?

答:IGBT產(chǎn)品市場廣闊。2021年上半年公司的新型IGBT產(chǎn)品處于前期推廣階段。公司將通過擴(kuò)充產(chǎn)品規(guī)格和擴(kuò)大產(chǎn)能,逐步提升Tri-gateIGBT的銷售額。IGBT的具體銷售額會在后續(xù)持續(xù)運(yùn)營中進(jìn)一步體現(xiàn)。

問題十二、公司的股東中有上海聚源聚芯集成電路產(chǎn)業(yè)股權(quán)投資基金,對于公司在中芯國際代工是否有有利影響?

答:早期公司跟中芯國際集成電路制造(紹興)有限公司有代工合作。目前沒有合作,后期如有需求,我們會另行開展。

問題十三、公司產(chǎn)品下游應(yīng)用端主要是新能源車,工業(yè)級應(yīng)用等高端領(lǐng)域,今年有沒有漲價的預(yù)期?

答:公司擁有眾多行業(yè)標(biāo)桿、工業(yè)級和新能源汽車客戶,我們希望提供性能和質(zhì)量更優(yōu)、可靠性更高的產(chǎn)品給客戶,與客戶有更深度的長期穩(wěn)定的合作關(guān)系,價格是否上漲需要依據(jù)上下游供給關(guān)系、上游晶圓成本的變化等因素綜合決定。公司著眼于長遠(yuǎn)利益,我們不會在缺貨時惡意漲價,而是盡量維持合理的價格與毛利,維護(hù)雙方的長期合作關(guān)系,這是公司一貫以來的市場策略。

問題十四、公司產(chǎn)品在新能源車上主要應(yīng)用在哪些方面?

答:目前最主要是新能源汽車直流充電樁和車載充電機(jī)OBC的應(yīng)用。




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